Optische generatiesnelheid Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

✖Excess Carrier Concentration is een extra elektron dat aanwezig is in de carrierconcentratie.ⓘ Overmatige dragerconcentratie [δ_n]			+10% -10%
✖Recombinatie Levensduur de gemiddelde tijd die een overtollige minderheidsdrager nodig heeft om te recombineren.ⓘ Levensduur recombinatie [τ_n]			+10% -10%

✖Optische generatiesnelheid het aantal elektronen dat op elk punt in het apparaat wordt gegenereerd als gevolg van de absorptie van fotonen.ⓘ Optische generatiesnelheid [g_op]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Optische generatiesnelheid

Formule

`"g"_{"op"} = "δ"_{"n"}/"τ"_{"n"}`

Voorbeeld

`"2.9E^19"="1.049e14/m³"/"3.62e-6s"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Energieband Formules Pdf PDF Image

Optische generatiesnelheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Optische generatiesnelheid = Overmatige dragerconcentratie/Levensduur recombinatie
g_op = δ_n/τ_n
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Optische generatiesnelheid - Optische generatiesnelheid het aantal elektronen dat op elk punt in het apparaat wordt gegenereerd als gevolg van de absorptie van fotonen.
Overmatige dragerconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Excess Carrier Concentration is een extra elektron dat aanwezig is in de carrierconcentratie.
Levensduur recombinatie - (Gemeten in Seconde) - Recombinatie Levensduur de gemiddelde tijd die een overtollige minderheidsdrager nodig heeft om te recombineren.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Overmatige dragerconcentratie: 104900000000000 1 per kubieke meter --> 104900000000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Levensduur recombinatie: 3.62E-06 Seconde --> 3.62E-06 Seconde Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

g_op = δ_n/τ_n --> 104900000000000/3.62E-06

Evalueren ... ...

g_op = 2.89779005524862E+19

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.89779005524862E+19 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.89779005524862E+19 ≈ 2.9E+19 <-- Optische generatiesnelheid

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » Energieband » Optische generatiesnelheid

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 20 Energieband Rekenmachines

Intrinsieke dragerconcentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve staatsdichtheid in valentieband*Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband)*exp(-Energie kloof/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Levensduur van de drager

Gaan Levensduur vervoerder = 1/(Evenredigheid voor recombinatie*(Gaten Concentratie in Valance Band+Elektronenconcentratie in geleidingsband))

Energie van Electron gegeven Coulomb's Constante

Gaan Energie van Electron = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potentiële putlengte^2)

Constante elektronenconcentratie

Gaan Steady State Carrier-concentratie = Elektronenconcentratie in geleidingsband+Overmatige dragerconcentratie

Distributiecoëfficiënt

Gaan Verdelingscoëfficiënt = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof

Vloeistofconcentratie

Gaan Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Verdelingscoëfficiënt

Concentratie in geleidingsband

Gaan Elektronenconcentratie in geleidingsband = Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband*Fermi-functie

Effectieve staatsdichtheid

Gaan Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Fermi-functie

Fermi-functie

Gaan Fermi-functie = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

Effectieve dichtheidstoestand in valentieband

Gaan Effectieve staatsdichtheid in valentieband = Gaten Concentratie in Valance Band/(1-Fermi-functie)

Concentratie van gaten in de valentieband

Gaan Gaten Concentratie in Valance Band = Effectieve staatsdichtheid in valentieband*(1-Fermi-functie)

Recombinatielevensduur

Gaan Levensduur recombinatie = (Evenredigheid voor recombinatie*Gaten Concentratie in Valance Band)^-1

Netto veranderingssnelheid in geleidingsband

Gaan Evenredigheid voor recombinatie = Thermische generatie/(Intrinsieke dragerconcentratie^2)

Thermische generatiesnelheid

Gaan Thermische generatie = Evenredigheid voor recombinatie*(Intrinsieke dragerconcentratie^2)

Overmatige dragerconcentratie

Gaan Overmatige dragerconcentratie = Optische generatiesnelheid*Levensduur recombinatie

Optische generatiesnelheid

Gaan Optische generatiesnelheid = Overmatige dragerconcentratie/Levensduur recombinatie

Foto-elektronen energie

Gaan Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht

Geleidingsband energie

Gaan Geleidingsband energie = Energie kloof+Valentieband energie

Valentieband energie

Gaan Valentieband energie = Geleidingsband energie-Energie kloof

Energiekloof

Gaan Energie kloof = Geleidingsband energie-Valentieband energie

Optische generatiesnelheid Formule

Optische generatiesnelheid = Overmatige dragerconcentratie/Levensduur recombinatie
g_op = δ_n/τ_n

Wat is het Quasi-Fermi-niveau?

Een quasi Fermi-niveau is een term die in de kwantummechanica en vooral in de vaste-stoffysica wordt gebruikt voor het Fermi-niveau dat de populatie van elektronen afzonderlijk beschrijft in de geleidingsband en de valentieband, wanneer hun populaties uit evenwicht worden verplaatst.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!