Prąd nasycenia przy użyciu stężenia dopingu Kalkulator

✖Pole przekroju złącza baza-emiter to szerokość w kierunku prostopadłym do strony.ⓘ Powierzchnia przekroju poprzecznego złącza baza-emiter [A_E]			+10% -10%
✖Dyfuzyjność elektronów to prąd dyfuzyjny to prąd w półprzewodniku spowodowany dyfuzją nośników ładunku (dziur i/lub elektronów).ⓘ Dyfuzyjność elektronów [D_n]			+10% -10%
✖Koncentracja nośnika wewnętrznego to liczba elektronów w paśmie przewodnictwa lub liczba dziur w paśmie walencyjnym w materiale wewnętrznym.ⓘ Wewnętrzne stężenie nośnika [n_i1]			+10% -10%
✖Szerokość złącza bazowego jest parametrem, który określa, jak szerokie jest złącze bazowe dowolnego analogowego elementu elektronicznego.ⓘ Szerokość złącza podstawowego [W_base]			+10% -10%
✖Stężenie domieszkowania zasady to liczba zanieczyszczeń dodanych do bazy.ⓘ Doping Stężenie zasady [N_B]			+10% -10%

✖Prąd nasycenia to gęstość prądu upływu diody przy braku światła. Jest to ważny parametr odróżniający jedną diodę od drugiej.ⓘ Prąd nasycenia przy użyciu stężenia dopingu [I_sat]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd nasycenia przy użyciu stężenia dopingu

Formuła

`"I"_{"sat"} = ("A"_{"E"}*"[Charge-e]"*"D"_{"n"}*("n"_{"i1"})^2)/("W"_{"base"}*"N"_{"B"})`

Przykład

`"2.7E^-12mA"=("8cm²"*"[Charge-e]"*"0.8cm²/s"*("1E5/m³")^2)/("0.002m"*"19/m³")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać BJT Formułę PDF PDF Image

Prąd nasycenia przy użyciu stężenia dopingu Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd nasycenia = (Powierzchnia przekroju poprzecznego złącza baza-emiter*[Charge-e]*Dyfuzyjność elektronów*(Wewnętrzne stężenie nośnika)^2)/(Szerokość złącza podstawowego*Doping Stężenie zasady)
I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B)
Ta formuła używa 1 Stałe, 6 Zmienne

Używane stałe

[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19

Używane zmienne

Prąd nasycenia - (Mierzone w Amper) - Prąd nasycenia to gęstość prądu upływu diody przy braku światła. Jest to ważny parametr odróżniający jedną diodę od drugiej.
Powierzchnia przekroju poprzecznego złącza baza-emiter - (Mierzone w Metr Kwadratowy) - Pole przekroju złącza baza-emiter to szerokość w kierunku prostopadłym do strony.
Dyfuzyjność elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na sekundę) - Dyfuzyjność elektronów to prąd dyfuzyjny to prąd w półprzewodniku spowodowany dyfuzją nośników ładunku (dziur i/lub elektronów).
Wewnętrzne stężenie nośnika - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Koncentracja nośnika wewnętrznego to liczba elektronów w paśmie przewodnictwa lub liczba dziur w paśmie walencyjnym w materiale wewnętrznym.
Szerokość złącza podstawowego - (Mierzone w Metr) - Szerokość złącza bazowego jest parametrem, który określa, jak szerokie jest złącze bazowe dowolnego analogowego elementu elektronicznego.
Doping Stężenie zasady - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie domieszkowania zasady to liczba zanieczyszczeń dodanych do bazy.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Powierzchnia przekroju poprzecznego złącza baza-emiter: 8 Centymetr Kwadratowy --> 0.0008 Metr Kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)
Dyfuzyjność elektronów: 0.8 Centymetr kwadratowy na sekundę --> 8E-05 Metr kwadratowy na sekundę (Sprawdź konwersję tutaj)
Wewnętrzne stężenie nośnika: 100000 1 na metr sześcienny --> 100000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Szerokość złącza podstawowego: 0.002 Metr --> 0.002 Metr Nie jest wymagana konwersja
Doping Stężenie zasady: 19 1 na metr sześcienny --> 19 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B) --> (0.0008*[Charge-e]*8E-05*(100000)^2)/(0.002*19)

Ocenianie ... ...

