Kritische frequentie van Mosfet Rekenmachine

✖De kritische frequentie van een MOSFET is de frequentie waarbij de Miller-capaciteit van de MOSFET de circuitprestaties begint te domineren.ⓘ Kritische frequentie [A_p]

+10%

-10%

✖Kritische frequentie in decibels van een MOSFET is de frequentie waarbij de Miller-capaciteit van de MOSFET de circuitprestaties begint te domineren.ⓘ Kritische frequentie van Mosfet [A_p(dB)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Kritische frequentie van Mosfet

Formule

`"A"_{"p(dB)"} = 10*log10("A"_{"p"})`

Voorbeeld

`"6.0206Hz"=10*log10("4Hz")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Kritische frequentie van Mosfet Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Kritische frequentie in decibels = 10*log10(Kritische frequentie)
A_p(dB) = 10*log10(A_p)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 2 Variabelen

Functies die worden gebruikt

log10 - De gewone logaritme, ook bekend als de logaritme met grondtal 10 of de decimale logaritme, is een wiskundige functie die het omgekeerde is van de exponentiële functie., log10(Number)

Variabelen gebruikt

Kritische frequentie in decibels - (Gemeten in Hertz) - Kritische frequentie in decibels van een MOSFET is de frequentie waarbij de Miller-capaciteit van de MOSFET de circuitprestaties begint te domineren.
Kritische frequentie - (Gemeten in Hertz) - De kritische frequentie van een MOSFET is de frequentie waarbij de Miller-capaciteit van de MOSFET de circuitprestaties begint te domineren.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Kritische frequentie: 4 Hertz --> 4 Hertz Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

A_p(dB) = 10*log10(A_p) --> 10*log10(4)

Evalueren ... ...

A_p(dB) = 6.02059991327962

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

6.02059991327962 Hertz --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

6.02059991327962 ≈ 6.0206 Hertz <-- Kritische frequentie in decibels

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Kritische frequentie van Mosfet

Credits

Gemaakt door Suma Madhuri

VIT Universiteit (VIT), Chennai

Suma Madhuri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Ritwik Tripathi

Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 100+ rekenmachines!

< 15 Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET's

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Spanning over Oxide

Overgangsfrequentie van MOSFET

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET

Gaan Elektronenlading in kanaal = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte*Effectieve spanning

Faseverschuiving in uitgangs-RC-circuit

Gaan Faseverschuiving = arctan(Capacitieve reactantie/(Weerstand+Belastingsweerstand))

Lagere kritische frequentie van Mosfet

Gaan Hoekfrequentie = 1/(2*pi*(Weerstand+Ingangsweerstand)*Capaciteit)

Uitgang Miller-capaciteit Mosfet

Gaan Uitgang Miller-capaciteit = Gate-drain-capaciteit*((Spanningsversterking+1)/Spanningsversterking)

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)