Calcolatrice da A a Z
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Frequenza critica del Mosfet calcolatrice
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Transistor MOS
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✖
La frequenza critica di un MOSFET è la frequenza alla quale la capacità Miller del MOSFET inizia a dominare le prestazioni del circuito.
ⓘ
Frequenza critica [A
p
]
Attohertz
Battiti / min
Centohertz
Ciclo/secondo
Decahertz
Decihertz
Exahertz
Femtohertz
Fotogrammi al secondo
Gigahertz
ettohertz
Hertz
Kilohertz
Megahertz
microhertz
Millihertz
Nanohertz
Petahertz
Picohertz
Rivoluzione al giorno
Rivoluzione all'ora
Rivoluzione al minuto
Rivoluzione al secondo
Terahertz
Yottahertz
Zettahertz
+10%
-10%
✖
La frequenza critica in decible di un MOSFET è la frequenza alla quale la capacità Miller del MOSFET inizia a dominare le prestazioni del circuito.
ⓘ
Frequenza critica del Mosfet [A
p(dB)
]
Attohertz
Battiti / min
Centohertz
Ciclo/secondo
Decahertz
Decihertz
Exahertz
Femtohertz
Fotogrammi al secondo
Gigahertz
ettohertz
Hertz
Kilohertz
Megahertz
microhertz
Millihertz
Nanohertz
Petahertz
Picohertz
Rivoluzione al giorno
Rivoluzione all'ora
Rivoluzione al minuto
Rivoluzione al secondo
Terahertz
Yottahertz
Zettahertz
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Formula
✖
Frequenza critica del Mosfet
Formula
`"A"_{"p(dB)"} = 10*log10("A"_{"p"})`
Esempio
`"6.0206Hz"=10*log10("4Hz")`
Calcolatrice
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Scaricamento MOSFET Formula PDF
Frequenza critica del Mosfet Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Frequenza critica in decible
= 10*
log10
(
Frequenza critica
)
A
p(dB)
= 10*
log10
(
A
p
)
Questa formula utilizza
1
Funzioni
,
2
Variabili
Funzioni utilizzate
log10
- Il logaritmo comune, noto anche come logaritmo in base 10 o logaritmo decimale, è una funzione matematica che è l'inverso della funzione esponenziale., log10(Number)
Variabili utilizzate
Frequenza critica in decible
-
(Misurato in Hertz)
- La frequenza critica in decible di un MOSFET è la frequenza alla quale la capacità Miller del MOSFET inizia a dominare le prestazioni del circuito.
Frequenza critica
-
(Misurato in Hertz)
- La frequenza critica di un MOSFET è la frequenza alla quale la capacità Miller del MOSFET inizia a dominare le prestazioni del circuito.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Frequenza critica:
4 Hertz --> 4 Hertz Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
A
p(dB)
= 10*log10(A
p
) -->
10*
log10
(4)
Valutare ... ...
A
p(dB)
= 6.02059991327962
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
6.02059991327962 Hertz --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
6.02059991327962
≈
6.0206 Hertz
<--
Frequenza critica in decible
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Frequenza critica del Mosfet
Titoli di coda
Creato da
Suma Madhuri
Università VIT
(VIT)
,
Chennai
Suma Madhuri ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verificato da
Ritwik Tripati
Vellore Institute of Technology
(VITVellore)
,
Vellore
Ritwik Tripati ha verificato questa calcolatrice e altre 100+ altre calcolatrici!
<
15 Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici
Conduttanza del canale dei MOSFET
Partire
Conduttanza del canale
=
Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale
*
Capacità dell'ossido
*(
Larghezza del canale
/
Lunghezza del canale
)*
Tensione attraverso l'ossido
Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET
Partire
Carica elettronica nel canale
=
Capacità dell'ossido
*
Larghezza del canale
*
Lunghezza del canale
*
Tensione effettiva
Frequenza di transizione del MOSFET
Partire
Frequenza di transizione
=
Transconduttanza
/(2*
pi
*(
Capacità del gate della sorgente
+
Capacità di gate-drain
))
Frequenza critica inferiore del Mosfet
Partire
Frequenza d'angolo
= 1/(2*
pi
*(
Resistenza
+
Resistenza in ingresso
)*
Capacità
)
Sfasamento nel circuito RC di uscita
Partire
Sfasamento
=
arctan
(
Reattanza capacitiva
/(
Resistenza
+
Resistenza al carico
))
Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET
Partire
Larghezza del canale
=
Capacità di sovrapposizione
/(
Capacità dell'ossido
*
Lunghezza di sovrapposizione
)
Capacità di sovrapposizione del MOSFET
Partire
Capacità di sovrapposizione
=
Larghezza del canale
*
Capacità dell'ossido
*
Lunghezza di sovrapposizione
Mosfet di capacità Miller di uscita
Partire
Capacità Miller di uscita
=
Capacità di gate-drain
*((
Guadagno di tensione
+1)/
Guadagno di tensione
)
Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET
Partire
Capacità del canale di gate
=
Capacità dell'ossido
*
Larghezza del canale
*
Lunghezza del canale
Frequenza critica nel circuito RC di ingresso ad alta frequenza
Partire
Frequenza d'angolo
= 1/(2*
pi
*
Resistenza in ingresso
*
Capacità di Miller
)
Sfasamento nel circuito RC di ingresso
Partire
Sfasamento
=
arctan
(
Reattanza capacitiva
/
Resistenza in ingresso
)
Reattanza capacitiva del Mosfet
Partire
Reattanza capacitiva
= 1/(2*
pi
*
Frequenza
*
Capacità
)
Capacità Miller del Mosfet
Partire
Capacità di Miller
=
Capacità di gate-drain
*(
Guadagno di tensione
+1)
Frequenza critica del Mosfet
Partire
Frequenza critica in decible
= 10*
log10
(
Frequenza critica
)
Attenuazione del circuito RC
Partire
Attenuazione
=
Tensione di base
/
Tensione di ingresso
Frequenza critica del Mosfet Formula
Frequenza critica in decible
= 10*
log10
(
Frequenza critica
)
A
p(dB)
= 10*
log10
(
A
p
)
Casa
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