Rezystancja kanału Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Produkcja układów scalonych MOS

Produkcja bipolarnych układów scalonych

Wyzwalacz Schmitta

✖Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.ⓘ Długość tranzystora [L_t]			+10% -10%
✖Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.ⓘ Szerokość tranzystora [W_t]			+10% -10%
✖Mobilność elektronów opisuje, jak szybko elektrony mogą przemieszczać się przez materiał w odpowiedzi na pole elektryczne.ⓘ Mobilność elektronów [μ_n]			+10% -10%
✖Gęstość nośnika odnosi się do liczby nośników ładunku (elektronów lub dziur) obecnych w kanale półprzewodnikowym.ⓘ Gęstość nośnika [Q_on]			+10% -10%

✖Rezystancja kanału odnosi się do rezystancji oferowanej przez materiał półprzewodnikowy w kanale, przez który przepływa prąd pomiędzy zaciskami źródła i drenu.ⓘ Rezystancja kanału [R_ch]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Rezystancja kanału

Formuła

`"R"_{"ch"} = "L"_{"t"}/"W"_{"t"}*1/("μ"_{"n"}*"Q"_{"on"})`

Przykład

`"3.463203Ω"="3.2μm"/"5.5μm"*1/("30m²/V*s"*"0.0056electrons/m³")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Produkcja układów scalonych MOS Formuły PDF PDF Image

Rezystancja kanału Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Rezystancja kanału - (Mierzone w Om) - Rezystancja kanału odnosi się do rezystancji oferowanej przez materiał półprzewodnikowy w kanale, przez który przepływa prąd pomiędzy zaciskami źródła i drenu.
Długość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Szerokość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Mobilność elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność elektronów opisuje, jak szybko elektrony mogą przemieszczać się przez materiał w odpowiedzi na pole elektryczne.
Gęstość nośnika - (Mierzone w Elektrony na metr sześcienny) - Gęstość nośnika odnosi się do liczby nośników ładunku (elektronów lub dziur) obecnych w kanale półprzewodnikowym.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Długość tranzystora: 3.2 Mikrometr --> 3.2E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Szerokość tranzystora: 5.5 Mikrometr --> 5.5E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Mobilność elektronów: 30 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 30 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Gęstość nośnika: 0.0056 Elektrony na metr sześcienny --> 0.0056 Elektrony na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on) --> 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056)

Ocenianie ... ...

R_ch = 3.46320346320346

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

3.46320346320346 Om --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

3.46320346320346 ≈ 3.463203 Om <-- Rezystancja kanału

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja układów scalonych MOS » Rezystancja kanału

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 15 Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Napięcie punktu przełączania

Iść Napięcie punktu przełączania = (Napięcie zasilania+Napięcie progowe PMOS+Napięcie progowe NMOS*sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))/(1+sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))

Efekt ciała w MOSFET-ie

Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)

Stężenie domieszki dawcy

Iść Stężenie domieszki dawcy = (Prąd nasycenia*Długość tranzystora)/([Charge-e]*Szerokość tranzystora*Mobilność elektronów*Pojemność warstwy zubożonej)

Stężenie domieszki akceptorowej

Iść Stężenie domieszki akceptorowej = 1/(2*pi*Długość tranzystora*Szerokość tranzystora*[Charge-e]*Mobilność dziury*Pojemność warstwy zubożonej)

Maksymalne stężenie domieszki

Iść Maksymalne stężenie domieszki = Stężenie referencyjne*exp(-Energia aktywacji dla rozpuszczalności substancji stałych/([BoltZ]*Temperatura absolutna))

Czas propagacji

Iść Czas propagacji = 0.7*Liczba tranzystorów przejściowych*((Liczba tranzystorów przejściowych+1)/2)*Oporność w MOSFET-ie*Pojemność obciążenia

Dryf gęstości prądu ze względu na swobodne elektrony

Iść Dryf gęstości prądu ze względu na elektrony = [Charge-e]*Stężenie elektronów*Mobilność elektronów*Natężenie pola elektrycznego

Dryf gęstości prądu z powodu dziur

Iść Dryf gęstości prądu z powodu dziur = [Charge-e]*Zagęszczenie dziur*Mobilność dziury*Natężenie pola elektrycznego

Rezystancja kanału

Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Głębia ostrości

Iść Głębia ostrości = Czynnik proporcjonalności*Długość fali w fotolitografii/(Przysłona numeryczna^2)

Wymiar krytyczny

Iść Wymiar krytyczny = Stała zależna od procesu*Długość fali w fotolitografii/Przysłona numeryczna

Umrzyj na opłatek

Iść Umrzyj na opłatek = (pi*Średnica wafla^2)/(4*Rozmiar każdej kostki)

Równoważna grubość tlenku

Iść Równoważna grubość tlenku = Grubość materiału*(3.9/Stała dielektryczna materiału)

Rezystancja kanału Formułę

Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!