MOSFET चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर कॅल्क्युलेटर

✖गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.ⓘ Transconductance [g_m]			+10% -10%
✖ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज हा इलेक्ट्रॉनिक्समध्ये वापरला जाणारा एक शब्द आहे आणि तो त्याच्या सामान्य ऑपरेटिंग व्होल्टेजपेक्षा जास्त असलेल्या डिव्हाइस किंवा घटकाला लागू केलेल्या व्होल्टेज पातळीचा संदर्भ देतो.ⓘ ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज [V_ov]			+10% -10%

✖ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर हे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे आणि सर्किट्समधील एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे व्होल्टेज आणि करंटमधील इनपुट-आउटपुट संबंधांचे वर्णन आणि परिमाण करण्यात मदत करते.ⓘ MOSFET चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर [k_n]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

MOSFET चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर

सुत्र

`"k"_{"n"} = "g"_{"m"}/"V"_{"ov"}`

उदाहरण

`"0.001562A/V²"="0.5mS"/"0.32V"`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

MOSFET चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
k_n = g_m/V_ov
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर - (मध्ये मोजली अँपिअर प्रति स्क्वेअर व्होल्ट) - ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर हे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे आणि सर्किट्समधील एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे व्होल्टेज आणि करंटमधील इनपुट-आउटपुट संबंधांचे वर्णन आणि परिमाण करण्यात मदत करते.
Transconductance - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.
ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज हा इलेक्ट्रॉनिक्समध्ये वापरला जाणारा एक शब्द आहे आणि तो त्याच्या सामान्य ऑपरेटिंग व्होल्टेजपेक्षा जास्त असलेल्या डिव्हाइस किंवा घटकाला लागू केलेल्या व्होल्टेज पातळीचा संदर्भ देतो.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

Transconductance: 0.5 मिलिसीमेन्स --> 0.0005 सीमेन्स (रूपांतरण तपासा येथे)
ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज: 0.32 व्होल्ट --> 0.32 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

k_n = g_m/V_ov --> 0.0005/0.32

मूल्यांकन करत आहे ... ...

k_n = 0.0015625

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.0015625 अँपिअर प्रति स्क्वेअर व्होल्ट --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

0.0015625 ≈ 0.001562 अँपिअर प्रति स्क्वेअर व्होल्ट <-- ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर

(गणना 00.020 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » Transconductance » MOSFET चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 16 Transconductance कॅल्क्युलेटर

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर वापरून

जा प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance/(प्रसर गुणोत्तर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))

Transconductance दिलेला प्रक्रिया Transconductance पॅरामीटर

जा Transconductance = प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

ड्रेन करंट दिलेला ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = sqrt(2*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*ड्रेन करंट)

प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर आणि ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स

जा प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance/(प्रसर गुणोत्तर*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज)

प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर आणि ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

निचरा वर्तमान दिलेली प्रक्रिया transconductance आणि transconductance

जा ड्रेन करंट = Transconductance^2/(2*प्रसर गुणोत्तर*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर)

ट्रान्सकंडक्टन्स आणि ड्रेन करंट दिलेली प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स

जा प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance^2/(2*प्रसर गुणोत्तर*ड्रेन करंट)

MOSFET Transconductance दिलेले Transconductance पॅरामीटर

जा Transconductance = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स वापरून

जा ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर

Transconductance वर शरीर प्रभाव

जा बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेला MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

MOSFET चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर

जा ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

बॅक गेट ट्रान्सकंडक्टन्स

जा बॅक गेट ट्रान्सकंडक्टन्स = Transconductance*व्होल्टेज कार्यक्षमता

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = ड्रेन करंट मध्ये बदल/गेट-स्रोत व्होल्टेज

Transconductance वापरून प्रवाह काढून टाका

जा ड्रेन करंट = (ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज)*Transconductance/2

MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

MOSFET चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर सुत्र

ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
k_n = g_m/V_ov

एमओएसएफईटी कशासाठी वापरला जातो?

मॉसफेट (मेटल ऑक्साईड सेमीकंडक्टर फील्ड इफेक्ट ट्रान्झिस्टर) ट्रान्झिस्टर एक सेमीकंडक्टर डिव्हाइस आहे जो मोठ्या प्रमाणात वापरण्यासाठी स्विच करण्याच्या उद्देशाने आणि इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये इलेक्ट्रॉनिक सिग्नलच्या प्रवर्धनासाठी वापरला जातो.

एमओएसएफईटीचे प्रकार काय आहेत?

एमओएसएफईटीचे दोन वर्ग आहेत. तेथे कमी मोड आहे आणि वर्धित मोड आहे. प्रत्येक वर्ग एक एन- किंवा पी-चॅनेल म्हणून उपलब्ध आहे, एकूण चार प्रकारचे एमओएसएफईटी प्रदान करते. कमी होण्याची पद्धत एक एन किंवा पी मध्ये येते आणि वर्धित मोड एन किंवा पीमध्ये येतो.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!