Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET Rekenmachine

✖Lineaire weerstand, de hoeveelheid tegenstand of weerstand is recht evenredig met de hoeveelheid stroom die er doorheen vloeit, zoals beschreven door de wet van Ohm.ⓘ Lineaire weerstand [R_ds]

+10%

-10%

✖De geleidbaarheid van een kanaal wordt meestal gedefinieerd als de verhouding van de stroom die door het kanaal gaat tot de spanning erover.ⓘ Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET [G]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET

Formule

`"G" = 1/"R"_{"ds"}`

Voorbeeld

`"6.024096mS"=1/"0.166kΩ"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Geleiding van kanaal = 1/Lineaire weerstand
G = 1/R_ds
Deze formule gebruikt 2 Variabelen

Variabelen gebruikt

Geleiding van kanaal - (Gemeten in Siemens) - De geleidbaarheid van een kanaal wordt meestal gedefinieerd als de verhouding van de stroom die door het kanaal gaat tot de spanning erover.
Lineaire weerstand - (Gemeten in Ohm) - Lineaire weerstand, de hoeveelheid tegenstand of weerstand is recht evenredig met de hoeveelheid stroom die er doorheen vloeit, zoals beschreven door de wet van Ohm.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Lineaire weerstand: 0.166 Kilohm --> 166 Ohm (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

G = 1/R_ds --> 1/166

Evalueren ... ...

G = 0.00602409638554217

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00602409638554217 Siemens -->6.02409638554217 Millisiemens (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

6.02409638554217 ≈ 6.024096 Millisiemens <-- Geleiding van kanaal

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Weerstand » Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Prahalad Singh

Jaipur Engineering College en Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 10+ rekenmachines!

< 14 Weerstand Rekenmachines

MOSFET als lineaire weerstand gegeven beeldverhouding

Gaan Lineaire weerstand = Kanaallengte/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Effectieve spanning)

Uitgangsweerstand van differentiële versterker

Gaan Uitgangsweerstand = ((Common Mode-ingangssignaal*Transconductantie)-Totale stroom)/(2*Transconductantie*Totale stroom)

Ingangsweerstand van Mosfet

Gaan Ingangsweerstand = Ingangsspanning/(Collectorstroom*Kleine signaalstroomversterking)

Eindige weerstand tussen afvoer en bron

Gaan Eindige weerstand = modulus(Positieve gelijkspanning)/Afvoerstroom

Uitgangsweerstand gegeven transconductantie

Gaan Uitgangsweerstand = 1/(Mobiliteit van vervoerders*Transconductantie)

Ingangsweerstand gegeven transconductantie

Gaan Ingangsweerstand = Kleine signaalstroomversterking/Transconductantie

Elektron gemiddeld vrij pad

Gaan Elektron gemiddeld vrij pad = 1/(Uitgangsweerstand*Afvoerstroom)

Afvoeruitgangsweerstand

Gaan Uitgangsweerstand = 1/(Elektron gemiddeld vrij pad*Afvoerstroom)

Uitgangsweerstand gegeven kanaallengtemodulatie

Gaan Uitgangsweerstand = 1/(Kanaallengtemodulatie*Afvoerstroom)

Spanningsafhankelijke weerstand in MOSFET

Gaan Eindige weerstand = Effectieve spanning/Afvoerstroom

Uitgangsweerstand van Mosfet

Gaan Uitgangsweerstand = Vroege spanning/Collectorstroom

Kleine signaalingangsweerstand

Gaan Ingangsweerstand = Ingangsspanning/Basisstroom

Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET

Gaan Geleiding van kanaal = 1/Lineaire weerstand

MOSFET als lineaire weerstand

Gaan Lineaire weerstand = 1/Geleiding van kanaal

< 15 MOSFET-karakteristieken Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)

Spanningsversterking gegeven Belastingsweerstand van MOSFET

Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*(1/(1/Belastingsweerstand+1/Uitgangsweerstand))/(1+Transconductantie*Bron weerstand)

Overgangsfrequentie van MOSFET

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Maximale spanningsversterking op biaspunt

Gaan Maximale spanningsversterking = 2*(Voedingsspanning-Effectieve spanning)/(Effectieve spanning)

Spanningsversterking met klein signaal

Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*1/(1/Belastingsweerstand+1/Eindige weerstand)

Spanningsversterking gegeven afvoerspanning

Gaan Spanningsversterking = (Afvoerstroom*Belastingsweerstand*2)/Effectieve spanning

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)

Lichaamseffect op transconductantie

Gaan Transconductantie van het lichaam = Verandering in drempel naar basisspanning*Transconductantie

Maximale spanningsversterking bij alle spanningen

Gaan Maximale spanningsversterking = (Voedingsspanning-0.3)/Thermische spanning

Verzadigingsspanning van MOSFET

Gaan Afvoer- en bronverzadigingsspanning = Gate-bronspanning-Drempelspanning

Voorspanning van MOSFET

Gaan Totale momentane biasspanning = DC-voorspanning+Gelijkstroomspanning

Versterkingsfactor in MOSFET-model met klein signaal

Gaan Versterkingsfactor = Transconductantie*Uitgangsweerstand

Transconductantie in MOSFET

Gaan Transconductantie = (2*Afvoerstroom)/Overdrive-spanning

Drempelspanning van MOSFET

Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning

Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET

Gaan Geleiding van kanaal = 1/Lineaire weerstand

Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET Formule

Geleiding van kanaal = 1/Lineaire weerstand
G = 1/R_ds

Is MOSFET een symmetrisch apparaat?

MOSFET is een symmetrisch apparaat, daarom is het antwoord ja. als u echter in uw circuitontwerp uw lichaam aan een van de aansluitingen hebt vastgemaakt, zou u willen dat die aansluiting de bron is.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!