Stężenie domieszki akceptorowej Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Stężenie domieszki akceptorowej = 1/(2*pi*Długość tranzystora*Szerokość tranzystora*[Charge-e]*Mobilność dziury*Pojemność warstwy zubożonej)
Na = 1/(2*pi*Lt*Wt*[Charge-e]*μp*Cdep)
Ta formuła używa 2 Stałe, 5 Zmienne
Używane stałe
[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
pi - Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288
Używane zmienne
Stężenie domieszki akceptorowej - (Mierzone w Elektrony na metr sześcienny) - Stężenie domieszki akceptorowej to ruchliwość nośników ładunku (w tym przypadku dziur) i wymiary urządzenia półprzewodnikowego.
Długość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Szerokość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Mobilność dziury - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność dziur reprezentuje zdolność tych nośników ładunku do poruszania się w odpowiedzi na pole elektryczne.
Pojemność warstwy zubożonej - (Mierzone w Farad) - Pojemność warstwy zubożonej na jednostkę powierzchni to pojemność warstwy zubożonej na jednostkę powierzchni.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Długość tranzystora: 3.2 Mikrometr --> 3.2E-06 Metr (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Szerokość tranzystora: 5.5 Mikrometr --> 5.5E-06 Metr (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Mobilność dziury: 400 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 400 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pojemność warstwy zubożonej: 1.4 Mikrofarad --> 1.4E-06 Farad (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Na = 1/(2*pi*Lt*Wt*[Charge-e]*μp*Cdep) --> 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06)
Ocenianie ... ...
Na = 1.00788050957133E+32
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1.00788050957133E+32 Elektrony na metr sześcienny --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1.00788050957133E+32 1E+32 Elektrony na metr sześcienny <-- Stężenie domieszki akceptorowej
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez banuprakasz
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Santhosh Yadav
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Efekt ciała w MOSFET-ie
​ Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))
Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia
​ Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)
Rezystancja kanału
​ Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)
Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET
​ Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Stężenie domieszki akceptorowej Formułę

Stężenie domieszki akceptorowej = 1/(2*pi*Długość tranzystora*Szerokość tranzystora*[Charge-e]*Mobilność dziury*Pojemność warstwy zubożonej)
Na = 1/(2*pi*Lt*Wt*[Charge-e]*μp*Cdep)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!