Frecuencia crítica de Mosfet Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Frecuencia crítica en decibles = 10*log10(Frecuencia crítica)
Ap(dB) = 10*log10(Ap)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 2 Variables
Funciones utilizadas
log10 - El logaritmo común, también conocido como logaritmo de base 10 o logaritmo decimal, es una función matemática que es la inversa de la función exponencial., log10(Number)
Variables utilizadas
Frecuencia crítica en decibles - (Medido en hercios) - La frecuencia crítica en decibles de un MOSFET es la frecuencia a la que la capacitancia de Miller del MOSFET comienza a dominar el rendimiento del circuito.
Frecuencia crítica - (Medido en hercios) - La frecuencia crítica de un MOSFET es la frecuencia a la que la capacitancia de Miller del MOSFET comienza a dominar el rendimiento del circuito.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Frecuencia crítica: 4 hercios --> 4 hercios No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Ap(dB) = 10*log10(Ap) --> 10*log10(4)
Evaluar ... ...
Ap(dB) = 6.02059991327962
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
6.02059991327962 hercios --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
6.02059991327962 6.0206 hercios <-- Frecuencia crítica en decibles
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

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Creado por Suma Madhuri
Universidad VIT (VIT), Chennai
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Verificada por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore
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15 Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET
​ Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*(Ancho de banda/Longitud del canal)*Voltaje a través de óxido
Frecuencia de transición de MOSFET
​ Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET
​ Vamos Carga de electrones en el canal = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal*Voltaje efectivo
Cambio de fase en el circuito RC de salida
​ Vamos Cambio de fase = arctan(Reactancia capacitiva/(Resistencia+Resistencia de carga))
Mosfet de capacitancia Miller de salida
​ Vamos Capacitancia Miller de salida = Capacitancia de drenaje de puerta*((Ganancia de voltaje+1)/Ganancia de voltaje)
Menor frecuencia crítica de Mosfet
​ Vamos Frecuencia de esquina = 1/(2*pi*(Resistencia+Resistencia de entrada)*Capacidad)
Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET
​ Vamos Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)
Capacitancia de superposición de MOSFET
​ Vamos Capacitancia de superposición = Ancho de banda*Capacitancia de óxido*Longitud de superposición
Capacitancia total entre puerta y canal de MOSFET
​ Vamos Capacitancia del canal de puerta = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal
Frecuencia crítica en el circuito RC de entrada de alta frecuencia
​ Vamos Frecuencia de esquina = 1/(2*pi*Resistencia de entrada*Capacitancia de Miller)
Cambio de fase en el circuito RC de entrada
​ Vamos Cambio de fase = arctan(Reactancia capacitiva/Resistencia de entrada)
Reactancia capacitiva de Mosfet
​ Vamos Reactancia capacitiva = 1/(2*pi*Frecuencia*Capacidad)
Capacitancia Miller de Mosfet
​ Vamos Capacitancia de Miller = Capacitancia de drenaje de puerta*(Ganancia de voltaje+1)
Frecuencia crítica de Mosfet
​ Vamos Frecuencia crítica en decibles = 10*log10(Frecuencia crítica)
Atenuación del circuito RC
​ Vamos Atenuación = Voltaje básico/Voltaje de entrada

Frecuencia crítica de Mosfet Fórmula

Frecuencia crítica en decibles = 10*log10(Frecuencia crítica)
Ap(dB) = 10*log10(Ap)
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