Lengte elektronendiffusie Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Halfgeleiderkenmerken

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Kenmerken van ladingdragers

Transistor-bedrijfsparameters

✖Elektronendiffusieconstante verwijst naar een materiaaleigenschap die de snelheid beschrijft waarmee elektronen door het materiaal diffunderen als reactie op een concentratiegradiënt.ⓘ Elektronendiffusieconstante [D_n]			+10% -10%
✖Minority Carrier Lifetime wordt gebruikt om de elektronendiffusielengte te bepalen.ⓘ Minderheid Carrier Lifetime [τ_n]			+10% -10%

✖Elektronendiffusielengte is gerelateerd aan de levensduur van de drager door de diffusie.ⓘ Lengte elektronendiffusie [L_n]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Lengte elektronendiffusie

Formule

`"L"_{"n"} = sqrt("D"_{"n"}*"τ"_{"n"})`

Voorbeeld

`"44.99123cm"=sqrt("44982.46cm²/s"*"45000μs")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Halfgeleiderkenmerken Formules Pdf PDF Image

Lengte elektronendiffusie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)
L_n = sqrt(D_n*τ_n)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 3 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Elektron diffusie lengte - (Gemeten in Meter) - Elektronendiffusielengte is gerelateerd aan de levensduur van de drager door de diffusie.
Elektronendiffusieconstante - (Gemeten in Vierkante meter per seconde) - Elektronendiffusieconstante verwijst naar een materiaaleigenschap die de snelheid beschrijft waarmee elektronen door het materiaal diffunderen als reactie op een concentratiegradiënt.
Minderheid Carrier Lifetime - (Gemeten in Seconde) - Minority Carrier Lifetime wordt gebruikt om de elektronendiffusielengte te bepalen.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Elektronendiffusieconstante: 44982.46 Vierkante centimeter per seconde --> 4.498246 Vierkante meter per seconde (Bekijk de conversie hier)
Minderheid Carrier Lifetime: 45000 Microseconde --> 0.045 Seconde (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

L_n = sqrt(D_n*τ_n) --> sqrt(4.498246*0.045)

Evalueren ... ...

L_n = 0.449912291452456

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.449912291452456 Meter -->44.9912291452456 Centimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

44.9912291452456 ≈ 44.99123 Centimeter <-- Elektron diffusie lengte

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Halfgeleiderkenmerken » Lengte elektronendiffusie

Credits

Gemaakt door Akshada Kulkarni

Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana

Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), India

Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

< 13 Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders

Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)

Fermi Dirac-distributiefunctie

Gaan Fermi Dirac-distributiefunctie = 1/(1+e^((Fermi-niveau energie-Fermi-niveau energie)/([BoltZ]*Temperatuur)))

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) = Acceptor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten

Lengte elektronendiffusie

Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)

Energiebandkloof

Gaan Energiebandkloof = Energiebandafstand bij 0K-(Temperatuur*Materiaalspecifieke constante)

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders

Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2

Drift huidige dichtheid

Gaan Drift huidige dichtheid = Gaten Huidige Dichtheid+Elektronenstroomdichtheid

Mobiliteit van ladingdragers

Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldintensiteit

Verzadigingsspanning met behulp van drempelspanning

Gaan Verzadigingsspanning = Poortbronspanning-Drempelspanning

Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning

Gaan Zaal elektrisch veld = Zaal spanning/Dirigent Breedte

Lengte elektronendiffusie Formule

Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)
L_n = sqrt(D_n*τ_n)

Wat is elektronendiffusielengte?

De diffusielengte is de gemiddelde lengte die een drager beweegt tussen generatie en recombinatie. Halfgeleidermaterialen die zwaar gedoteerd zijn, hebben grotere recombinatiesnelheden en hebben bijgevolg kortere diffusielengten. Hogere diffusielengtes zijn indicatief voor materialen met een langere levensduur en zijn daarom een belangrijke kwaliteit om te overwegen bij halfgeleidermaterialen.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!