Elektronenconcentratie onder onevenwichtige omstandigheden Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Opto-elektronica-apparaten Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Apparaten met optische componenten Fotonica-apparaten Lasers

✖Intrinsieke elektronenconcentratie is de nr. van ladingsdragers in een halfgeleider wanneer deze zich in thermisch evenwicht bevindt.ⓘ Intrinsieke elektronenconcentratie [n_i]			+10% -10%
✖Quasi Fermi-niveau van elektronen is het effectieve energieniveau voor elektronen in een niet-evenwichtstoestand. Het vertegenwoordigt de energie tot welke elektronen worden bevolkt.ⓘ Quasi Fermi-niveau van elektronen [F_n]			+10% -10%
✖Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders verwijst naar het energieniveau dat geassocieerd wordt met elektronen bij afwezigheid van onzuiverheden of externe invloeden.ⓘ Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders [E_i]			+10% -10%
✖Absolute temperatuur vertegenwoordigt de temperatuur van het systeem.ⓘ Absolute temperatuur [T]			+10% -10%

✖Elektronenconcentratie verwijst naar het aantal elektronen per volume-eenheid in een halfgeleider onder niet-evenwichtsomstandigheden.ⓘ Elektronenconcentratie onder onevenwichtige omstandigheden [n_e]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Apparaten met optische componenten Formules Pdf PDF Image

Elektronenconcentratie onder onevenwichtige omstandigheden Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Elektronenconcentratie = Intrinsieke elektronenconcentratie*exp((Quasi Fermi-niveau van elektronen-Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))
n_e = n_i*exp((F_n-E_i)/([BoltZ]*T))
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 1 Functies, 5 Variabelen

Gebruikte constanten

[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23

Functies die worden gebruikt

exp - In een exponentiële functie verandert de waarde van de functie met een constante factor voor elke eenheidsverandering in de onafhankelijke variabele., exp(Number)

Variabelen gebruikt

Elektronenconcentratie - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Elektronenconcentratie verwijst naar het aantal elektronen per volume-eenheid in een halfgeleider onder niet-evenwichtsomstandigheden.
Intrinsieke elektronenconcentratie - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Intrinsieke elektronenconcentratie is de nr. van ladingsdragers in een halfgeleider wanneer deze zich in thermisch evenwicht bevindt.
Quasi Fermi-niveau van elektronen - (Gemeten in Joule) - Quasi Fermi-niveau van elektronen is het effectieve energieniveau voor elektronen in een niet-evenwichtstoestand. Het vertegenwoordigt de energie tot welke elektronen worden bevolkt.
Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders - (Gemeten in Joule) - Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders verwijst naar het energieniveau dat geassocieerd wordt met elektronen bij afwezigheid van onzuiverheden of externe invloeden.
Absolute temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Absolute temperatuur vertegenwoordigt de temperatuur van het systeem.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Intrinsieke elektronenconcentratie: 3.6 Elektronen per kubieke meter --> 3.6 Elektronen per kubieke meter Geen conversie vereist
Quasi Fermi-niveau van elektronen: 3.7 Electron-volt --> 5.92805612100003E-19 Joule (Bekijk de conversie hier)
Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders: 3.78 Electron-volt --> 6.05623030740003E-19 Joule (Bekijk de conversie hier)
Absolute temperatuur: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

n_e = n_i*exp((F_n-E_i)/([BoltZ]*T)) --> 3.6*exp((5.92805612100003E-19-6.05623030740003E-19)/([BoltZ]*393))

Evalueren ... ...

n_e = 0.33915064947035

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.33915064947035 Elektronen per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.33915064947035 ≈ 0.339151 Elektronen per kubieke meter <-- Elektronenconcentratie

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Opto-elektronica-apparaten » Apparaten met optische componenten » Elektronenconcentratie onder onevenwichtige omstandigheden

Credits

Gemaakt door Gowthaman N

Vellore Instituut voor Technologie (VIT Universiteit), Chennai

Gowthaman N heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< Apparaten met optische componenten Rekenmachines

Stroom door optisch gegenereerde draaggolf

LaTeX Gaan Optische stroom = Aanval*PN-verbindingsgebied*Optische generatiesnelheid*(Overgangsbreedte+Verspreidingslengte van het overgangsgebied+Lengte van P-zijverbinding)

Brewsters hoek

LaTeX Gaan Brewsters Hoek = arctan(Brekingsindex van medium 1/Brekingsindex)

Rotatiehoek van het polarisatievlak

LaTeX Gaan Hoek van rotatie = 1.8*Magnetische fluxdichtheid*Lengte van gemiddeld

Apex-hoek

LaTeX Gaan Tophoek = tan(Alfa)

Bekijk meer >>

Elektronenconcentratie onder onevenwichtige omstandigheden Formule

LaTeX Gaan

Waarom is Fermi Level cruciaal bij het beschrijven van niet-evenwichtige elektronenconcentraties in halfgeleiders?

Het quasi-Fermi-niveau weerspiegelt de effectieve energie waarbij elektronen worden bevolkt in een niet-evenwicht. In de formule beïnvloedt het de exponentiële term, waarbij afwijkingen van het thermisch evenwicht worden vastgelegd en de impact van energieniveaus op de elektronenconcentratie wordt geïllustreerd.

English Spanish French German Russian Italian Portuguese Polish

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!