Efekt ciała w MOSFET-ie Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Produkcja układów scalonych MOS

Produkcja bipolarnych układów scalonych

Wyzwalacz Schmitta

✖Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu korpusu odnosi się do napięcia progowego, gdy do podłoża półprzewodnikowego (zacisku korpusu) nie jest przyłożone żadne zewnętrzne obciążenie.ⓘ Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała [V_th]			+10% -10%
✖Body Effect Parametr to parametr charakteryzujący czułość napięcia progowego tranzystora MOSFET.ⓘ Parametr efektu ciała [γ]			+10% -10%
✖Masowy potencjał Fermiego to parametr opisujący potencjał elektrostatyczny w masie (wewnątrz) materiału półprzewodnikowego.ⓘ Masowy potencjał Fermiego [Φ_f]			+10% -10%
✖Napięcie przyłożone do nadwozia to napięcie przyłożone do zacisku nadwozia. Napięcie to może mieć znaczący wpływ na zachowanie i wydajność MOSFET-u.ⓘ Napięcie przyłożone do korpusu [V_bs]			+10% -10%

✖Napięcie progowe podłoża jest kluczowym parametrem, który określa punkt, w którym tranzystor zaczyna przewodzić prąd od źródła do drenu.ⓘ Efekt ciała w MOSFET-ie [V_t]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Efekt ciała w MOSFET-ie

Formuła

`"V"_{"t"} = "V"_{"th"}+"γ"*(sqrt(2*"Φ"_{"f"}+"V"_{"bs"})-sqrt(2*"Φ"_{"f"}))`

Przykład

`"3.962586V"="3.4V"+"0.56"*(sqrt(2*"0.25V"+"2.43V")-sqrt(2*"0.25V"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Produkcja układów scalonych MOS Formuły PDF PDF Image

Efekt ciała w MOSFET-ie Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))
V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f))
Ta formuła używa 1 Funkcje, 5 Zmienne

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Napięcie progowe z podłożem - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe podłoża jest kluczowym parametrem, który określa punkt, w którym tranzystor zaczyna przewodzić prąd od źródła do drenu.
Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu korpusu odnosi się do napięcia progowego, gdy do podłoża półprzewodnikowego (zacisku korpusu) nie jest przyłożone żadne zewnętrzne obciążenie.
Parametr efektu ciała - Body Effect Parametr to parametr charakteryzujący czułość napięcia progowego tranzystora MOSFET.
Masowy potencjał Fermiego - (Mierzone w Wolt) - Masowy potencjał Fermiego to parametr opisujący potencjał elektrostatyczny w masie (wewnątrz) materiału półprzewodnikowego.
Napięcie przyłożone do korpusu - (Mierzone w Wolt) - Napięcie przyłożone do nadwozia to napięcie przyłożone do zacisku nadwozia. Napięcie to może mieć znaczący wpływ na zachowanie i wydajność MOSFET-u.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała: 3.4 Wolt --> 3.4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Parametr efektu ciała: 0.56 --> Nie jest wymagana konwersja
Masowy potencjał Fermiego: 0.25 Wolt --> 0.25 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie przyłożone do korpusu: 2.43 Wolt --> 2.43 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f)) --> 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25))

Ocenianie ... ...

V_t = 3.96258579757846

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

3.96258579757846 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

3.96258579757846 ≈ 3.962586 Wolt <-- Napięcie progowe z podłożem

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja układów scalonych MOS » Efekt ciała w MOSFET-ie

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 15 Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Napięcie punktu przełączania

Iść Napięcie punktu przełączania = (Napięcie zasilania+Napięcie progowe PMOS+Napięcie progowe NMOS*sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))/(1+sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))

Efekt ciała w MOSFET-ie

Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)

Stężenie domieszki dawcy

Iść Stężenie domieszki dawcy = (Prąd nasycenia*Długość tranzystora)/([Charge-e]*Szerokość tranzystora*Mobilność elektronów*Pojemność warstwy zubożonej)

Stężenie domieszki akceptorowej

Iść Stężenie domieszki akceptorowej = 1/(2*pi*Długość tranzystora*Szerokość tranzystora*[Charge-e]*Mobilność dziury*Pojemność warstwy zubożonej)

Maksymalne stężenie domieszki

Iść Maksymalne stężenie domieszki = Stężenie referencyjne*exp(-Energia aktywacji dla rozpuszczalności substancji stałych/([BoltZ]*Temperatura absolutna))

Czas propagacji

Iść Czas propagacji = 0.7*Liczba tranzystorów przejściowych*((Liczba tranzystorów przejściowych+1)/2)*Oporność w MOSFET-ie*Pojemność obciążenia

Dryf gęstości prądu ze względu na swobodne elektrony

Iść Dryf gęstości prądu ze względu na elektrony = [Charge-e]*Stężenie elektronów*Mobilność elektronów*Natężenie pola elektrycznego

Dryf gęstości prądu z powodu dziur

Iść Dryf gęstości prądu z powodu dziur = [Charge-e]*Zagęszczenie dziur*Mobilność dziury*Natężenie pola elektrycznego

Rezystancja kanału

Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Głębia ostrości

Iść Głębia ostrości = Czynnik proporcjonalności*Długość fali w fotolitografii/(Przysłona numeryczna^2)

Wymiar krytyczny

Iść Wymiar krytyczny = Stała zależna od procesu*Długość fali w fotolitografii/Przysłona numeryczna

Umrzyj na opłatek

Iść Umrzyj na opłatek = (pi*Średnica wafla^2)/(4*Rozmiar każdej kostki)

Równoważna grubość tlenku

Iść Równoważna grubość tlenku = Grubość materiału*(3.9/Stała dielektryczna materiału)

Efekt ciała w MOSFET-ie Formułę

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!