मसावि कॅल्क्युलेटर

लहान सिग्नलसाठी व्होल्टेज वाढणे कॅल्क्युलेटर

अभियांत्रिकी आरोग्य आर्थिक खेळाचे मैदान अधिक >>

↳

इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन उत्पादन अभियांत्रिकी दिवाणी अधिक >>

⤿

अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स CMOS डिझाइन आणि अनुप्रयोग अँटेना आणि वेव्ह प्रोपोगेशन अॅनालॉग कम्युनिकेशन्स अधिक >>

⤿

MOSFET बीजेटी

⤿

लहान सिग्नल विश्लेषण MOSFET वैशिष्ट्ये Transconductance अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल अधिक >>

✖गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.ⓘ Transconductance [g_m]			+10% -10%
✖लोड प्रतिरोध हे MOSFET च्या ड्रेन टर्मिनल आणि वीज पुरवठा व्होल्टेज दरम्यान जोडलेले बाह्य प्रतिरोध आहे.ⓘ लोड प्रतिकार [R_L]			+10% -10%
✖ड्रेन रेझिस्टन्सची व्याख्या ट्रान्झिस्टरच्या ड्रेनमधून प्रवाहाच्या प्रवाहाला विरोध करणारा प्रतिकार म्हणून केली जाते.ⓘ निचरा प्रतिकार [R_d]			+10% -10%
✖स्व-प्रेरित प्रतिकार हा FET च्या स्वतःच्या चार्ज वाहकांच्या (इलेक्ट्रॉन किंवा छिद्रांच्या) उपस्थितीमुळे उद्भवणारा अंतर्गत प्रतिकार आहे.ⓘ स्वयंप्रेरित प्रतिकार [R_si]			+10% -10%

✖व्होल्टेज गेन हे अॅम्प्लीफायरद्वारे इलेक्ट्रिकल सिग्नलच्या प्रवर्धनाचे मोजमाप आहे. हे सर्किटच्या इनपुट व्होल्टेजचे आउटपुट व्होल्टेजचे गुणोत्तर आहे, डेसिबल (डीबी) मध्ये व्यक्त केले जाते.ⓘ लहान सिग्नलसाठी व्होल्टेज वाढणे [A_v]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

लहान सिग्नलसाठी व्होल्टेज वाढणे उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

व्होल्टेज वाढणे = (Transconductance*(1/((1/लोड प्रतिकार)+(1/निचरा प्रतिकार))))/(1+(Transconductance*स्वयंप्रेरित प्रतिकार))
A_v = (g_m*(1/((1/R_L)+(1/R_d))))/(1+(g_m*R_si))
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

व्होल्टेज वाढणे - व्होल्टेज गेन हे अॅम्प्लीफायरद्वारे इलेक्ट्रिकल सिग्नलच्या प्रवर्धनाचे मोजमाप आहे. हे सर्किटच्या इनपुट व्होल्टेजचे आउटपुट व्होल्टेजचे गुणोत्तर आहे, डेसिबल (डीबी) मध्ये व्यक्त केले जाते.
Transconductance - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.
लोड प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - लोड प्रतिरोध हे MOSFET च्या ड्रेन टर्मिनल आणि वीज पुरवठा व्होल्टेज दरम्यान जोडलेले बाह्य प्रतिरोध आहे.
निचरा प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - ड्रेन रेझिस्टन्सची व्याख्या ट्रान्झिस्टरच्या ड्रेनमधून प्रवाहाच्या प्रवाहाला विरोध करणारा प्रतिकार म्हणून केली जाते.
स्वयंप्रेरित प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - स्व-प्रेरित प्रतिकार हा FET च्या स्वतःच्या चार्ज वाहकांच्या (इलेक्ट्रॉन किंवा छिद्रांच्या) उपस्थितीमुळे उद्भवणारा अंतर्गत प्रतिकार आहे.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

Transconductance: 0.5 मिलिसीमेन्स --> 0.0005 सीमेन्स (रूपांतरण तपासा येथे)
लोड प्रतिकार: 0.28 किलोहम --> 280 ओहम (रूपांतरण तपासा येथे)
निचरा प्रतिकार: 11 ओहम --> 11 ओहम कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
स्वयंप्रेरित प्रतिकार: 14.3 किलोहम --> 14300 ओहम (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

A_v = (g_m*(1/((1/R_L)+(1/R_d))))/(1+(g_m*R_si)) --> (0.0005*(1/((1/280)+(1/11))))/(1+(0.0005*14300))

मूल्यांकन करत आहे ... ...

A_v = 0.000649336959500769

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.000649336959500769 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

0.000649336959500769 ≈ 0.000649 <-- व्होल्टेज वाढणे

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -