Frequência Crítica do Mosfet Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Frequência Crítica em decibéis = 10*log10(Frequência Crítica)
Ap(dB) = 10*log10(Ap)
Esta fórmula usa 1 Funções, 2 Variáveis
Funções usadas
log10 - O logaritmo comum, também conhecido como logaritmo de base 10 ou logaritmo decimal, é uma função matemática que é o inverso da função exponencial., log10(Number)
Variáveis Usadas
Frequência Crítica em decibéis - (Medido em Hertz) - A frequência crítica em decibéis de um MOSFET é a frequência na qual a capacitância de Miller do MOSFET começa a dominar o desempenho do circuito.
Frequência Crítica - (Medido em Hertz) - A frequência crítica de um MOSFET é a frequência na qual a capacitância de Miller do MOSFET começa a dominar o desempenho do circuito.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Frequência Crítica: 4 Hertz --> 4 Hertz Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Ap(dB) = 10*log10(Ap) --> 10*log10(4)
Avaliando ... ...
Ap(dB) = 6.02059991327962
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
6.02059991327962 Hertz --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
6.02059991327962 6.0206 Hertz <-- Frequência Crítica em decibéis
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por Suma Madhuri
Universidade VIT (VITA), Chennai
Suma Madhuri criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
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Verificado por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnologia de Vellore (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi verificou esta calculadora e mais 100+ calculadoras!

15 Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Condutância do Canal de MOSFETs
​ Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*(Largura de banda/Comprimento do canal)*Tensão através do Óxido
Frequência de Transição do MOSFET
​ Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET
​ Vai Carga do Elétron no Canal = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal*Tensão Efetiva
Frequência crítica mais baixa do Mosfet
​ Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*(Resistência+Resistência de entrada)*Capacitância)
Mudança de fase no circuito RC de saída
​ Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/(Resistência+Resistência de carga))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
​ Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
Capacitância de sobreposição do MOSFET
​ Vai Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição
Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs
​ Vai Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal
Saída Miller Capacitância Mosfet
​ Vai Capacitância Miller de saída = Capacitância Gate-Dreno*((Ganho de tensão+1)/Ganho de tensão)
Frequência crítica em circuito RC de entrada de alta frequência
​ Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*Resistência de entrada*Capacitância de Miller)
Mudança de fase no circuito RC de entrada
​ Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/Resistência de entrada)
Reatância capacitiva do Mosfet
​ Vai Reatância capacitiva = 1/(2*pi*Frequência*Capacitância)
Capacitância de Miller do Mosfet
​ Vai Capacitância de Miller = Capacitância Gate-Dreno*(Ganho de tensão+1)
Frequência Crítica do Mosfet
​ Vai Frequência Crítica em decibéis = 10*log10(Frequência Crítica)
Atenuação do Circuito RC
​ Vai Atenuação = Tensão Base/Tensão de entrada

Frequência Crítica do Mosfet Fórmula

Frequência Crítica em decibéis = 10*log10(Frequência Crítica)
Ap(dB) = 10*log10(Ap)
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