Geleidbaarheid in halfgeleiders Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Halfgeleiderkenmerken

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Kenmerken van ladingdragers

Transistor-bedrijfsparameters

✖Elektronendichtheid verwijst naar de maat van hoeveel elektronen aanwezig zijn in een bepaalde hoeveelheid van het materiaal.ⓘ Elektronendichtheid [ρ_e]			+10% -10%
✖Mobiliteit van elektronen wordt gedefinieerd als de grootte van de gemiddelde driftsnelheid per eenheid elektrisch veld.ⓘ Mobiliteit van Electron [μ_n]			+10% -10%
✖Gatendichtheid verwijst naar het aantal lege energietoestanden (bekend als "gaten") dat kan bestaan in de valentieband van een halfgeleidermateriaal.ⓘ Gaten Dichtheid [ρ_h]			+10% -10%
✖Mobiliteit van gaten is het vermogen van een gat om door een metaal of halfgeleider te bewegen, in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.ⓘ Mobiliteit van gaten [μ_p]			+10% -10%

✖Geleidbaarheid is de maat voor het gemak waarmee een elektrische lading of warmte door een materiaal kan gaan. Het is het omgekeerde van resistiviteit.ⓘ Geleidbaarheid in halfgeleiders [σ]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Geleidbaarheid in halfgeleiders

Formule

`"σ" = ("ρ"_{"e"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"n"})+("ρ"_{"h"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"p"})`

Voorbeeld

`"0.868062S/m"=("3.01e10kg/cm³"*"[Charge-e]"*"180m²/V*s")+("100000.345kg/cm³"*"[Charge-e]"*"150m²/V*s")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Halfgeleiderkenmerken Formules Pdf PDF Image

Geleidbaarheid in halfgeleiders Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)
σ = (ρ_e*[Charge-e]*μ_n)+(ρ_h*[Charge-e]*μ_p)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 5 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Variabelen gebruikt

Geleidbaarheid - (Gemeten in Siemens/Meter) - Geleidbaarheid is de maat voor het gemak waarmee een elektrische lading of warmte door een materiaal kan gaan. Het is het omgekeerde van resistiviteit.
Elektronendichtheid - (Gemeten in Kilogram per kubieke meter) - Elektronendichtheid verwijst naar de maat van hoeveel elektronen aanwezig zijn in een bepaalde hoeveelheid van het materiaal.
Mobiliteit van Electron - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van elektronen wordt gedefinieerd als de grootte van de gemiddelde driftsnelheid per eenheid elektrisch veld.
Gaten Dichtheid - (Gemeten in Kilogram per kubieke meter) - Gatendichtheid verwijst naar het aantal lege energietoestanden (bekend als "gaten") dat kan bestaan in de valentieband van een halfgeleidermateriaal.
Mobiliteit van gaten - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van gaten is het vermogen van een gat om door een metaal of halfgeleider te bewegen, in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Elektronendichtheid: 30100000000 Kilogram per kubieke centimeter --> 3.01E+16 Kilogram per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Mobiliteit van Electron: 180 Vierkante meter per volt per seconde --> 180 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Gaten Dichtheid: 100000.345 Kilogram per kubieke centimeter --> 100000345000 Kilogram per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Mobiliteit van gaten: 150 Vierkante meter per volt per seconde --> 150 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

σ = (ρ_e*[Charge-e]*μ_n)+(ρ_h*[Charge-e]*μ_p) --> (3.01E+16*[Charge-e]*180)+(100000345000*[Charge-e]*150)

Evalueren ... ...

σ = 0.868061695989221

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.868061695989221 Siemens/Meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.868061695989221 ≈ 0.868062 Siemens/Meter <-- Geleidbaarheid

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Halfgeleiderkenmerken » Geleidbaarheid in halfgeleiders

Credits

Gemaakt door Akshada Kulkarni

Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana

Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), India

Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

< 13 Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders

Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)

Fermi Dirac-distributiefunctie

Gaan Fermi Dirac-distributiefunctie = 1/(1+e^((Fermi-niveau energie-Fermi-niveau energie)/([BoltZ]*Temperatuur)))

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) = Acceptor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten

Lengte elektronendiffusie

Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)

Energiebandkloof

Gaan Energiebandkloof = Energiebandafstand bij 0K-(Temperatuur*Materiaalspecifieke constante)

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders

Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2

Drift huidige dichtheid

Gaan Drift huidige dichtheid = Gaten Huidige Dichtheid+Elektronenstroomdichtheid

Mobiliteit van ladingdragers

Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldintensiteit

Verzadigingsspanning met behulp van drempelspanning

Gaan Verzadigingsspanning = Poortbronspanning-Drempelspanning

Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning

Gaan Zaal elektrisch veld = Zaal spanning/Dirigent Breedte

Geleidbaarheid in halfgeleiders Formule

Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)
σ = (ρ_e*[Charge-e]*μ_n)+(ρ_h*[Charge-e]*μ_p)

Wat is geleidbaarheid in halfgeleiders?

Geleidbaarheid is recht evenredig met mobiliteit. Als zowel donor- als acceptorverontreinigingen aanwezig zijn in een halfgeleider, kunnen we zeggen dat de totale geleidbaarheid het gevolg is van de geleidbaarheid van zowel elektronen als gaten die in een halfgeleider aanwezig zijn.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!