I_sat = 2.69840272842105E-15

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

2.69840272842105E-15 Amper -->2.69840272842105E-12 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

2.69840272842105E-12 ≈ 2.7E-12 Miliamper <-- Prąd nasycenia

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » BJT » Elektronika analogowa » Aktualny » Prąd bazowy » Prąd nasycenia przy użyciu stężenia dopingu

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 14 Prąd bazowy Kalkulatory

Prąd bazowy przy użyciu prądu nasycenia w DC

Iść Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*e^(Napięcie baza-kolektor/Napięcie termiczne)+Ciśnienie pary nasyconej*e^(Napięcie baza-kolektor/Napięcie termiczne)

Prąd nasycenia przy użyciu stężenia dopingu

Iść Prąd nasycenia = (Powierzchnia przekroju poprzecznego złącza baza-emiter*[Charge-e]*Dyfuzyjność elektronów*(Wewnętrzne stężenie nośnika)^2)/(Szerokość złącza podstawowego*Doping Stężenie zasady)

Wzmocnienie prądu zwarciowego BJT

Iść Wzmocnienie prądu zwarciowego = (Wzmocnienie prądu wspólnego emitera przy niskiej częstotliwości)/(1+Złożona zmienna częstotliwości*(Pojemność bazowa emitera+Pojemność złącza kolektor-baza)*Rezystancja wejściowa)

Prąd drenu podany parametr urządzenia

Iść Prąd spustowy = 1/2*Transkonduktancja*Współczynnik proporcji*(Efektywne napięcie-Próg napięcia)^2*(1+Parametr urządzenia*Napięcie między drenem a źródłem)

Prąd bazowy 2 BJT

Iść Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*(e^(Napięcie baza-emiter/Napięcie termiczne))

Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu prądu nasycenia

Iść Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*e^(Napięcie baza-emiter/Napięcie termiczne)

Prąd odniesienia lustra BJT

Iść Prąd odniesienia = Prąd kolektora+(2*Prąd kolektora)/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera

Prąd odniesienia BJT Current Mirror

Iść Prąd odniesienia = (Napięcie zasilania-Napięcie baza-emiter)/Opór

Prąd odniesienia BJT Mirror przy danym prądzie kolektora

Iść Prąd odniesienia = Prąd kolektora*(1+2/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)

Prąd bazowy tranzystora PNP przy danym prądzie emitera

Iść Prąd bazowy = Prąd emitera/(Wzmocnienie prądu wspólnego emitera+1)

Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu prądu kolektora

Iść Prąd bazowy = Prąd kolektora/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera

Prąd bazowy 1 BJT

Iść Prąd bazowy = Prąd kolektora/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera

Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu wzmocnienia prądu na wspólnej podstawie

Iść Prąd bazowy = (1-Wzmocnienie prądu wspólnej bazy)*Prąd emitera

Całkowity prąd bazowy

Iść Prąd bazowy = Prąd bazowy 1+Prąd bazowy 2

Prąd nasycenia przy użyciu stężenia dopingu Formułę

Co to jest prąd nasycenia tranzystora?

Tranzystor będzie spolaryzowany tak, aby przykładać maksymalną ilość prądu bazowego, co skutkuje maksymalnym prądem kolektora, skutkującym minimalnym spadkiem napięcia kolektor-emiter, co skutkuje możliwie najmniejszą warstwą zubożenia i maksymalnym prądem przepływającym przez tranzystor. W związku z tym tranzystor jest przełączany w trybie „w pełni włączonym”. Następnie możemy zdefiniować „obszar nasycenia” lub „tryb włączenia”, gdy jako przełącznik używany jest tranzystor bipolarny, oba złącza są spolaryzowane do przodu, VB> 0,7 V i IC = Maximum. W przypadku tranzystora PNP potencjał emitera musi być dodatni w stosunku do bazy.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!