बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ कॅल्क्युलेटर

✖पुरवठा व्होल्टेज हे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणाला पुरवले जाणारे व्होल्टेज स्तर आहे आणि हे एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे जे डिव्हाइसच्या कार्यक्षमतेवर आणि विश्वासार्हतेवर परिणाम करते.ⓘ पुरवठा व्होल्टेज [V_dd]			+10% -10%
✖MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर) मधील प्रभावी व्होल्टेज हे व्होल्टेज आहे जे डिव्हाइसचे वर्तन ठरवते. हे गेट-स्रोत व्होल्टेज म्हणून देखील ओळखले जाते.ⓘ प्रभावी व्होल्टेज [V_eff]			+10% -10%

✖कमाल व्होल्टेज वाढणे हे एम्पलीफायरद्वारे इलेक्ट्रिकल सिग्नलच्या प्रवर्धनाचे मोजमाप आहे. हे सर्किटच्या इनपुट व्होल्टेजचे आउटपुट व्होल्टेजचे गुणोत्तर आहे, डेसिबल (डीबी) मध्ये व्यक्त केले जाते.ⓘ बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ [A_vm]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ

सुत्र

`"A"_{"vm"} = 2*("V"_{"dd"}-"V"_{"eff"})/("V"_{"eff"})`

उदाहरण

`"7.941176"=2*("8.45V"-"1.7V")/("1.7V")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)
A_vm = 2*(V_dd-V_eff)/(V_eff)
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

कमाल व्होल्टेज वाढ - कमाल व्होल्टेज वाढणे हे एम्पलीफायरद्वारे इलेक्ट्रिकल सिग्नलच्या प्रवर्धनाचे मोजमाप आहे. हे सर्किटच्या इनपुट व्होल्टेजचे आउटपुट व्होल्टेजचे गुणोत्तर आहे, डेसिबल (डीबी) मध्ये व्यक्त केले जाते.
पुरवठा व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - पुरवठा व्होल्टेज हे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणाला पुरवले जाणारे व्होल्टेज स्तर आहे आणि हे एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे जे डिव्हाइसच्या कार्यक्षमतेवर आणि विश्वासार्हतेवर परिणाम करते.
प्रभावी व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर) मधील प्रभावी व्होल्टेज हे व्होल्टेज आहे जे डिव्हाइसचे वर्तन ठरवते. हे गेट-स्रोत व्होल्टेज म्हणून देखील ओळखले जाते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

पुरवठा व्होल्टेज: 8.45 व्होल्ट --> 8.45 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
प्रभावी व्होल्टेज: 1.7 व्होल्ट --> 1.7 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

A_vm = 2*(V_dd-V_eff)/(V_eff) --> 2*(8.45-1.7)/(1.7)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

A_vm = 7.94117647058823

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

7.94117647058823 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

7.94117647058823 ≈ 7.941176 <-- कमाल व्होल्टेज वाढ

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » प्रवर्धन घटक/नफा » बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 6 प्रवर्धन घटक/नफा कॅल्क्युलेटर

MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे

जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)

बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ

जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)

ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन

जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज

ट्रान्सकंडक्टन्स वापरून फेज शिफ्ट केलेले व्होल्टेज गेन

जा फेज शिफ्ट व्होल्टेज वाढणे = -(Transconductance*लोड प्रतिकार)

सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ

जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज

ड्रेन व्होल्टेजचा एकल घटक वापरून व्होल्टेज वाढवणे

जा व्होल्टेज वाढणे = ड्रेन व्होल्टेज/इनपुट सिग्नल

< 16 MOSFET वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण

जा चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

जा MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स = sqrt(2*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(ट्रान्झिस्टरची रुंदी/ट्रान्झिस्टरची लांबी)*ड्रेन करंट)

MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता

जा संक्रमण वारंवारता = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))

बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ

लहान सिग्नल वापरून व्होल्टेज वाढवणे

जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*1/(1/लोड प्रतिकार+1/मर्यादित प्रतिकार)

MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट

जा चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)

ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन

जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज

MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज

जा ड्रेन आणि स्त्रोत संपृक्तता व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज

Transconductance वर शरीर प्रभाव

जा बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance

MOSFET चे बायस व्होल्टेज

जा एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज = डीसी बायस व्होल्टेज+डीसी व्होल्टेज

सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ

जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज

MOSFET चे ट्रेशोल्ड व्होल्टेज

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज

MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक

जा प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार

MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण

जा चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार

बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ सुत्र

कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)
A_vm = 2*(V_dd-V_eff)/(V_eff)

व्होल्टेज वाढ म्हणजे काय?

डेसिबलमधील आउटपुट सिग्नल व्होल्टेज पातळी आणि डेसिबलमधील इनपुट सिग्नल व्होल्टेज पातळी दरम्यान फरक; हे मूल्य इनपुट व्होल्टेजच्या आऊटपुट व्होल्टेजच्या गुणोत्तरांच्या सामान्य पटॅरिथ्मपेक्षा 20 पट आहे.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!