Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Leistungsdichte nach Spannungsskalierung = Leistungsdichte-MOSFET*(Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor)^3
PD' = PD*(Sf)^3
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Leistungsdichte nach Spannungsskalierung - Die Leistungsdichte nach Spannungsskalierung ist als Maß für die Leistungsabgabe pro Flächeneinheit definiert. Es quantifiziert die Leistungsverteilung innerhalb eines bestimmten Raums, wenn der MOSFET durch die Spannungsskalierungsmethode verkleinert wird.
Leistungsdichte-MOSFET - Die Leistungsdichte eines MOSFET ist als Maß für die Leistungsabgabe pro Flächeneinheit definiert. Es quantifiziert, wie viel Energie in einem bestimmten Raum verteilt ist.
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor - Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Leistungsdichte-MOSFET: 20 --> Keine Konvertierung erforderlich
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor: 1.5 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
PD' = PD*(Sf)^3 --> 20*(1.5)^3
Auswerten ... ...
PD' = 67.5
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
67.5 --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
67.5 <-- Leistungsdichte nach Spannungsskalierung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Priyanka Patel LinkedIn Logo
Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Santhosh Yadav LinkedIn Logo
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Body-Effect-Koeffizient
​ LaTeX ​ Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))
DIBL-Koeffizient
​ LaTeX ​ Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial
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Kritische Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI Formel

​LaTeX ​Gehen
Leistungsdichte nach Spannungsskalierung = Leistungsdichte-MOSFET*(Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor)^3
PD' = PD*(Sf)^3
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