Charge de la couche d'inversion à la condition de pincement dans PMOS Calculatrice

Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil-Tension entre drain et source)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS)
Cette formule utilise 5 Variables
Charge de couche d'inversion - (Mesuré en Coulomb au mètre carré) - La charge de la couche d'inversion fait référence à l'accumulation de porteurs de charge à l'interface entre le semi-conducteur et la couche d'oxyde isolante lorsqu'une tension est appliquée à l'électrode de grille.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.
Tension entre la porte et la source - (Mesuré en Volt) - La tension entre grille et source d'un transistor à effet de champ (FET) est appelée tension grille-source (VGS). C'est un paramètre important qui affecte le fonctionnement du FET.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.
Tension entre drain et source - (Mesuré en Volt) - La tension entre le drain et la source est un paramètre clé dans le fonctionnement d'un transistor à effet de champ (FET) et est souvent appelée « tension drain-source » ou VDS.

(Calcul effectué en 00.004 secondes)