Junction Current Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)
ij = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ig)
Deze formule gebruikt 6 Variabelen
Variabelen gebruikt
Verbindingsstroom - (Gemeten in Ampère) - Junctiestroom is junctielekkage door source/drain-diffusies.
Statische kracht - (Gemeten in Watt) - Statisch vermogen wordt gedefinieerd als de lekstroom als gevolg van het zeer lage statische energieverbruik in CMOS-apparaten.
Basiscollectorspanning - (Gemeten in Volt) - Basiscollectorspanning is een cruciale parameter bij de transistorvoorspanning. Het verwijst naar het spanningsverschil tussen de basis- en collectoraansluitingen van de transistor wanneer deze zich in zijn actieve toestand bevindt.
Subdrempelstroom - (Gemeten in Ampère) - Subdrempelstroom is lekkage onder de drempelwaarde via UIT-transistoren.
Betwisting actueel - (Gemeten in Ampère) - Conflictstroom wordt gedefinieerd als de conflictstroom die optreedt in de verhoudingscircuits.
Poortstroom - (Gemeten in Ampère) - Gate Current wordt gedefinieerd als wanneer er geen spanning is tussen de gate- en source-aansluitingen, er geen stroom in de drain vloeit, behalve lekstroom, vanwege een zeer hoge drain-source-impedantie.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Statische kracht: 0.37 Watt --> 0.37 Watt Geen conversie vereist
Basiscollectorspanning: 2.22 Volt --> 2.22 Volt Geen conversie vereist
Subdrempelstroom: 1.6 milliampère --> 0.0016 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
Betwisting actueel: 25.75 milliampère --> 0.02575 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
Poortstroom: 4.5 milliampère --> 0.0045 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
ij = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ig) --> (0.37/2.22)-(0.0016+0.02575+0.0045)
Evalueren ... ...
ij = 0.134816666666667
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.134816666666667 Ampère -->134.816666666667 milliampère (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
134.816666666667 134.8167 milliampère <-- Verbindingsstroom
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI
​ Gaan Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied = -(1-((Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron+Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer)/(2*Kanaallengte)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))
Lichaamseffectcoëfficiënt
​ Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))
Verbinding Ingebouwde spanning VLSI
​ Gaan Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)
PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI
​ Gaan Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))
Totale bronparasitaire capaciteit
​ Gaan Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)
Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI
​ Gaan Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning
Junction Current
​ Gaan Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)
Oppervlakte Potentieel
​ Gaan Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)
DIBL-coëfficiënt
​ Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel
Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt
​ Gaan Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning
Subdrempel Helling
​ Gaan Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)
Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit
​ Gaan Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)
Gate-oxidecapaciteit
​ Gaan Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)
Poortcapaciteit
​ Gaan Poortcapaciteit = Kanaalkosten/(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)
Drempelspanning
​ Gaan Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)
Kanaallading
​ Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)
Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI
​ Gaan Oxidecapaciteit na volledige schaling = Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Schaalfactor
Kritieke spanning
​ Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte
Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI
​ Gaan Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor
Intrinsieke poortcapaciteit
​ Gaan MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte
Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI
​ Gaan Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor
Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI
​ Gaan Kanaalbreedte na volledige schaling = Kanaalbreedte/Schaalfactor
Kanaallengte na volledige schaling VLSI
​ Gaan Kanaallengte na volledige schaling = Kanaallengte/Schaalfactor
Mobiliteit in Mosfet
​ Gaan Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer
K-Prime
​ Gaan K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer

Junction Current Formule

Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)
ij = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ig)

Is MOSFET een apparaat voor stroomcontrole?

De MOSFET is, net als de FET, een spanningsgestuurd apparaat. Een spanningsingang naar de poort regelt de stroom van bron naar afvoer. De poort trekt geen continue stroom.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!