MOSFET रेखीय प्रतिकार दिलेले गुणोत्तर म्हणून कॅल्क्युलेटर

✖चॅनेलची लांबी फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) मध्ये स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील अंतर दर्शवते.ⓘ चॅनेलची लांबी [L]			+10% -10%
✖चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता म्हणजे ट्रान्झिस्टरमधील सिलिकॉन चॅनेलसारख्या अर्धसंवाहक सामग्रीच्या पृष्ठभागावर हलविण्याची किंवा प्रवास करण्याची इलेक्ट्रॉनची क्षमता.ⓘ चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता [μ_s]			+10% -10%
✖ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो एमओएस उपकरणांच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करतो, जसे की एकात्मिक सर्किट्सचा वेग आणि वीज वापर.ⓘ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स [C_ox]			+10% -10%
✖चॅनेलची रुंदी वायरलेस कम्युनिकेशन चॅनेलवर डेटा प्रसारित करण्यासाठी वापरल्या जाणार्‍या फ्रिक्वेन्सीच्या श्रेणीचा संदर्भ देते. हे बँडविड्थ म्हणून देखील ओळखले जाते आणि हर्ट्झ (Hz) मध्ये मोजले जाते.ⓘ चॅनेल रुंदी [W_c]			+10% -10%
✖MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर) मधील प्रभावी व्होल्टेज हे व्होल्टेज आहे जे डिव्हाइसचे वर्तन ठरवते. हे गेट-स्रोत व्होल्टेज म्हणून देखील ओळखले जाते.ⓘ प्रभावी व्होल्टेज [V_eff]			+10% -10%

✖रेखीय प्रतिकार, विरोध किंवा प्रतिकाराचे प्रमाण हे ओमच्या कायद्याने वर्णन केल्याप्रमाणे त्यामधून वाहणाऱ्या विद्युत् प्रवाहाच्या प्रमाणाशी थेट प्रमाणात असते.ⓘ MOSFET रेखीय प्रतिकार दिलेले गुणोत्तर म्हणून [R_ds]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

MOSFET रेखीय प्रतिकार दिलेले गुणोत्तर म्हणून

सुत्र

`"R"_{"ds"} = "L"/("μ"_{"s"}*"C"_{"ox"}*"W"_{"c"}*"V"_{"eff"})`

उदाहरण

`"0.16468kΩ"="100μm"/("38m²/V*s"*"940μF"*"10μm"*"1.7V")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

MOSFET रेखीय प्रतिकार दिलेले गुणोत्तर म्हणून उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

रेखीय प्रतिकार = चॅनेलची लांबी/(चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी*प्रभावी व्होल्टेज)
R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff)
हे सूत्र 6 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

रेखीय प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - रेखीय प्रतिकार, विरोध किंवा प्रतिकाराचे प्रमाण हे ओमच्या कायद्याने वर्णन केल्याप्रमाणे त्यामधून वाहणाऱ्या विद्युत् प्रवाहाच्या प्रमाणाशी थेट प्रमाणात असते.
चॅनेलची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची लांबी फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) मध्ये स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील अंतर दर्शवते.
चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता म्हणजे ट्रान्झिस्टरमधील सिलिकॉन चॅनेलसारख्या अर्धसंवाहक सामग्रीच्या पृष्ठभागावर हलविण्याची किंवा प्रवास करण्याची इलेक्ट्रॉनची क्षमता.
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो एमओएस उपकरणांच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करतो, जसे की एकात्मिक सर्किट्सचा वेग आणि वीज वापर.
चॅनेल रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची रुंदी वायरलेस कम्युनिकेशन चॅनेलवर डेटा प्रसारित करण्यासाठी वापरल्या जाणार्‍या फ्रिक्वेन्सीच्या श्रेणीचा संदर्भ देते. हे बँडविड्थ म्हणून देखील ओळखले जाते आणि हर्ट्झ (Hz) मध्ये मोजले जाते.
प्रभावी व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर) मधील प्रभावी व्होल्टेज हे व्होल्टेज आहे जे डिव्हाइसचे वर्तन ठरवते. हे गेट-स्रोत व्होल्टेज म्हणून देखील ओळखले जाते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

