Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET Rekenmachine

✖Overlapcapaciteit verwijst naar de capaciteit die ontstaat tussen twee geleidende gebieden die zich dicht bij elkaar bevinden, maar niet rechtstreeks met elkaar verbonden zijn.ⓘ Overlapcapaciteit [C_oc]			+10% -10%
✖Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.ⓘ Oxidecapaciteit [C_ox]			+10% -10%
✖Overlappingslengte is de gemiddelde afstand die de overtollige vervoerders kunnen afleggen voordat ze opnieuw worden gecombineerd.ⓘ Overlappingslengte [L_ov]			+10% -10%

✖Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).ⓘ Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET [W_c]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Formule

`"W"_{"c"} = "C"_{"oc"}/("C"_{"ox"}*"L"_{"ov"})`

Voorbeeld

`"9.957028μm"="3.8e-7μF"/("940μF"*"40.6μm")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Kanaalbreedte - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).
Overlapcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Overlapcapaciteit verwijst naar de capaciteit die ontstaat tussen twee geleidende gebieden die zich dicht bij elkaar bevinden, maar niet rechtstreeks met elkaar verbonden zijn.
Oxidecapaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.
Overlappingslengte - (Gemeten in Meter) - Overlappingslengte is de gemiddelde afstand die de overtollige vervoerders kunnen afleggen voordat ze opnieuw worden gecombineerd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Overlapcapaciteit: 3.8E-07 Microfarad --> 3.8E-13 Farad (Bekijk de conversie hier)
Oxidecapaciteit: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Bekijk de conversie hier)
Overlappingslengte: 40.6 Micrometer --> 4.06E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

W_c = C_oc/(C_ox*L_ov) --> 3.8E-13/(0.00094*4.06E-05)

Evalueren ... ...

W_c = 9.95702756524473E-06

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

9.95702756524473E-06 Meter -->9.95702756524473 Micrometer (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

9.95702756524473 ≈ 9.957028 Micrometer <-- Kanaalbreedte

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Anshika Arya

Nationaal Instituut voor Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 2500+ rekenmachines!

< 15 Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET's

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Spanning over Oxide

Overgangsfrequentie van MOSFET

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET

Gaan Elektronenlading in kanaal = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte*Effectieve spanning

Faseverschuiving in uitgangs-RC-circuit

Gaan Faseverschuiving = arctan(Capacitieve reactantie/(Weerstand+Belastingsweerstand))

Lagere kritische frequentie van Mosfet

Gaan Hoekfrequentie = 1/(2*pi*(Weerstand+Ingangsweerstand)*Capaciteit)

Uitgang Miller-capaciteit Mosfet

Gaan Uitgang Miller-capaciteit = Gate-drain-capaciteit*((Spanningsversterking+1)/Spanningsversterking)

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)

Totale capaciteit tussen poort en kanaal van MOSFET's

Gaan Gate Channel-capaciteit = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte

Overlapcapaciteit van MOSFET

Gaan Overlapcapaciteit = Kanaalbreedte*Oxidecapaciteit*Overlappingslengte

Faseverschuiving in ingangs-RC-circuit

Gaan Faseverschuiving = arctan(Capacitieve reactantie/Ingangsweerstand)

Kritieke frequentie in RC-circuit met hoge frequentie-ingang

Gaan Hoekfrequentie = 1/(2*pi*Ingangsweerstand*Miller-capaciteit)

Capacitieve reactantie van Mosfet

Gaan Capacitieve reactantie = 1/(2*pi*Frequentie*Capaciteit)

Miller-capaciteit van Mosfet

Gaan Miller-capaciteit = Gate-drain-capaciteit*(Spanningsversterking+1)

Kritische frequentie van Mosfet

Gaan Kritische frequentie in decibels = 10*log10(Kritische frequentie)

Verzwakking van RC-circuit

Gaan Verzwakking = Basisspanning/Ingangsspanning

< 15 MOSFET-karakteristieken Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)

Spanningsversterking gegeven Belastingsweerstand van MOSFET

Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*(1/(1/Belastingsweerstand+1/Uitgangsweerstand))/(1+Transconductantie*Bron weerstand)

Overgangsfrequentie van MOSFET

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Maximale spanningsversterking op biaspunt

Gaan Maximale spanningsversterking = 2*(Voedingsspanning-Effectieve spanning)/(Effectieve spanning)

Spanningsversterking met klein signaal

Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*1/(1/Belastingsweerstand+1/Eindige weerstand)

Spanningsversterking gegeven afvoerspanning

Gaan Spanningsversterking = (Afvoerstroom*Belastingsweerstand*2)/Effectieve spanning

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)

Lichaamseffect op transconductantie

Gaan Transconductantie van het lichaam = Verandering in drempel naar basisspanning*Transconductantie

Maximale spanningsversterking bij alle spanningen

Gaan Maximale spanningsversterking = (Voedingsspanning-0.3)/Thermische spanning

Verzadigingsspanning van MOSFET

Gaan Afvoer- en bronverzadigingsspanning = Gate-bronspanning-Drempelspanning

Voorspanning van MOSFET

Gaan Totale momentane biasspanning = DC-voorspanning+Gelijkstroomspanning

Versterkingsfactor in MOSFET-model met klein signaal

Gaan Versterkingsfactor = Transconductantie*Uitgangsweerstand

Transconductantie in MOSFET

Gaan Transconductantie = (2*Afvoerstroom)/Overdrive-spanning

Drempelspanning van MOSFET

Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning

Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET

Gaan Geleiding van kanaal = 1/Lineaire weerstand

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET Formule

Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)

Wat is MOSFET en hoe werkt het?

Over het algemeen werkt de MOSFET als een schakelaar, de MOSFET regelt de spanning en stroom tussen de source en drain. De werking van de MOSFET hangt af van de MOS-condensator, het halfgeleideroppervlak onder de oxidelagen tussen de source- en drain-aansluiting.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!