Inversion Layer Charge bij Pinch-Off-conditie in PMOS Rekenmachine

✖Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.ⓘ Oxide capaciteit [C_ox]			+10% -10%
✖De spanning tussen poort en bron van een veldeffecttransistor (FET) staat bekend als de poort-bronspanning (VGS). Het is een belangrijke parameter die de werking van de FET beïnvloedt.ⓘ Spanning tussen poort en bron [V_GS]			+10% -10%
✖Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.ⓘ Drempelspanning [V_T]			+10% -10%
✖De spanning tussen drain en source is een sleutelparameter in de werking van een veldeffecttransistor (FET) en wordt vaak de "drain-source voltage" of VDS genoemd.ⓘ Spanning tussen afvoer en bron [V_DS]			+10% -10%

✖Inversielaaglading verwijst naar de accumulatie van ladingsdragers op het grensvlak tussen de halfgeleider en de isolerende oxidelaag wanneer een spanning wordt aangelegd op de poortelektrode.ⓘ Inversion Layer Charge bij Pinch-Off-conditie in PMOS [Q_p]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Inversion Layer Charge bij Pinch-Off-conditie in PMOS

Formule

`"Q"_{"p"} = -"C"_{"ox"}*("V"_{"GS"}-"V"_{"T"}-"V"_{"DS"})`

Voorbeeld

`"0.000232C/m²"=-"0.0008F"*("2.86V"-"0.7V"-"2.45V")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Inversion Layer Charge bij Pinch-Off-conditie in PMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Inversielaaglading = -Oxide capaciteit*(Spanning tussen poort en bron-Drempelspanning-Spanning tussen afvoer en bron)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Inversielaaglading - (Gemeten in Coulomb per vierkante meter) - Inversielaaglading verwijst naar de accumulatie van ladingsdragers op het grensvlak tussen de halfgeleider en de isolerende oxidelaag wanneer een spanning wordt aangelegd op de poortelektrode.
Oxide capaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.
Spanning tussen poort en bron - (Gemeten in Volt) - De spanning tussen poort en bron van een veldeffecttransistor (FET) staat bekend als de poort-bronspanning (VGS). Het is een belangrijke parameter die de werking van de FET beïnvloedt.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.
Spanning tussen afvoer en bron - (Gemeten in Volt) - De spanning tussen drain en source is een sleutelparameter in de werking van een veldeffecttransistor (FET) en wordt vaak de "drain-source voltage" of VDS genoemd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Oxide capaciteit: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Geen conversie vereist
Spanning tussen poort en bron: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Geen conversie vereist
Spanning tussen afvoer en bron: 2.45 Volt --> 2.45 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS) --> -0.0008*(2.86-0.7-2.45)

Evalueren ... ...

Q_p = 0.000232

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.000232 Coulomb per vierkante meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.000232 Coulomb per vierkante meter <-- Inversielaaglading

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » P-Channel-verbetering » Inversion Layer Charge bij Pinch-Off-conditie in PMOS

Credits

Gemaakt door Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR INSTITUUT VOOR TECHNOLOGIE (GTBIT), NIEUW DELHI

Aman Dhussawat heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 14 P-Channel-verbetering Rekenmachines

Totale afvoerstroom van PMOS-transistor

Gaan Afvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2*(1+Spanning tussen afvoer en bron/modulus(Vroege spanning))

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor

Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*((Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))*Spanning tussen afvoer en bron-1/2*(Spanning tussen afvoer en bron)^2)

Lichaamseffect bij PMOS

Gaan Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor gegeven Vsd

Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(modulus(Effectieve spanning)-1/2*Spanning tussen afvoer en bron)*Spanning tussen afvoer en bron

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2

Afvoerstroom van bron naar afvoer

Gaan Afvoerstroom = (Breedte van de kruising*Inversielaaglading*Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal)

Backgate-effectparameter in PMOS

Gaan Backgate-effectparameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Donor concentratie)/Oxide capaciteit

Inversion Layer Charge bij Pinch-Off-conditie in PMOS

Gaan Inversielaaglading = -Oxide capaciteit*(Spanning tussen poort en bron-Drempelspanning-Spanning tussen afvoer en bron)

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2

Stroom in inversiekanaal van PMOS

Gaan Afvoerstroom = (Breedte van de kruising*Inversielaaglading*Driftsnelheid van inversie)

Inversielaaglading in PMOS

Gaan Inversielaaglading = -Oxide capaciteit*(Spanning tussen poort en bron-Drempelspanning)

Stroom in inversiekanaal van PMOS gegeven mobiliteit

Gaan Driftsnelheid van inversie = Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal

Overdrive-spanning van PMOS

Gaan Effectieve spanning = Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning)

Procestransconductantieparameter van PMOS

Gaan Procestransconductantieparameter in PMOS = Mobiliteit van gaten in kanaal*Oxide capaciteit

Inversion Layer Charge bij Pinch-Off-conditie in PMOS Formule

Inversielaaglading = -Oxide capaciteit*(Spanning tussen poort en bron-Drempelspanning-Spanning tussen afvoer en bron)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!