MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)
Av = gm*(1/(1/RL+1/Rout))/(1+gm*Rs)
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
व्होल्टेज वाढणे - व्होल्टेज गेन हे अॅम्प्लीफायरद्वारे इलेक्ट्रिकल सिग्नलच्या प्रवर्धनाचे मोजमाप आहे. हे सर्किटच्या इनपुट व्होल्टेजचे आउटपुट व्होल्टेजचे गुणोत्तर आहे, डेसिबल (डीबी) मध्ये व्यक्त केले जाते.
Transconductance - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.
लोड प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - लोड प्रतिरोध हे MOSFET च्या ड्रेन टर्मिनल आणि वीज पुरवठा व्होल्टेज दरम्यान जोडलेले बाह्य प्रतिरोध आहे.
आउटपुट प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - आउटपुट रेझिस्टन्स म्हणजे इलेक्ट्रोनिक सर्किटच्या विद्युत् प्रवाहाच्या प्रतिरोधनाचा संदर्भ आहे जेव्हा लोड त्याच्या आउटपुटशी जोडलेला असतो.
स्रोत प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - स्त्रोत प्रतिकार हे इनपुट व्होल्टेजसह मालिकेत जोडलेले वर्तमान मर्यादित प्रतिरोधक आहे. सर्किटमध्ये जास्तीत जास्त प्रवाह मर्यादित करण्यासाठी याचा वापर केला जातो.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
Transconductance: 0.5 मिलिसीमेन्स --> 0.0005 सीमेन्स (रूपांतरण तपासा ​येथे)
लोड प्रतिकार: 0.28 किलोहम --> 280 ओहम (रूपांतरण तपासा ​येथे)
आउटपुट प्रतिकार: 4.5 किलोहम --> 4500 ओहम (रूपांतरण तपासा ​येथे)
स्रोत प्रतिकार: 8.1 किलोहम --> 8100 ओहम (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Av = gm*(1/(1/RL+1/Rout))/(1+gm*Rs) --> 0.0005*(1/(1/280+1/4500))/(1+0.0005*8100)
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Av = 0.0260988441940428
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.0260988441940428 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
0.0260988441940428 0.026099 <-- व्होल्टेज वाढणे
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

6 प्रवर्धन घटक/नफा कॅल्क्युलेटर

MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)
बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)
ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज
ट्रान्सकंडक्टन्स वापरून फेज शिफ्ट केलेले व्होल्टेज गेन
​ जा फेज शिफ्ट व्होल्टेज वाढणे = -(Transconductance*लोड प्रतिकार)
सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज
ड्रेन व्होल्टेजचा एकल घटक वापरून व्होल्टेज वाढवणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = ड्रेन व्होल्टेज/इनपुट सिग्नल

16 MOSFET वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण
​ जा चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
​ जा MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स = sqrt(2*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(ट्रान्झिस्टरची रुंदी/ट्रान्झिस्टरची लांबी)*ड्रेन करंट)
MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)
MOSFET ची संक्रमण वारंवारता
​ जा संक्रमण वारंवारता = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))
बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)
लहान सिग्नल वापरून व्होल्टेज वाढवणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*1/(1/लोड प्रतिकार+1/मर्यादित प्रतिकार)
MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट
​ जा चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)
ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज
MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज
​ जा ड्रेन आणि स्त्रोत संपृक्तता व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
Transconductance वर शरीर प्रभाव
​ जा बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance
MOSFET चे बायस व्होल्टेज
​ जा एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज = डीसी बायस व्होल्टेज+डीसी व्होल्टेज
सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज
MOSFET चे ट्रेशोल्ड व्होल्टेज
​ जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक
​ जा प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार
MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण
​ जा चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार

MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे सुत्र

व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)
Av = gm*(1/(1/RL+1/Rout))/(1+gm*Rs)

व्होल्टेज वाढ म्हणजे काय?

डेसिबलमधील आउटपुट सिग्नल व्होल्टेज पातळी आणि डेसिबलमधील इनपुट सिग्नल व्होल्टेज पातळी दरम्यान फरक; हे मूल्य इनपुट व्होल्टेजच्या आऊटपुट व्होल्टेजच्या गुणोत्तरांच्या सामान्य पटॅरिथ्मपेक्षा 20 पट आहे.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!