Verzadigingsstroom met behulp van dopingconcentratie Rekenmachine

✖Het dwarsdoorsnedegebied van de basis-emitterovergang is de breedte in de richting loodrecht op de pagina.ⓘ Dwarsdoorsnede van basis-emitterovergang [A_E]			+10% -10%
✖Elektronendiffusiviteit is de diffusiestroom is een stroom in een halfgeleider die wordt veroorzaakt door de diffusie van ladingsdragers (gaten en/of elektronen).ⓘ Diffusiviteit van elektronen [D_n]			+10% -10%
✖Intrinsieke dragerconcentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.ⓘ Intrinsieke dragerconcentratie [n_i1]			+10% -10%
✖Breedte van de basisovergang is de parameter die aangeeft hoe breed de basisovergang is van elk analoog elektronisch element.ⓘ Breedte van basisverbinding [W_base]			+10% -10%
✖De dopingconcentratie van base is het aantal onzuiverheden dat aan de base is toegevoegd.ⓘ Dopingconcentratie van base [N_B]			+10% -10%

✖Verzadigingsstroom is de diodelekstroomdichtheid bij afwezigheid van licht. Het is een belangrijke parameter die de ene diode van de andere onderscheidt.ⓘ Verzadigingsstroom met behulp van dopingconcentratie [I_sat]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Verzadigingsstroom met behulp van dopingconcentratie

Formule

`"I"_{"sat"} = ("A"_{"E"}*"[Charge-e]"*"D"_{"n"}*("n"_{"i1"})^2)/("W"_{"base"}*"N"_{"B"})`

Voorbeeld

`"2.7E^-12mA"=("8cm²"*"[Charge-e]"*"0.8cm²/s"*("1E5/m³")^2)/("0.002m"*"19/m³")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden BJT Formule Pdf PDF Image

Verzadigingsstroom met behulp van dopingconcentratie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verzadigingsstroom = (Dwarsdoorsnede van basis-emitterovergang*[Charge-e]*Diffusiviteit van elektronen*(Intrinsieke dragerconcentratie)^2)/(Breedte van basisverbinding*Dopingconcentratie van base)
I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 6 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Variabelen gebruikt

Verzadigingsstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsstroom is de diodelekstroomdichtheid bij afwezigheid van licht. Het is een belangrijke parameter die de ene diode van de andere onderscheidt.
Dwarsdoorsnede van basis-emitterovergang - (Gemeten in Plein Meter) - Het dwarsdoorsnedegebied van de basis-emitterovergang is de breedte in de richting loodrecht op de pagina.
Diffusiviteit van elektronen - (Gemeten in Vierkante meter per seconde) - Elektronendiffusiviteit is de diffusiestroom is een stroom in een halfgeleider die wordt veroorzaakt door de diffusie van ladingsdragers (gaten en/of elektronen).
Intrinsieke dragerconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke dragerconcentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Breedte van basisverbinding - (Gemeten in Meter) - Breedte van de basisovergang is de parameter die aangeeft hoe breed de basisovergang is van elk analoog elektronisch element.
Dopingconcentratie van base - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - De dopingconcentratie van base is het aantal onzuiverheden dat aan de base is toegevoegd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Dwarsdoorsnede van basis-emitterovergang: 8 Plein Centimeter --> 0.0008 Plein Meter (Bekijk de conversie hier)
Diffusiviteit van elektronen: 0.8 Vierkante centimeter per seconde --> 8E-05 Vierkante meter per seconde (Bekijk de conversie hier)
Intrinsieke dragerconcentratie: 100000 1 per kubieke meter --> 100000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Breedte van basisverbinding: 0.002 Meter --> 0.002 Meter Geen conversie vereist
Dopingconcentratie van base: 19 1 per kubieke meter --> 19 1 per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B) --> (0.0008*[Charge-e]*8E-05*(100000)^2)/(0.002*19)

Evalueren ... ...

I_sat = 2.69840272842105E-15

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.69840272842105E-15 Ampère -->2.69840272842105E-12 milliampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.69840272842105E-12 ≈ 2.7E-12 milliampère <-- Verzadigingsstroom

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » BJT » Analoge elektronica » Huidig » Basisstroom » Verzadigingsstroom met behulp van dopingconcentratie

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 14 Basisstroom Rekenmachines

Basisstroom met verzadigingsstroom in DC

Gaan Basisstroom = (Verzadigingsstroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter)*e^(Basiscollectorspanning/Thermische spanning)+Verzadiging Dampdruk*e^(Basiscollectorspanning/Thermische spanning)

Verzadigingsstroom met behulp van dopingconcentratie

Gaan Verzadigingsstroom = (Dwarsdoorsnede van basis-emitterovergang*[Charge-e]*Diffusiviteit van elektronen*(Intrinsieke dragerconcentratie)^2)/(Breedte van basisverbinding*Dopingconcentratie van base)

Kortsluitstroomwinst van BJT

Gaan Kortsluitstroomversterking = (Common-Emitter stroomversterking bij lage frequentie)/(1+Complexe frequentievariabele*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)*Ingangsweerstand)

Afvoerstroom gegeven apparaatparameter:

Gaan Afvoerstroom = 1/2*Transconductantie*Beeldverhouding*(Effectieve spanning-Drempelspanning)^2*(1+Apparaatparameter*Spanning tussen afvoer en bron)

Basisstroom 2 van BJT

Gaan Basisstroom = (Verzadigingsstroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter)*(e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning))

Basisstroom van PNP-transistor met behulp van verzadigingsstroom

Gaan Basisstroom = (Verzadigingsstroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter)*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)

Referentiestroom van BJT-spiegel

Gaan Referentiestroom = Collector Stroom+(2*Collector Stroom)/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter

Referentiestroom van BJT Current Mirror

Gaan Referentiestroom = (Voedingsspanning-Basis-emitterspanning)/Weerstand

Referentiestroom van BJT-spiegel gegeven collectorstroom

Gaan Referentiestroom = Collector Stroom*(1+2/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter)

Basisstroom van PNP-transistor gegeven emitterstroom

Gaan Basisstroom = Zender Stroom/(Stroomversterking gemeenschappelijke emitter+1)

Basisstroom van PNP-transistor met behulp van collectorstroom

Gaan Basisstroom = Collector Stroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter

Basisstroom 1 van BJT

Gaan Basisstroom = Collector Stroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter

Basisstroom van PNP-transistor met Common-Base Current Gain

Gaan Basisstroom = (1-Common-Base stroomversterking)*Zender Stroom

Totale basisstroom

Gaan Basisstroom = Basisstroom 1+Basisstroom 2

Verzadigingsstroom met behulp van dopingconcentratie Formule

Wat is verzadigingsstroom in transistor?

De transistor wordt zo voorgespannen dat de maximale hoeveelheid basisstroom wordt toegepast, wat resulteert in een maximale collectorstroom, wat resulteert in de minimale spanningsval van de collector-emitter, wat resulteert in een zo klein mogelijke uitputtingslaag en een maximale stroom die door de transistor vloeit. Daarom wordt de transistor "Volledig AAN" geschakeld. Dan kunnen we het "verzadigingsgebied" of "AAN-modus" definiëren wanneer een bipolaire transistor als schakelaar wordt gebruikt als zijnde, beide juncties voorwaarts voorgespannen, VB> 0,7 V en IC = Maximum. Voor een PNP-transistor moet de emitterpotentiaal positief zijn ten opzichte van de basis.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!