Mobiliteit van ladingdragers Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Halfgeleiderkenmerken

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Kenmerken van ladingdragers

Transistor-bedrijfsparameters

✖De driftsnelheid is de gemiddelde snelheid die een deeltje bereikt door een elektrisch veld.ⓘ Drift snelheid [V_d]			+10% -10%
✖Elektrische veldintensiteit verwijst naar de kracht per eenheid lading die wordt ervaren door geladen deeltjes (zoals elektronen of gaten) in het materiaal.ⓘ Elektrische veldintensiteit [E]			+10% -10%

✖Ladingdragers Mobiliteit wordt gedefinieerd als de grootte van hun driftsnelheid per eenheid aangelegd elektrisch veld.ⓘ Mobiliteit van ladingdragers [μ]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Mobiliteit van ladingdragers

Formule

`"μ" = "V"_{"d"}/"E"`

Voorbeeld

`"2.987165m²/V*s"="10.24m/s"/"3.428V/m"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Halfgeleiderkenmerken Formules Pdf PDF Image

Mobiliteit van ladingdragers Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldintensiteit
μ = V_d/E
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Laaddragers Mobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Ladingdragers Mobiliteit wordt gedefinieerd als de grootte van hun driftsnelheid per eenheid aangelegd elektrisch veld.
Drift snelheid - (Gemeten in Meter per seconde) - De driftsnelheid is de gemiddelde snelheid die een deeltje bereikt door een elektrisch veld.
Elektrische veldintensiteit - (Gemeten in Volt per meter) - Elektrische veldintensiteit verwijst naar de kracht per eenheid lading die wordt ervaren door geladen deeltjes (zoals elektronen of gaten) in het materiaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Drift snelheid: 10.24 Meter per seconde --> 10.24 Meter per seconde Geen conversie vereist
Elektrische veldintensiteit: 3.428 Volt per meter --> 3.428 Volt per meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

μ = V_d/E --> 10.24/3.428

Evalueren ... ...

μ = 2.98716452742124

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.98716452742124 Vierkante meter per volt per seconde --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.98716452742124 ≈ 2.987165 Vierkante meter per volt per seconde <-- Laaddragers Mobiliteit

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Halfgeleiderkenmerken » Mobiliteit van ladingdragers

Credits

Gemaakt door Akshada Kulkarni

Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana

Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Anshika Arya

Nationaal Instituut voor Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 2500+ rekenmachines!

< 13 Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders

Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)

Fermi Dirac-distributiefunctie

Gaan Fermi Dirac-distributiefunctie = 1/(1+e^((Fermi-niveau energie-Fermi-niveau energie)/([BoltZ]*Temperatuur)))

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) = Acceptor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten

Lengte elektronendiffusie

Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)

Energiebandkloof

Gaan Energiebandkloof = Energiebandafstand bij 0K-(Temperatuur*Materiaalspecifieke constante)

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders

Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2

Drift huidige dichtheid

Gaan Drift huidige dichtheid = Gaten Huidige Dichtheid+Elektronenstroomdichtheid

Mobiliteit van ladingdragers

Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldintensiteit

Verzadigingsspanning met behulp van drempelspanning

Gaan Verzadigingsspanning = Poortbronspanning-Drempelspanning

Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning

Gaan Zaal elektrisch veld = Zaal spanning/Dirigent Breedte

Mobiliteit van ladingdragers Formule

Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldintensiteit
μ = V_d/E

Welk type ladingdrager heeft meer mobiliteit? elektronen of gaten?

De elektronenmobiliteit is vaak groter dan de mobiliteit van het gat, omdat de effectieve massa van het elektron vaak kleiner is dan de effectieve massa van het gat. De relaxatietijden zijn vaak van dezelfde orde van grootte voor elektronen en gaten en maken daarom niet veel uit.

Welk type ladingdrager heeft meer mobiliteit? elektronen of gaten "

De elektronenmobiliteit is vaak groter dan de gatenmobiliteit omdat de effectieve massa van het elektron vaak kleiner is dan de effectieve massa van het gat. De relaxatietijden zijn vaak van dezelfde orde van grootte voor elektronen en gaten en maken daarom niet al te veel verschil.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!