Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET calcolatrice

✖Resistenza lineare, la quantità di opposizione o resistenza è direttamente proporzionale alla quantità di corrente che lo attraversa, come descritto dalla legge di Ohm.ⓘ Resistenza lineare [R_ds]

+10%

-10%

✖La conduttanza del canale è tipicamente definita come il rapporto tra la corrente che passa attraverso il canale e la tensione ai suoi capi.ⓘ Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET [G]

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Formula

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Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET

Formula

`"G" = 1/"R"_{"ds"}`

Esempio

`"6.024096mS"=1/"0.166kΩ"`

Calcolatrice

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Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare
G = 1/R_ds
Questa formula utilizza 2 Variabili

Variabili utilizzate

Conduttanza del canale - (Misurato in Siemens) - La conduttanza del canale è tipicamente definita come il rapporto tra la corrente che passa attraverso il canale e la tensione ai suoi capi.
Resistenza lineare - (Misurato in Ohm) - Resistenza lineare, la quantità di opposizione o resistenza è direttamente proporzionale alla quantità di corrente che lo attraversa, come descritto dalla legge di Ohm.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Resistenza lineare: 0.166 Kilohm --> 166 Ohm (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

G = 1/R_ds --> 1/166

Valutare ... ...

G = 0.00602409638554217

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00602409638554217 Siemens -->6.02409638554217 Millisiemens (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

6.02409638554217 ≈ 6.024096 Millisiemens <-- Conduttanza del canale

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

< 14 Resistenza Calcolatrici

MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto

Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva)

Resistenza di uscita dell'amplificatore differenziale

Partire Resistenza di uscita = ((Segnale di ingresso in modalità comune*Transconduttanza)-Corrente totale)/(2*Transconduttanza*Corrente totale)

Resistenza di ingresso del Mosfet

Partire Resistenza in ingresso = Tensione di ingresso/(Corrente del collettore*Guadagno di corrente per piccoli segnali)

Resistenza finita tra Drain e Source

Partire Resistenza finita = modulus(Tensione continua positiva)/Assorbimento di corrente

Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale

Partire Resistenza di uscita = 1/(Modulazione della lunghezza del canale*Assorbimento di corrente)

Percorso libero medio elettronico

Partire Percorso libero medio elettronico = 1/(Resistenza di uscita*Assorbimento di corrente)

Resistenza uscita scarico

Partire Resistenza di uscita = 1/(Percorso libero medio elettronico*Assorbimento di corrente)

Resistenza di ingresso data la transconduttanza

Partire Resistenza in ingresso = Guadagno di corrente per piccoli segnali/Transconduttanza

Resistenza di uscita data la transconduttanza

Partire Resistenza di uscita = 1/(Mobilità dei vettori*Transconduttanza)

Resistenza di uscita del Mosfet

Partire Resistenza di uscita = Tensione iniziale/Corrente del collettore

Resistenza dipendente dalla tensione nel MOSFET

Partire Resistenza finita = Tensione effettiva/Assorbimento di corrente

Resistenza di ingresso del segnale piccolo

Partire Resistenza in ingresso = Tensione di ingresso/Corrente di base

Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET

Partire Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare

MOSFET come resistenza lineare

Partire Resistenza lineare = 1/Conduttanza del canale

< 15 Caratteristiche del MOSFET Calcolatrici

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Guadagno di tensione data la resistenza di carico del MOSFET

Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*(1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza di uscita))/(1+Transconduttanza*Resistenza alla fonte)

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Guadagno di tensione massimo al punto di polarizzazione

Partire Guadagno di tensione massimo = 2*(Tensione di alimentazione-Tensione effettiva)/(Tensione effettiva)

Guadagno di tensione data la tensione di drain

Partire Guadagno di tensione = (Assorbimento di corrente*Resistenza al carico*2)/Tensione effettiva

Guadagno di tensione usando il segnale piccolo

Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza finita)

Effetto del corpo sulla transconduttanza

Partire Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza

Tensione di polarizzazione del MOSFET

Partire Tensione di polarizzazione istantanea totale = Tensione di polarizzazione CC+Tensione CC

Tensione di saturazione del MOSFET

Partire Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio

Guadagno di tensione massimo dato tutte le tensioni

Partire Guadagno di tensione massimo = (Tensione di alimentazione-0.3)/Tensione termica

Transconduttanza nei MOSFET

Partire Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive

Fattore di amplificazione nel modello MOSFET a piccolo segnale

Partire Fattore di amplificazione = Transconduttanza*Resistenza di uscita

Tensione di soglia del MOSFET

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET

Partire Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare

Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET Formula

Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare
G = 1/R_ds

Il MOSFET è un dispositivo simmetrico?

MOSFET è un dispositivo simmetrico, quindi la risposta è sì. tuttavia, se nel progetto del tuo circuito hai legato il tuo corpo a uno dei terminali, vorresti che quel terminale fosse la sorgente.

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