Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Halfgeleiderkenmerken

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Kenmerken van ladingdragers

Transistor-bedrijfsparameters

✖Geleidingsband Energie is de energieband in een materiaal waarin de elektronen vrij kunnen bewegen en deelnemen aan elektrische geleiding.ⓘ Geleidingsband energie [E_c]			+10% -10%
✖Valance Band Energy is een van de energiebanden die elektronen kunnen bezetten binnen de elektronische structuur van een materiaal.ⓘ Valance Band-energie [E_v]			+10% -10%

✖Fermi Level Intrinsic Semiconductor verwijst naar het energieniveau binnen de bandafstand van het materiaal dat een speciale betekenis heeft in de context van elektronisch gedrag.ⓘ Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders [E_Fi]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders

Formule

`"E"_{"Fi"} = ("E"_{"c"}+"E"_{"v"})/2`

Voorbeeld

`"2.63eV"=("0.56eV"+"4.7eV")/2`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Halfgeleiderkenmerken Formules Pdf PDF Image

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2
E_Fi = (E_c+E_v)/2
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider - (Gemeten in Joule) - Fermi Level Intrinsic Semiconductor verwijst naar het energieniveau binnen de bandafstand van het materiaal dat een speciale betekenis heeft in de context van elektronisch gedrag.
Geleidingsband energie - (Gemeten in Joule) - Geleidingsband Energie is de energieband in een materiaal waarin de elektronen vrij kunnen bewegen en deelnemen aan elektrische geleiding.
Valance Band-energie - (Gemeten in Joule) - Valance Band Energy is een van de energiebanden die elektronen kunnen bezetten binnen de elektronische structuur van een materiaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Geleidingsband energie: 0.56 Electron-volt --> 8.97219304800004E-20 Joule (Bekijk de conversie hier)
Valance Band-energie: 4.7 Electron-volt --> 7.53023345100003E-19 Joule (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

E_Fi = (E_c+E_v)/2 --> (8.97219304800004E-20+7.53023345100003E-19)/2

Evalueren ... ...

E_Fi = 4.21372637790002E-19

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

4.21372637790002E-19 Joule -->2.63 Electron-volt (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.63 Electron-volt <-- Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Halfgeleiderkenmerken » Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders

Credits

Gemaakt door Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), India

Team Softusvista heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Himanshi Sharma

Bhilai Institute of Technology (BEETJE), Raipur

Himanshi Sharma heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 800+ rekenmachines!

< 13 Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders

Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)

Fermi Dirac-distributiefunctie

Gaan Fermi Dirac-distributiefunctie = 1/(1+e^((Fermi-niveau energie-Fermi-niveau energie)/([BoltZ]*Temperatuur)))

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) = Acceptor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten

Lengte elektronendiffusie

Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)

Energiebandkloof

Gaan Energiebandkloof = Energiebandafstand bij 0K-(Temperatuur*Materiaalspecifieke constante)

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders

Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2

Drift huidige dichtheid

Gaan Drift huidige dichtheid = Gaten Huidige Dichtheid+Elektronenstroomdichtheid

Mobiliteit van ladingdragers

Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldintensiteit

Verzadigingsspanning met behulp van drempelspanning

Gaan Verzadigingsspanning = Poortbronspanning-Drempelspanning

Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning

Gaan Zaal elektrisch veld = Zaal spanning/Dirigent Breedte

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders Formule

Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2
E_Fi = (E_c+E_v)/2

Hoe beïnvloedt temperatuur de band gap?

De bandgap-energie van halfgeleiders heeft de neiging af te nemen met toenemende temperatuur. Wanneer de temperatuur stijgt, neemt de amplitude van atomaire trillingen toe, wat leidt tot grotere interatomaire afstand.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!