Gęstość prądu spowodowana otworami Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Charakterystyka nośnika ładunku

Charakterystyka diody

Charakterystyka półprzewodników

Parametry elektrostatyczne

Parametry pracy tranzystora

✖Koncentracja otworów odnosi się do całkowitej liczby otworów obecnych w danym obszarze.ⓘ Koncentracja dziur [N_p]			+10% -10%
✖Ruchliwość dziur to zdolność dziury do poruszania się w metalu lub półprzewodniku w obecności przyłożonego pola elektrycznego.ⓘ Ruchliwość otworów [μ_p]			+10% -10%
✖Natężenie pola elektrycznego odnosi się do siły na jednostkę ładunku, której doświadczają naładowane cząstki (takie jak elektrony lub dziury) w materiale.ⓘ Natężenie pola elektrycznego [E]			+10% -10%

✖Gęstość prądu w otworach definiuje się jako ilość prądu elektrycznego przepływającego przez otwory na jednostkę powierzchni przekroju poprzecznego. Nazywa się to gęstością prądu i wyraża się w amperach na metr kwadratowy.ⓘ Gęstość prądu spowodowana otworami [J_p]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Gęstość prądu spowodowana otworami

Formuła

`"J"_{"p"} = "[Charge-e]"*"N"_{"p"}*"μ"_{"p"}*"E"`

Przykład

`"1.647678A/m²"="[Charge-e]"*"2e16/m³"*"150m²/V*s"*"3.428V/m"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka nośnika ładunku Formuły PDF PDF Image

Gęstość prądu spowodowana otworami Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Gęstość prądu otworów = [Charge-e]*Koncentracja dziur*Ruchliwość otworów*Natężenie pola elektrycznego
J_p = [Charge-e]*N_p*μ_p*E
Ta formuła używa 1 Stałe, 4 Zmienne

Używane stałe

[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19

Używane zmienne

Gęstość prądu otworów - (Mierzone w Amper na metr kwadratowy) - Gęstość prądu w otworach definiuje się jako ilość prądu elektrycznego przepływającego przez otwory na jednostkę powierzchni przekroju poprzecznego. Nazywa się to gęstością prądu i wyraża się w amperach na metr kwadratowy.
Koncentracja dziur - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Koncentracja otworów odnosi się do całkowitej liczby otworów obecnych w danym obszarze.
Ruchliwość otworów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość dziur to zdolność dziury do poruszania się w metalu lub półprzewodniku w obecności przyłożonego pola elektrycznego.
Natężenie pola elektrycznego - (Mierzone w Wolt na metr) - Natężenie pola elektrycznego odnosi się do siły na jednostkę ładunku, której doświadczają naładowane cząstki (takie jak elektrony lub dziury) w materiale.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Koncentracja dziur: 2E+16 1 na metr sześcienny --> 2E+16 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Ruchliwość otworów: 150 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 150 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Natężenie pola elektrycznego: 3.428 Wolt na metr --> 3.428 Wolt na metr Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

J_p = [Charge-e]*N_p*μ_p*E --> [Charge-e]*2E+16*150*3.428

Ocenianie ... ...

J_p = 1.647678436008

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.647678436008 Amper na metr kwadratowy --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.647678436008 ≈ 1.647678 Amper na metr kwadratowy <-- Gęstość prądu otworów

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » EDC » Charakterystyka nośnika ładunku » Gęstość prądu spowodowana otworami

Kredyty

Stworzone przez Akshada Kulkarni

Narodowy Instytut Informatyki (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni utworzył ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indie

Team Softusvista zweryfikował ten kalkulator i 1100+ więcej kalkulatorów!

< 16 Charakterystyka nośnika ładunku Kalkulatory

Koncentracja wewnętrzna

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Gęstość efektywna w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość w paśmie przewodnictwa)*e^((-Zależność pasma energetycznego od temperatury)/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Elektrostatyczna czułość odchylenia CRT

Iść Czułość odchylenia elektrostatycznego = (Odległość między płytami odchylającymi*Ekran i odległość płyt odchylających)/(2*Odchylenie wiązki*Prędkość elektronów)

Gęstość prądu spowodowana elektronami

Iść Gęstość prądu elektronowego = [Charge-e]*Koncentracja elektronów*Ruchliwość elektronów*Natężenie pola elektrycznego

Gęstość prądu spowodowana otworami

Iść Gęstość prądu otworów = [Charge-e]*Koncentracja dziur*Ruchliwość otworów*Natężenie pola elektrycznego

Stała dyfuzji elektronów

Iść Stała dyfuzji elektronów = Ruchliwość elektronów*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Siła działająca na element prądu w polu magnetycznym

Iść Siła = Bieżący element*Gęstość strumienia magnetycznego*sin(Kąt między płaszczyznami)

Koncentracja nośnika samoistnego w warunkach nierównowagowych

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Koncentracja większości nośników*Koncentracja przewoźników mniejszościowych)

Stała dyfuzji otworów

Iść Stała dyfuzji otworów = Ruchliwość otworów*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Prędkość elektronu

Iść Prędkość związana z napięciem = sqrt((2*[Charge-e]*Napięcie)/[Mass-e])

Okres czasu elektronu

Iść Okres kołowej ścieżki cząstki = (2*3.14*[Mass-e])/(Siła pola magnetycznego*[Charge-e])

Długość rozproszenia otworu

Iść Długość dyfuzji otworów = sqrt(Stała dyfuzji otworów*Żywotność nośnika otworów)

Przewodnictwo w metalach

Iść Przewodność = Koncentracja elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów

Prędkość elektronu w polach siłowych

Iść Prędkość elektronu w polach siłowych = Natężenie pola elektrycznego/Siła pola magnetycznego

Napięcie termiczne

Iść Napięcie termiczne = [BoltZ]*Temperatura/[Charge-e]

Napięcie termiczne przy użyciu równania Einsteina

Iść Napięcie termiczne = Stała dyfuzji elektronów/Ruchliwość elektronów

Gęstość prądu konwekcyjnego

Iść Gęstość prądu konwekcyjnego = Gęstość ładunku*Prędkość ładowania

Gęstość prądu spowodowana otworami Formułę

Gęstość prądu otworów = [Charge-e]*Koncentracja dziur*Ruchliwość otworów*Natężenie pola elektrycznego
J_p = [Charge-e]*N_p*μ_p*E

Czym różni się gęstość prądu w dziurach od gęstości prądu w elektronach?

W półprzewodnikach prąd płynie nie tylko z powodu elektronów, ale jest wynikiem dryfu elektronów, a także dziur. Ruch dziur jest zawsze przeciwny do ruchu odpowiadających im elektronów. Otwory wpływają na prąd w kierunku ich ruchu, podczas gdy elektrony wpływają na prąd przeciwny do ich kierunku ruchu. Stąd oba prądy będą zmierzać w tym samym kierunku. Elektrony biorące udział w wytwarzaniu prądu w półprzewodniku przemieszczają się przez pasmo przewodzenia, podczas gdy dziury powodujące prąd w półprzewodniku przemieszczają się przez pasmo walencyjne. Dlatego ruchliwość elektronów i dziur jest różna w półprzewodniku.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!