MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट कॅल्क्युलेटर

✖पीएमओएस मधील प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स म्हणजे पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या गेट-स्रोत व्होल्टेजच्या संदर्भात फायदा.ⓘ PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स [k'_p]			+10% -10%
✖चॅनेलची रुंदी वायरलेस कम्युनिकेशन चॅनेलवर डेटा प्रसारित करण्यासाठी वापरल्या जाणार्‍या फ्रिक्वेन्सीच्या श्रेणीचा संदर्भ देते. हे बँडविड्थ म्हणून देखील ओळखले जाते आणि हर्ट्झ (Hz) मध्ये मोजले जाते.ⓘ चॅनेल रुंदी [W_c]			+10% -10%
✖चॅनेलची लांबी फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) मध्ये स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील अंतर दर्शवते.ⓘ चॅनेलची लांबी [L]			+10% -10%
✖MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर) मधील प्रभावी व्होल्टेज हे व्होल्टेज आहे जे डिव्हाइसचे वर्तन ठरवते. हे गेट-स्रोत व्होल्टेज म्हणून देखील ओळखले जाते.ⓘ प्रभावी व्होल्टेज [V_eff]			+10% -10%

✖संपृक्तता ड्रेन करंट हे डिझाइनमधील एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहेⓘ MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट [I_d(sat)]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट

सुत्र

`"I"_{"d(sat)"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"W"_{"c"}/"L"*("V"_{"eff"})^2`

उदाहरण

`"0.08381mA"=1/2*"0.58mS"*"10μm"/"100μm"*("1.7V")^2`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(प्रभावी व्होल्टेज)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

संपृक्तता निचरा वर्तमान - (मध्ये मोजली अँपिअर) - संपृक्तता ड्रेन करंट हे डिझाइनमधील एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे
PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - पीएमओएस मधील प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स म्हणजे पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या गेट-स्रोत व्होल्टेजच्या संदर्भात फायदा.
चॅनेल रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची रुंदी वायरलेस कम्युनिकेशन चॅनेलवर डेटा प्रसारित करण्यासाठी वापरल्या जाणार्‍या फ्रिक्वेन्सीच्या श्रेणीचा संदर्भ देते. हे बँडविड्थ म्हणून देखील ओळखले जाते आणि हर्ट्झ (Hz) मध्ये मोजले जाते.
चॅनेलची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची लांबी फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) मध्ये स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील अंतर दर्शवते.
प्रभावी व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर) मधील प्रभावी व्होल्टेज हे व्होल्टेज आहे जे डिव्हाइसचे वर्तन ठरवते. हे गेट-स्रोत व्होल्टेज म्हणून देखील ओळखले जाते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स: 0.58 मिलिसीमेन्स --> 0.00058 सीमेन्स (रूपांतरण तपासा येथे)
चॅनेल रुंदी: 10 मायक्रोमीटर --> 1E-05 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
चॅनेलची लांबी: 100 मायक्रोमीटर --> 0.0001 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
प्रभावी व्होल्टेज: 1.7 व्होल्ट --> 1.7 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2 --> 1/2*0.00058*1E-05/0.0001*(1.7)^2

मूल्यांकन करत आहे ... ...

I_d(sat) = 8.381E-05

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

8.381E-05 अँपिअर -->0.08381 मिलीअँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

0.08381 मिलीअँपिअर <-- संपृक्तता निचरा वर्तमान

(गणना 00.020 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » चालू » MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 12 चालू कॅल्क्युलेटर

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा दुसरा ड्रेन करंट

जा निचरा प्रवाह 2 = डीसी बायस वर्तमान/2-डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-(विभेदक इनपुट सिग्नल)^2/(4*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज^2))

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट

जा ड्रेन करंट १ = डीसी बायस वर्तमान/2+डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-विभेदक इनपुट सिग्नल^2/(4*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज^2))

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट

जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(प्रभावी व्होल्टेज)^2

MOSFET च्या चॅनेल-लांबी मॉड्युलेशनशिवाय प्रवाह काढून टाका

जा ड्रेन करंट = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स*प्रसर गुणोत्तर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2

झटपट निचरा करंट

जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(गेट ते सोर्स व्होल्टेजचा DC घटक-एकूण व्होल्टेज+गंभीर व्होल्टेज)^2

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा दुसरा ड्रेन करंट

जा निचरा प्रवाह 2 = डीसी बायस वर्तमान/2-डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट

जा ड्रेन करंट १ = डीसी बायस वर्तमान/2+डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा प्रवाह काढून टाका

जा ड्रेन करंट = (डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज)*(विभेदक इनपुट सिग्नल/2)

Vgs च्या DC घटकाच्या संदर्भात तात्काळ ड्रेन करंट

जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*((गंभीर व्होल्टेज-एकूण व्होल्टेज)^2)

MOSFET च्या कॉमन-मोड नकारात वर्तमान

जा एकूण वर्तमान = वाढीव सिग्नल/((1/Transconductance)+(2*आउटपुट प्रतिकार))

लोड लाईनमध्ये ड्रेन करंट

जा ड्रेन करंट = (पुरवठा व्होल्टेज-ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)/लोड प्रतिकार

MOSFET चा शॉर्ट सर्किट करंट

जा आउटपुट वर्तमान = Transconductance*गेट-स्रोत व्होल्टेज

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट सुत्र

संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(प्रभावी व्होल्टेज)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2

ड्रेन संपृक्तता वर्तमान काय आहे?

गेटच्या नाल्याच्या शेवटी असलेल्या कमी होणारा थर अतिरिक्त ड्रेन-टू-सोर्स व्होल्टेजची सोय करते. या वर्तनास ड्रेन करंट संतृप्ति म्हणून संबोधले जाते. चतुर्भुज मॉडेल एक एमओएसएफईटीची विशिष्ट वर्तमान-व्होल्टेज वैशिष्ट्ये स्पष्ट करते, जे सामान्यपणे वेगवेगळ्या गेट-टू-सोर्स व्होल्टेजसाठी प्लॉट केले जातात.

एक एमओएसएफईटी किती वर्तमान हाताळू शकते?

511-STP200N3LL सारख्या हाय एम्पीरेज मॉसफेट्स असे म्हणतात की ते 120 अँम्प वर्तमान हाताळू शकतात. मेटल ऑक्साईड सेमीकंडक्टर फील्ड इफेक्ट ट्रान्झिस्टर किंवा थोडक्यात, एमओएसएफईटीमध्ये स्त्रोत आणि नाल्याच्या दरम्यानच्या वाहिनीमधून वाहणार्‍या विद्यमानासह अत्यंत उच्च इनपुट गेट प्रतिकार आहे गेट व्होल्टेजद्वारे नियंत्रित केले जाते.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!