चॅनेलची लांबी: 100 मायक्रोमीटर --> 0.0001 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता: 38 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद --> 38 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स: 940 मायक्रोफरॅड --> 0.00094 फॅरड (रूपांतरण तपासा येथे)
चॅनेल रुंदी: 10 मायक्रोमीटर --> 1E-05 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
प्रभावी व्होल्टेज: 1.7 व्होल्ट --> 1.7 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff) --> 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

R_ds = 164.679533627561

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

164.679533627561 ओहम -->0.164679533627561 किलोहम (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

0.164679533627561 ≈ 0.16468 किलोहम <-- रेखीय प्रतिकार

(गणना 00.021 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » प्रतिकार » MOSFET रेखीय प्रतिकार दिलेले गुणोत्तर म्हणून

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 14 प्रतिकार कॅल्क्युलेटर

MOSFET रेखीय प्रतिकार दिलेले गुणोत्तर म्हणून

जा रेखीय प्रतिकार = चॅनेलची लांबी/(चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी*प्रभावी व्होल्टेज)

विभेदक अॅम्प्लीफायरचे आउटपुट प्रतिरोध

जा आउटपुट प्रतिकार = ((सामान्य मोड इनपुट सिग्नल*Transconductance)-एकूण वर्तमान)/(2*Transconductance*एकूण वर्तमान)

Mosfet च्या इनपुट प्रतिकार

जा इनपुट प्रतिकार = इनपुट व्होल्टेज/(जिल्हाधिकारी वर्तमान*लहान सिग्नल वर्तमान लाभ)

निचरा आणि स्रोत दरम्यान मर्यादित प्रतिकार

जा मर्यादित प्रतिकार = modulus(सकारात्मक डीसी व्होल्टेज)/ड्रेन करंट

इनपुट प्रतिरोध दिलेला ट्रान्सकंडक्टन्स

जा इनपुट प्रतिकार = लहान सिग्नल वर्तमान लाभ/Transconductance

इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ

जा इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ = 1/(आउटपुट प्रतिकार*ड्रेन करंट)

ड्रेन आउटपुट प्रतिकार

जा आउटपुट प्रतिकार = 1/(इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ*ड्रेन करंट)

चॅनेल लांबीचे मॉड्युलेशन दिलेले आउटपुट प्रतिरोध

जा आउटपुट प्रतिकार = 1/(चॅनेल लांबी मॉड्यूलेशन*ड्रेन करंट)

Mosfet च्या आउटपुट प्रतिकार

जा आउटपुट प्रतिकार = लवकर व्होल्टेज/जिल्हाधिकारी वर्तमान

आउटपुट रेझिस्टन्स दिलेला ट्रान्सकंडक्टन्स

जा आउटपुट प्रतिकार = 1/(वाहक गतिशीलता*Transconductance)

MOSFET मध्ये व्होल्टेज अवलंबित प्रतिकार

जा मर्यादित प्रतिकार = प्रभावी व्होल्टेज/ड्रेन करंट

लहान सिग्नल इनपुट प्रतिरोध

जा इनपुट प्रतिकार = इनपुट व्होल्टेज/बेस करंट

MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण

जा चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार

रेखीय प्रतिकार म्हणून MOSFET

जा रेखीय प्रतिकार = 1/चॅनेलचे संचालन

MOSFET रेखीय प्रतिकार दिलेले गुणोत्तर म्हणून सुत्र

रेखीय प्रतिकार = चॅनेलची लांबी/(चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी*प्रभावी व्होल्टेज)
R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff)

रेषात्मक प्रतिरोधक म्हणून एमओएसएफईटी वापरण्याची अट कोणती?

जेव्हा आपण हळू हळू गेट व्होल्टेज वाढवितो तेव्हा रेखीय प्रदेशात प्रवेश करून जेव्हा आपण व्ही डीएस म्हणतो त्या ओलांडून व्होल्टेज विकसित होण्यास एमओएसएफईटी हळू हळू चालणे सुरू करते. या प्रदेशात, एमओएसएफईटी मर्यादित मूल्याच्या प्रतिकार म्हणून कार्य करते.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!