ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज
Av = (id*RL*2)/Veff
हे सूत्र 4 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
व्होल्टेज वाढणे - व्होल्टेज गेन हे अॅम्प्लीफायरद्वारे इलेक्ट्रिकल सिग्नलच्या प्रवर्धनाचे मोजमाप आहे. हे सर्किटच्या इनपुट व्होल्टेजचे आउटपुट व्होल्टेजचे गुणोत्तर आहे, डेसिबल (डीबी) मध्ये व्यक्त केले जाते.
ड्रेन करंट - (मध्ये मोजली अँपिअर) - ड्रेन करंट म्हणजे ड्रेन आणि फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या स्रोत टर्मिनल्समध्ये वाहणारा प्रवाह, जो सामान्यतः इलेक्ट्रॉनिक सर्किट्समध्ये वापरला जाणारा एक प्रकारचा ट्रान्झिस्टर आहे.
लोड प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - लोड प्रतिरोध हे MOSFET च्या ड्रेन टर्मिनल आणि वीज पुरवठा व्होल्टेज दरम्यान जोडलेले बाह्य प्रतिरोध आहे.
प्रभावी व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर) मधील प्रभावी व्होल्टेज हे व्होल्टेज आहे जे डिव्हाइसचे वर्तन ठरवते. हे गेट-स्रोत व्होल्टेज म्हणून देखील ओळखले जाते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
ड्रेन करंट: 0.08 मिलीअँपिअर --> 8E-05 अँपिअर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
लोड प्रतिकार: 0.28 किलोहम --> 280 ओहम (रूपांतरण तपासा ​येथे)
प्रभावी व्होल्टेज: 1.7 व्होल्ट --> 1.7 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Av = (id*RL*2)/Veff --> (8E-05*280*2)/1.7
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Av = 0.0263529411764706
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.0263529411764706 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
0.0263529411764706 0.026353 <-- व्होल्टेज वाढणे
(गणना 00.020 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

6 प्रवर्धन घटक/नफा कॅल्क्युलेटर

MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)
बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)
ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज
ट्रान्सकंडक्टन्स वापरून फेज शिफ्ट केलेले व्होल्टेज गेन
​ जा फेज शिफ्ट व्होल्टेज वाढणे = -(Transconductance*लोड प्रतिकार)
सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज
ड्रेन व्होल्टेजचा एकल घटक वापरून व्होल्टेज वाढवणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = ड्रेन व्होल्टेज/इनपुट सिग्नल

16 MOSFET वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण
​ जा चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
​ जा MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स = sqrt(2*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(ट्रान्झिस्टरची रुंदी/ट्रान्झिस्टरची लांबी)*ड्रेन करंट)
MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)
MOSFET ची संक्रमण वारंवारता
​ जा संक्रमण वारंवारता = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))
बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)
लहान सिग्नल वापरून व्होल्टेज वाढवणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*1/(1/लोड प्रतिकार+1/मर्यादित प्रतिकार)
MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट
​ जा चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)
ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज
MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज
​ जा ड्रेन आणि स्त्रोत संपृक्तता व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
Transconductance वर शरीर प्रभाव
​ जा बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance
MOSFET चे बायस व्होल्टेज
​ जा एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज = डीसी बायस व्होल्टेज+डीसी व्होल्टेज
सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज
MOSFET चे ट्रेशोल्ड व्होल्टेज
​ जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक
​ जा प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार
MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण
​ जा चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार

ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन सुत्र

व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज
Av = (id*RL*2)/Veff

सामान्य मोड नकार काय करतो?

कॉमन-मोड नकार म्हणजे आउटपुटमधून कॉमन-मोड व्होल्टेज दूर करण्यासाठी विभेदक एम्प्लिफायरची क्षमता (जी ऑसिलोस्कोप आणि सिग्नल-कंडिशनिंग प्रीमप म्हणून प्रोबच्या दरम्यान बसते) क्षमता आहे. परंतु सिग्नल फ्रिक्वेन्सी वाढत असताना, सीएमआरआर खराब होते.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!