Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET Калькулятор

✖Емкость перекрытия — это емкость, которая возникает между двумя проводящими областями, расположенными в непосредственной близости друг от друга, но не связанными напрямую.ⓘ Емкость перекрытия [C_oc]			+10% -10%
✖Оксидная емкость — важный параметр, влияющий на производительность МОП-устройств, например, на скорость и энергопотребление интегральных схем.ⓘ Оксидная емкость [C_ox]			+10% -10%
✖Длина перекрытия — это среднее расстояние, которое лишние несущие могут преодолеть, прежде чем они воссоединятся.ⓘ Длина перекрытия [L_ov]			+10% -10%

✖Ширина канала относится к диапазону частот, используемых для передачи данных по каналу беспроводной связи. Она также известна как полоса пропускания и измеряется в герцах (Гц).ⓘ Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET [W_c]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET

Формула

`"W"_{"c"} = "C"_{"oc"}/("C"_{"ox"}*"L"_{"ov"})`

Пример

`"9.957028μm"="3.8e-7μF"/("940μF"*"40.6μm")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

ширина канала - (Измеряется в метр) - Ширина канала относится к диапазону частот, используемых для передачи данных по каналу беспроводной связи. Она также известна как полоса пропускания и измеряется в герцах (Гц).
Емкость перекрытия - (Измеряется в фарада) - Емкость перекрытия — это емкость, которая возникает между двумя проводящими областями, расположенными в непосредственной близости друг от друга, но не связанными напрямую.
Оксидная емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость — важный параметр, влияющий на производительность МОП-устройств, например, на скорость и энергопотребление интегральных схем.
Длина перекрытия - (Измеряется в метр) - Длина перекрытия — это среднее расстояние, которое лишние несущие могут преодолеть, прежде чем они воссоединятся.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Емкость перекрытия: 3.8E-07 Микрофарад --> 3.8E-13 фарада (Проверьте преобразование здесь)
Оксидная емкость: 940 Микрофарад --> 0.00094 фарада (Проверьте преобразование здесь)
Длина перекрытия: 40.6 микрометр --> 4.06E-05 метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

W_c = C_oc/(C_ox*L_ov) --> 3.8E-13/(0.00094*4.06E-05)

Оценка ... ...

W_c = 9.95702756524473E-06

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

9.95702756524473E-06 метр -->9.95702756524473 микрометр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

9.95702756524473 ≈ 9.957028 микрометр <-- ширина канала

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель » Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Аншика Арья

Национальный Технологический Институт (NIT), Хамирпур

Аншика Арья проверил этот калькулятор и еще 2500+!

< 15 Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзисторов

Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*(ширина канала/Длина канала)*Напряжение на оксиде

Фазовый сдвиг в выходной RC-цепи

Идти Сдвиг фазы = arctan(Емкостное реактивное сопротивление/(Сопротивление+Сопротивление нагрузки))

Величина электронного заряда в канале MOSFET

Идти Заряд электрона в канале = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала*Эффективное напряжение

Частота перехода MOSFET

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Нижняя критическая частота МОП-транзистора

Идти Угловая частота = 1/(2*pi*(Сопротивление+Входное сопротивление)*Емкость)

Выходная емкость МОП-транзистора Миллера

Идти Выходная емкость Миллера = Емкость затвор-сток*((Усиление напряжения+1)/Усиление напряжения)

Фазовый сдвиг во входной RC-цепи

Идти Сдвиг фазы = arctan(Емкостное реактивное сопротивление/Входное сопротивление)

Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET

Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)

Суммарная емкость между затвором и каналом MOSFET

Идти Емкость канала затвора = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала

Емкость перекрытия MOSFET

Идти Емкость перекрытия = ширина канала*Оксидная емкость*Длина перекрытия

Критическая частота в RC-цепи высокочастотного входа

Идти Угловая частота = 1/(2*pi*Входное сопротивление*Емкость Миллера)

Емкостное реактивное сопротивление МОП-транзистора

Идти Емкостное реактивное сопротивление = 1/(2*pi*Частота*Емкость)

Критическая частота Мосфета

Идти Критическая частота в дециблях = 10*log10(Критическая частота)

Миллер Емкость МОП-транзистора

Идти Емкость Миллера = Емкость затвор-сток*(Усиление напряжения+1)

Ослабление RC-цепи

Идти Затухание = Базовое напряжение/Входное напряжение

< 15 Характеристики МОП-транзистора Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»

Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*ширина канала/Длина канала*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Коэффициент усиления по напряжению при заданном сопротивлении нагрузки MOSFET

Идти Усиление напряжения = крутизна*(1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Выходное сопротивление))/(1+крутизна*Сопротивление источника)

Частота перехода MOSFET

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Максимальное усиление напряжения в точке смещения

Идти Максимальное усиление напряжения = 2*(Напряжение питания-Эффективное напряжение)/(Эффективное напряжение)

Усиление напряжения с использованием слабого сигнала

Идти Усиление напряжения = крутизна*1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Конечное сопротивление)

Усиление напряжения при заданном напряжении стока

Идти Усиление напряжения = (Ток стока*Сопротивление нагрузки*2)/Эффективное напряжение

Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET

Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)

Напряжение смещения MOSFET

Идти Общее мгновенное напряжение смещения = Напряжение смещения постоянного тока+Постоянное напряжение

Влияние тела на транспроводимость

Идти Транспроводимость тела = Изменение порогового значения базового напряжения*крутизна

Напряжение насыщения MOSFET

Идти Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение

Максимальное усиление напряжения при всех напряжениях

Идти Максимальное усиление напряжения = (Напряжение питания-0.3)/Тепловое напряжение

Пороговое напряжение MOSFET

Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение

Коэффициент усиления в модели MOSFET с малым сигналом

Идти Коэффициент усиления = крутизна*Выходное сопротивление

Крутизна МОП-транзистора

Идти крутизна = (2*Ток стока)/Повышенное напряжение

Проводимость в линейном сопротивлении MOSFET

Идти Проводимость канала = 1/Линейное сопротивление

Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET формула

ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)

Что такое MOSFET и как он работает?

В общем, полевой МОП-транзистор работает как переключатель, а МОП-транзистор управляет потоком напряжения и тока между истоком и стоком. Работа полевого МОП-транзистора зависит от МОП-конденсатора, который представляет собой поверхность полупроводника под оксидными слоями между выводами истока и стока.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!