Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie

Analoog VLSI-ontwerp

✖Vermogensdichtheid MOSFET wordt gedefinieerd als een maatstaf voor het uitgangsvermogen per oppervlakte-eenheid. Het kwantificeert hoeveel stroom er binnen een bepaalde ruimte wordt verdeeld.ⓘ MOSFET met vermogensdichtheid [P_D]			+10% -10%
✖De schaalfactor wordt gedefinieerd als de verhouding waarmee de afmetingen van de transistor tijdens het ontwerpproces worden gewijzigd.ⓘ Schaalfactor [Sf]			+10% -10%

✖Vermogensdichtheid na spanningsschaling wordt gedefinieerd als een maatstaf voor het geleverde vermogen per oppervlakte-eenheid. Het kwantificeert de stroomverdeling binnen een bepaalde ruimte wanneer MOSFET wordt verkleind door middel van de spanningsschaalmethode.ⓘ Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI [P_D']

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI

Formule

`("P"_{"D"}"'") = "P"_{"D"}*("Sf")^3`

Voorbeeld

`"67.5"="20"*("1.5")^3`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Vermogensdichtheid na spanningsschaling = MOSFET met vermogensdichtheid*(Schaalfactor)^3
P_D' = P_D*(Sf)^3
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Vermogensdichtheid na spanningsschaling - Vermogensdichtheid na spanningsschaling wordt gedefinieerd als een maatstaf voor het geleverde vermogen per oppervlakte-eenheid. Het kwantificeert de stroomverdeling binnen een bepaalde ruimte wanneer MOSFET wordt verkleind door middel van de spanningsschaalmethode.
MOSFET met vermogensdichtheid - Vermogensdichtheid MOSFET wordt gedefinieerd als een maatstaf voor het uitgangsvermogen per oppervlakte-eenheid. Het kwantificeert hoeveel stroom er binnen een bepaalde ruimte wordt verdeeld.
Schaalfactor - De schaalfactor wordt gedefinieerd als de verhouding waarmee de afmetingen van de transistor tijdens het ontwerpproces worden gewijzigd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

MOSFET met vermogensdichtheid: 20 --> Geen conversie vereist
Schaalfactor: 1.5 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

P_D' = P_D*(Sf)^3 --> 20*(1.5)^3

Evalueren ... ...

P_D' = 67.5

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

67.5 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

67.5 <-- Vermogensdichtheid na spanningsschaling

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI

Credits

Gemaakt door Prijanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad

Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI

Gaan Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied = -(1-((Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron+Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer)/(2*Kanaallengte)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))

Lichaamseffectcoëfficiënt

Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

Verbinding Ingebouwde spanning VLSI

Gaan Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)

PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI

Gaan Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))

Totale bronparasitaire capaciteit

Gaan Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)

Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI

Gaan Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning

Junction Current

Gaan Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)

Oppervlakte Potentieel

Gaan Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)

DIBL-coëfficiënt

Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt

Gaan Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning

Subdrempel Helling

Gaan Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)

Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit

Gaan Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)

Gate-oxidecapaciteit

Gaan Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)

Poortcapaciteit

Gaan Poortcapaciteit = Kanaalkosten/(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Drempelspanning

Gaan Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)

Kanaallading

Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI

Gaan Oxidecapaciteit na volledige schaling = Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Schaalfactor

Kritieke spanning

Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI

Gaan Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor

Intrinsieke poortcapaciteit

Gaan MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte

Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI

Gaan Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor

Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaalbreedte na volledige schaling = Kanaalbreedte/Schaalfactor

Kanaallengte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaallengte na volledige schaling = Kanaallengte/Schaalfactor

Mobiliteit in Mosfet

Gaan Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer

K-Prime

Gaan K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer

Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI Formule

Vermogensdichtheid na spanningsschaling = MOSFET met vermogensdichtheid*(Schaalfactor)^3
P_D' = P_D*(Sf)^3

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!