Проводимость в линейном сопротивлении MOSFET Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Проводимость канала = 1/Линейное сопротивление
G = 1/Rds
В этой формуле используются 2 Переменные
Используемые переменные
Проводимость канала - (Измеряется в Сименс) - Проводимость канала обычно определяется как отношение тока, проходящего через канал, к напряжению на нем.
Линейное сопротивление - (Измеряется в ом) - Линейное сопротивление, величина сопротивления или сопротивления прямо пропорциональна величине тока, протекающего через него, как описано в законе Ома.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Линейное сопротивление: 0.166 килоом --> 166 ом (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
G = 1/Rds --> 1/166
Оценка ... ...
G = 0.00602409638554217
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.00602409638554217 Сименс -->6.02409638554217 Миллисименс (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
6.02409638554217 6.024096 Миллисименс <-- Проводимость канала
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Прахалад Сингх
Джайпурский инженерный колледж и исследовательский центр (JECRC), Джайпур
Прахалад Сингх проверил этот калькулятор и еще 10+!

14 Сопротивление Калькуляторы

МОП-транзистор как линейное сопротивление с учетом соотношения сторон
​ Идти Линейное сопротивление = Длина канала/(Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*ширина канала*Эффективное напряжение)
Выходное сопротивление дифференциального усилителя
​ Идти Выходное сопротивление = ((Синфазный входной сигнал*крутизна)-Общий ток)/(2*крутизна*Общий ток)
Входное сопротивление МОП-транзистора
​ Идти Входное сопротивление = Входное напряжение/(Коллекторный ток*Усиление тока малого сигнала)
Конечное сопротивление между стоком и источником
​ Идти Конечное сопротивление = modulus(Положительное напряжение постоянного тока)/Ток стока
Длина свободного пробега электрона
​ Идти Длина свободного пробега электрона = 1/(Выходное сопротивление*Ток стока)
Выходное сопротивление стока
​ Идти Выходное сопротивление = 1/(Длина свободного пробега электрона*Ток стока)
Выходное сопротивление с учетом крутизны
​ Идти Выходное сопротивление = 1/(Перевозочная мобильность*крутизна)
Выходное сопротивление при модуляции длины канала
​ Идти Выходное сопротивление = 1/(Модуляция длины канала*Ток стока)
Входное сопротивление с учетом крутизны
​ Идти Входное сопротивление = Усиление тока малого сигнала/крутизна
Выходное сопротивление МОП-транзистора
​ Идти Выходное сопротивление = Раннее напряжение/Коллекторный ток
Зависимое от напряжения сопротивление в MOSFET
​ Идти Конечное сопротивление = Эффективное напряжение/Ток стока
Малое входное сопротивление сигнала
​ Идти Входное сопротивление = Входное напряжение/Базовый ток
Проводимость в линейном сопротивлении MOSFET
​ Идти Проводимость канала = 1/Линейное сопротивление
MOSFET как линейное сопротивление
​ Идти Линейное сопротивление = 1/Проводимость канала

15 Характеристики МОП-транзистора Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»
​ Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*ширина канала/Длина канала*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)
Коэффициент усиления по напряжению при заданном сопротивлении нагрузки MOSFET
​ Идти Усиление напряжения = крутизна*(1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Выходное сопротивление))/(1+крутизна*Сопротивление источника)
Частота перехода MOSFET
​ Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
Максимальное усиление напряжения в точке смещения
​ Идти Максимальное усиление напряжения = 2*(Напряжение питания-Эффективное напряжение)/(Эффективное напряжение)
Усиление напряжения с использованием слабого сигнала
​ Идти Усиление напряжения = крутизна*1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Конечное сопротивление)
Усиление напряжения при заданном напряжении стока
​ Идти Усиление напряжения = (Ток стока*Сопротивление нагрузки*2)/Эффективное напряжение
Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET
​ Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)
Напряжение смещения MOSFET
​ Идти Общее мгновенное напряжение смещения = Напряжение смещения постоянного тока+Постоянное напряжение
Влияние тела на транспроводимость
​ Идти Транспроводимость тела = Изменение порогового значения базового напряжения*крутизна
Напряжение насыщения MOSFET
​ Идти Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение
Максимальное усиление напряжения при всех напряжениях
​ Идти Максимальное усиление напряжения = (Напряжение питания-0.3)/Тепловое напряжение
Пороговое напряжение MOSFET
​ Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение
Коэффициент усиления в модели MOSFET с малым сигналом
​ Идти Коэффициент усиления = крутизна*Выходное сопротивление
Крутизна МОП-транзистора
​ Идти крутизна = (2*Ток стока)/Повышенное напряжение
Проводимость в линейном сопротивлении MOSFET
​ Идти Проводимость канала = 1/Линейное сопротивление

Проводимость в линейном сопротивлении MOSFET формула

Проводимость канала = 1/Линейное сопротивление
G = 1/Rds

Является ли MOSFET симметричным устройством?

MOSFET - это симметричное устройство, поэтому ответ - да. однако, если в вашей схеме вы привязали свое тело к одному из выводов, вы захотите, чтобы этот вывод был источником.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!