Verbindungsstrom Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Kreuzungsstrom = (Statische Leistung/Basiskollektorspannung)-(Strom unterhalb des Schwellenwerts+Konflikt aktuell+Gate-Strom)
ij = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ig)
Diese formel verwendet 6 Variablen
Verwendete Variablen
Kreuzungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sperrschichtstrom ist ein Sperrschichtleckstrom aus Source/Drain-Diffusionen.
Statische Leistung - (Gemessen in Watt) - Statische Leistung ist definiert als der Leckstrom aufgrund des sehr geringen statischen Stromverbrauchs in CMOS-Geräten.
Basiskollektorspannung - (Gemessen in Volt) - Die Basiskollektorspannung ist ein entscheidender Parameter bei der Vorspannung von Transistoren. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Basis- und Kollektoranschlüssen des Transistors, wenn dieser sich im aktiven Zustand befindet.
Strom unterhalb des Schwellenwerts - (Gemessen in Ampere) - Der Sub-Threshold-Strom ist ein Leck unterhalb des Schwellenwerts durch AUS-Transistoren.
Konflikt aktuell - (Gemessen in Ampere) - Der Konkurrenzstrom ist definiert als der Konkurrenzstrom, der in den proportionalen Schaltkreisen auftritt.
Gate-Strom - (Gemessen in Ampere) - Als Gate-Strom wird definiert, wenn zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen keine Spannung anliegt und aufgrund der sehr hohen Drain-Source-Impedanz außer dem Leckstrom kein Strom im Drain fließt.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Statische Leistung: 0.37 Watt --> 0.37 Watt Keine Konvertierung erforderlich
Basiskollektorspannung: 2.22 Volt --> 2.22 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Strom unterhalb des Schwellenwerts: 1.6 Milliampere --> 0.0016 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Konflikt aktuell: 25.75 Milliampere --> 0.02575 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gate-Strom: 4.5 Milliampere --> 0.0045 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
ij = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ig) --> (0.37/2.22)-(0.0016+0.02575+0.0045)
Auswerten ... ...
ij = 0.134816666666667
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.134816666666667 Ampere -->134.816666666667 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
134.816666666667 134.8167 Milliampere <-- Kreuzungsstrom
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

25 VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).
​ Gehen Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region = -(1-((Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle+Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss)/(2*Kanallänge)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Akzeptorkonzentration*abs(2*Oberflächenpotential))
Body-Effect-Koeffizient
​ Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))
Anschluss integrierte Spannung VLSI
​ Gehen Eingebaute Anschlussspannung = ([BoltZ]*Temperatur/[Charge-e])*ln(Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration/(Intrinsische Konzentration)^2)
PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI
​ Gehen Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Eingebaute Anschlussspannung)/([Charge-e]*Akzeptorkonzentration))
Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle
​ Gehen Quelle Parasitäre Kapazität = (Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle*Bereich der Quellendiffusion)+(Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand*Seitenwandumfang der Quellendiffusion)
Verbindungsstrom
​ Gehen Kreuzungsstrom = (Statische Leistung/Basiskollektorspannung)-(Strom unterhalb des Schwellenwerts+Konflikt aktuell+Gate-Strom)
Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI
​ Gehen Kurzkanal-Sättigungsstrom = Kanalbreite*Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit*Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Sättigungs-Drain-Quellenspannung
Oberflächenpotential
​ Gehen Oberflächenpotential = 2*Potenzialdifferenz des Quellkörpers*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration)
Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung von VLSI
​ Gehen Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung = Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Steilheit unter der Schwelle
​ Gehen Unterschwellenneigung = Potenzialdifferenz des Quellkörpers*DIBL-Koeffizient*ln(10)
DIBL-Koeffizient
​ Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial
Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt
​ Gehen Schwellenspannung DIBL = DIBL-Koeffizient*Drain-to-Source-Potenzial+Grenzspannung
Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung von VLSI
​ Gehen Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung = Verbindungstiefe/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI
​ Gehen Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung = Gate-Oxiddicke/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Gate-Länge unter Verwendung der Gate-Oxid-Kapazität
​ Gehen Torlänge = Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Torbreite)
Gate-Oxid-Kapazität
​ Gehen Kapazität der Gate-Oxidschicht = Gate-Kapazität/(Torbreite*Torlänge)
Gate-Kapazität
​ Gehen Gate-Kapazität = Kanalgebühr/(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)
Grenzspannung
​ Gehen Grenzspannung = Gate-zu-Kanal-Spannung-(Kanalgebühr/Gate-Kapazität)
Kanalladung
​ Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)
Kanalbreite nach vollständiger Skalierung von VLSI
​ Gehen Kanalbreite nach vollständiger Skalierung = Kanalbreite/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Kanallänge nach vollständiger Skalierung VLSI
​ Gehen Kanallänge nach vollständiger Skalierung = Kanallänge/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Kritische Spannung
​ Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge
Eigene Gate-Kapazität
​ Gehen MOS-Gate-Überlappungskapazität = MOS-Gate-Kapazität*Übergangsbreite
Mobilität in Mosfet
​ Gehen Mobilität im MOSFET = K Prime/Kapazität der Gate-Oxidschicht
K-Prime
​ Gehen K Prime = Mobilität im MOSFET*Kapazität der Gate-Oxidschicht

Verbindungsstrom Formel

Kreuzungsstrom = (Statische Leistung/Basiskollektorspannung)-(Strom unterhalb des Schwellenwerts+Konflikt aktuell+Gate-Strom)
ij = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ig)

Ist der MOSFET ein Stromregelgerät?

Der MOSFET ist wie der FET ein spannungsgesteuertes Gerät. Ein Spannungseingang am Gate steuert den Stromfluss von Source zu Drain. Das Gate zieht keinen Dauerstrom.

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