Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS Calculadora

✖A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.ⓘ Capacitância de Óxido [C_ox]			+10% -10%
✖A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.ⓘ Tensão entre Gate e Source [V_GS]			+10% -10%
✖A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.ⓘ Tensão de limiar [V_T]			+10% -10%
✖A tensão entre o dreno e a fonte é um parâmetro chave na operação de um transistor de efeito de campo (FET) e é frequentemente chamada de "tensão dreno-fonte" ou VDS.ⓘ Tensão entre Dreno e Fonte [V_DS]			+10% -10%

✖A carga da camada de inversão refere-se ao acúmulo de portadores de carga na interface entre o semicondutor e a camada de óxido isolante quando uma tensão é aplicada ao eletrodo de porta.ⓘ Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS [Q_p]

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Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS

Fórmula

`"Q"_{"p"} = -"C"_{"ox"}*("V"_{"GS"}-"V"_{"T"}-"V"_{"DS"})`

Exemplo

`"0.000232C/m²"=-"0.0008F"*("2.86V"-"0.7V"-"2.45V")`

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Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS)
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Cobrança da Camada de Inversão - (Medido em Coulomb por metro quadrado) - A carga da camada de inversão refere-se ao acúmulo de portadores de carga na interface entre o semicondutor e a camada de óxido isolante quando uma tensão é aplicada ao eletrodo de porta.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.
Tensão entre Gate e Source - (Medido em Volt) - A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
Tensão entre Dreno e Fonte - (Medido em Volt) - A tensão entre o dreno e a fonte é um parâmetro chave na operação de um transistor de efeito de campo (FET) e é frequentemente chamada de "tensão dreno-fonte" ou VDS.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância de Óxido: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Nenhuma conversão necessária
Tensão entre Gate e Source: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão entre Dreno e Fonte: 2.45 Volt --> 2.45 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS) --> -0.0008*(2.86-0.7-2.45)

Avaliando ... ...

Q_p = 0.000232

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.000232 Coulomb por metro quadrado --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.000232 Coulomb por metro quadrado <-- Cobrança da Camada de Inversão

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Aman Dhussawat

INSTITUTO DE TECNOLOGIA GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NOVA DELHI

Aman Dhussawat criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

< 14 Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)

Efeito corporal em PMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte

Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2

Parâmetro de efeito Backgate em PMOS

Vai Parâmetro do Efeito Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido

Corrente de dreno da fonte para o dreno

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal)

Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte)

Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

Corrente no canal de inversão do PMOS

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Velocidade de deriva da inversão)

Carga da Camada de Inversão em PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar)

Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade

Vai Velocidade de deriva da inversão = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal

Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido

Tensão Overdrive do PMOS

Vai Tensão efetiva = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar)

Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS Fórmula

Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS)

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