Ток насыщения с использованием концентрации легирующей примеси Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

БЮТ МОП-транзистор

⤿

Текущий Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Коэффициент усиления или усиление Больше >>

⤿

Базовый ток Коллекторный ток Ток эмиттера

✖Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер равна ширине в направлении, перпендикулярном странице.ⓘ Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер [A_E]			+10% -10%
✖Электронная диффузия — это диффузионный ток — это ток в полупроводнике, вызванный диффузией носителей заряда (дырок и/или электронов).ⓘ Электронная диффузия [D_n]			+10% -10%
✖Концентрация внутренних носителей — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.ⓘ Концентрация внутреннего носителя [n_i1]			+10% -10%
✖Ширина базового перехода — это параметр, указывающий ширину базового перехода любого элемента аналоговой электроники.ⓘ Ширина базового соединения [W_base]			+10% -10%
✖Концентрация легирования основания представляет собой количество примесей, добавленных к основанию.ⓘ Легирующая концентрация основания [N_B]			+10% -10%

✖Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.ⓘ Ток насыщения с использованием концентрации легирующей примеси [I_sat]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ формула PDF PDF Image

Ток насыщения с использованием концентрации легирующей примеси Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток насыщения = (Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(Концентрация внутреннего носителя)^2)/(Ширина базового соединения*Легирующая концентрация основания)
I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B)
В этой формуле используются 1 Константы, 6 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые переменные

Ток насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.
Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер - (Измеряется в Квадратный метр) - Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер равна ширине в направлении, перпендикулярном странице.
Электронная диффузия - (Измеряется в Квадратный метр в секунду) - Электронная диффузия — это диффузионный ток — это ток в полупроводнике, вызванный диффузией носителей заряда (дырок и/или электронов).
Концентрация внутреннего носителя - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация внутренних носителей — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
Ширина базового соединения - (Измеряется в Метр) - Ширина базового перехода — это параметр, указывающий ширину базового перехода любого элемента аналоговой электроники.
Легирующая концентрация основания - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация легирования основания представляет собой количество примесей, добавленных к основанию.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер: 8 Площадь Сантиметр --> 0.0008 Квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)
Электронная диффузия: 0.8 Квадратный сантиметр в секунду --> 8E-05 Квадратный метр в секунду (Проверьте преобразование здесь)
Концентрация внутреннего носителя: 100000 1 на кубический метр --> 100000 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Ширина базового соединения: 0.002 Метр --> 0.002 Метр Конверсия не требуется
Легирующая концентрация основания: 19 1 на кубический метр --> 19 1 на кубический метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B) --> (0.0008*[Charge-e]*8E-05*(100000)^2)/(0.002*19)

Оценка ... ...

I_sat = 2.69840272842105E-15

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

2.69840272842105E-15 Ампер -->2.69840272842105E-12 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

2.69840272842105E-12 ≈ 2.7E-12 Миллиампер <-- Ток насыщения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » БЮТ » Аналоговая электроника » Текущий » Базовый ток » Ток насыщения с использованием концентрации легирующей примеси

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< Базовый ток Калькуляторы

Базовый ток с использованием тока насыщения в постоянном токе

LaTeX Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-коллектор/Тепловое напряжение)+Давление пара насыщения*e^(Напряжение база-коллектор/Тепловое напряжение)

Ток стока с заданным параметром устройства

LaTeX Идти Ток стока = 1/2*крутизна*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение-Пороговое напряжение)^2*(1+Параметр устройства*Напряжение между стоком и истоком)

Базовый ток 2 BJT

LaTeX Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*(e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение))

Базовый ток 1 BJT

LaTeX Идти Базовый ток = Коллекторный ток/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером

Узнать больше >>

Ток насыщения с использованием концентрации легирующей примеси формула

LaTeX Идти

Что такое ток насыщения в транзисторе?

Транзистор будет смещен так, что будет приложена максимальная величина базового тока, что приведет к максимальному току коллектора, что приведет к минимальному падению напряжения коллектор-эмиттер, в результате чего слой обеднения будет как можно меньшим, а максимальный ток, протекающий через транзистор. Поэтому транзистор переключается в положение «Полностью ВКЛ». Тогда мы можем определить «область насыщения» или «режим ВКЛ» при использовании биполярного транзистора в качестве переключателя как когда оба перехода смещены в прямом направлении, VB> 0,7 В и IC = Максимум. Для транзистора PNP потенциал эмиттера должен быть положительным по отношению к базе.

English Spanish French German Italian Portuguese Polish Dutch

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!