Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration Taschenrechner

✖Die Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs ist die Breite in der Richtung senkrecht zur Seite.ⓘ Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs [A_E]			+10% -10%
✖Elektronendiffusion ist der Diffusionsstrom ist ein Strom in einem Halbleiter, der durch die Diffusion von Ladungsträgern (Löchern und/oder Elektronen) verursacht wird.ⓘ Elektronendiffusivität [D_n]			+10% -10%
✖Die intrinsische Ladungsträgerkonzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.ⓘ Intrinsische Trägerkonzentration [n_i1]			+10% -10%
✖Die Breite des Basisübergangs ist der Parameter, der angibt, wie breit der Basisübergang eines beliebigen analogen Elektronikelements ist.ⓘ Breite der Basisverbindung [W_base]			+10% -10%
✖Die Dotierungskonzentration der Base ist die Anzahl der Verunreinigungen, die der Base hinzugefügt werden.ⓘ Dopingkonzentration der Base [N_B]			+10% -10%

✖Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration [I_sat]

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Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Sättigungsstrom = (Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(Intrinsische Trägerkonzentration)^2)/(Breite der Basisverbindung*Dopingkonzentration der Base)
I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 6 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Variablen

Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs - (Gemessen in Quadratmeter) - Die Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs ist die Breite in der Richtung senkrecht zur Seite.
Elektronendiffusivität - (Gemessen in Quadratmeter pro Sekunde) - Elektronendiffusion ist der Diffusionsstrom ist ein Strom in einem Halbleiter, der durch die Diffusion von Ladungsträgern (Löchern und/oder Elektronen) verursacht wird.
Intrinsische Trägerkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die intrinsische Ladungsträgerkonzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.
Breite der Basisverbindung - (Gemessen in Meter) - Die Breite des Basisübergangs ist der Parameter, der angibt, wie breit der Basisübergang eines beliebigen analogen Elektronikelements ist.
Dopingkonzentration der Base - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Dotierungskonzentration der Base ist die Anzahl der Verunreinigungen, die der Base hinzugefügt werden.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs: 8 Quadratischer Zentimeter --> 0.0008 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Elektronendiffusivität: 0.8 Quadratzentimeter pro Sekunde --> 8E-05 Quadratmeter pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Intrinsische Trägerkonzentration: 100000 1 pro Kubikmeter --> 100000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Breite der Basisverbindung: 0.002 Meter --> 0.002 Meter Keine Konvertierung erforderlich
Dopingkonzentration der Base: 19 1 pro Kubikmeter --> 19 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B) --> (0.0008*[Charge-e]*8E-05*(100000)^2)/(0.002*19)

Auswerten ... ...

I_sat = 2.69840272842105E-15

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.69840272842105E-15 Ampere -->2.69840272842105E-12 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.69840272842105E-12 ≈ 2.7E-12 Milliampere <-- Sättigungsstrom

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Basisstrom unter Verwendung des Sättigungsstroms in DC

LaTeX Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)+Sättigungsdampfdruck*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)

Entladen Sie den aktuellen Geräteparameter

LaTeX Gehen Stromverbrauch = 1/2*Steilheit*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung-Grenzspannung)^2*(1+Geräteparameter*Spannung zwischen Drain und Source)

Basisstrom 2 von BJT

LaTeX Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*(e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung))

Basisstrom 1 von BJT

LaTeX Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

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Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration Formel

LaTeX Gehen

Was ist der Sättigungsstrom im Transistor?

Der Transistor wird vorgespannt, so dass die maximale Menge an Basisstrom angelegt wird, was zu einem maximalen Kollektorstrom führt, was zu einem minimalen Spannungsabfall zwischen Kollektor und Emitter führt, was dazu führt, dass die Verarmungsschicht so klein wie möglich ist und der maximale Strom durch den Transistor fließt. Daher wird der Transistor auf "Voll-EIN" geschaltet. Dann können wir den "Sättigungsbereich" oder "EIN-Modus" definieren, wenn ein Bipolartransistor als Schalter verwendet wird, wobei beide Übergänge in Vorwärtsrichtung vorgespannt sind, VB> 0,7 V und IC = Maximum. Für einen PNP-Transistor muss das Emitterpotential in Bezug auf die Basis positiv sein.

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