Velocità di generazione ottica calcolatrice

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✖L'eccesso di concentrazione di portatori è extra di elettroni presenti nella concentrazione di portatori.ⓘ Concentrazione in eccesso di portatori [δ_n]			+10% -10%
✖Recombination Lifetime il tempo medio impiegato da un portatore minoritario in eccesso per ricombinarsi.ⓘ Ricombinazione a vita [τ_n]			+10% -10%

✖Velocità di generazione ottica il numero di elettroni generati in ogni punto del dispositivo a causa dell'assorbimento di fotoni.ⓘ Velocità di generazione ottica [g_op]

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Formula

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Velocità di generazione ottica

Formula

`"g"_{"op"} = "δ"_{"n"}/"τ"_{"n"}`

Esempio

`"2.9E^19"="1.049e14/m³"/"3.62e-6s"`

Calcolatrice

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Velocità di generazione ottica Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Velocità di generazione ottica = Concentrazione in eccesso di portatori/Ricombinazione a vita
g_op = δ_n/τ_n
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Velocità di generazione ottica - Velocità di generazione ottica il numero di elettroni generati in ogni punto del dispositivo a causa dell'assorbimento di fotoni.
Concentrazione in eccesso di portatori - (Misurato in 1 per metro cubo) - L'eccesso di concentrazione di portatori è extra di elettroni presenti nella concentrazione di portatori.
Ricombinazione a vita - (Misurato in Secondo) - Recombination Lifetime il tempo medio impiegato da un portatore minoritario in eccesso per ricombinarsi.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione in eccesso di portatori: 104900000000000 1 per metro cubo --> 104900000000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Ricombinazione a vita: 3.62E-06 Secondo --> 3.62E-06 Secondo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

g_op = δ_n/τ_n --> 104900000000000/3.62E-06

Valutare ... ...

g_op = 2.89779005524862E+19

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

2.89779005524862E+19 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

2.89779005524862E+19 ≈ 2.9E+19 <-- Velocità di generazione ottica

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 20 Banda Energetica Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))

Concentrazione di elettroni in stato stazionario

Partire Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori

Energia dell'elettrone data la costante di Coulomb

Partire Energia dell'elettrone = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Lunghezza potenziale del pozzo^2)

Concentrazione in banda di conduzione

Partire Concentrazione elettronica in banda di conduzione = Densità di stato effettiva in banda di conduzione*Funzione di Fermi

Densità effettiva di stato

Partire Densità di stato effettiva in banda di conduzione = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Funzione di Fermi

Funzione di Fermi

Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione

Concentrazione dei buchi nella banda di valenza

Partire Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)

Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza

Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)

Ricombinazione a vita

Partire Ricombinazione a vita = (Proporzionalità per la ricombinazione*Concentrazione dei buchi nella banda di Valance)^-1

Coefficiente di distribuzione

Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido

Concentrazione liquida

Partire Concentrazione di impurità nel liquido = Concentrazione di impurità nel solido/Coefficiente di distribuzione

Tasso netto di variazione della banda di conduzione

Partire Proporzionalità per la ricombinazione = Generazione termica/(Concentrazione portante intrinseca^2)

Tasso di generazione termica

Partire Generazione termica = Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione portante intrinseca^2)

Eccessiva concentrazione del vettore

Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita

Velocità di generazione ottica

Partire Velocità di generazione ottica = Concentrazione in eccesso di portatori/Ricombinazione a vita

Energia della banda di conduzione

Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza

Energia della banda di valenza

Partire Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico

Divario energetico

Partire Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza

Energia fotoelettronica

Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Velocità di generazione ottica Formula

Velocità di generazione ottica = Concentrazione in eccesso di portatori/Ricombinazione a vita
g_op = δ_n/τ_n

Cos'è il livello Quasi-Fermi?

Un livello quasi di Fermi è un termine usato nella meccanica quantistica e specialmente nella fisica dello stato solido per il livello di Fermi che descrive la popolazione di elettroni separatamente nella banda di conduzione e nella banda di valenza, quando le loro popolazioni sono spostate dall'equilibrio.

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