Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Produkcja układów scalonych MOS

Produkcja bipolarnych układów scalonych

Wyzwalacz Schmitta

✖Transkonduktancja w MOSFET-ie jest kluczowym parametrem opisującym zależność pomiędzy napięciem wejściowym i prądem wyjściowym.ⓘ Transkonduktancja w MOSFET-ie [g_m]			+10% -10%
✖Pojemność źródła bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET).ⓘ Pojemność źródła bramki [C_gs]			+10% -10%
✖Pojemność drenu bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami drenu urządzenia.ⓘ Pojemność drenu bramki [C_gd]			+10% -10%

✖Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie odnosi się do częstotliwości, przy której wzmocnienie napięcia urządzenia spada do 1 (0 dB) w konfiguracji wspólnego źródła z obciążeniem rezystancyjnym.ⓘ Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET [f_t]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

Formuła

`"f"_{"t"} = "g"_{"m"}/("C"_{"gs"}+"C"_{"gd"})`

Przykład

`"37.41497kHz"="2.2S"/("56μF"+"2.8μF")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Produkcja układów scalonych MOS Formuły PDF PDF Image

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie odnosi się do częstotliwości, przy której wzmocnienie napięcia urządzenia spada do 1 (0 dB) w konfiguracji wspólnego źródła z obciążeniem rezystancyjnym.
Transkonduktancja w MOSFET-ie - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja w MOSFET-ie jest kluczowym parametrem opisującym zależność pomiędzy napięciem wejściowym i prądem wyjściowym.
Pojemność źródła bramki - (Mierzone w Farad) - Pojemność źródła bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET).
Pojemność drenu bramki - (Mierzone w Farad) - Pojemność drenu bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami drenu urządzenia.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Transkonduktancja w MOSFET-ie: 2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Nie jest wymagana konwersja
Pojemność źródła bramki: 56 Mikrofarad --> 5.6E-05 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność drenu bramki: 2.8 Mikrofarad --> 2.8E-06 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

Ocenianie ... ...

f_t = 37414.9659863946

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

37414.9659863946 Herc -->37.4149659863946 Kiloherc (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

37.4149659863946 ≈ 37.41497 Kiloherc <-- Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja układów scalonych MOS » Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 15 Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Napięcie punktu przełączania

Iść Napięcie punktu przełączania = (Napięcie zasilania+Napięcie progowe PMOS+Napięcie progowe NMOS*sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))/(1+sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))

Efekt ciała w MOSFET-ie

Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)

Stężenie domieszki dawcy

Iść Stężenie domieszki dawcy = (Prąd nasycenia*Długość tranzystora)/([Charge-e]*Szerokość tranzystora*Mobilność elektronów*Pojemność warstwy zubożonej)

Stężenie domieszki akceptorowej

Iść Stężenie domieszki akceptorowej = 1/(2*pi*Długość tranzystora*Szerokość tranzystora*[Charge-e]*Mobilność dziury*Pojemność warstwy zubożonej)

Maksymalne stężenie domieszki

Iść Maksymalne stężenie domieszki = Stężenie referencyjne*exp(-Energia aktywacji dla rozpuszczalności substancji stałych/([BoltZ]*Temperatura absolutna))

Czas propagacji

Iść Czas propagacji = 0.7*Liczba tranzystorów przejściowych*((Liczba tranzystorów przejściowych+1)/2)*Oporność w MOSFET-ie*Pojemność obciążenia

Dryf gęstości prądu ze względu na swobodne elektrony

Iść Dryf gęstości prądu ze względu na elektrony = [Charge-e]*Stężenie elektronów*Mobilność elektronów*Natężenie pola elektrycznego

Dryf gęstości prądu z powodu dziur

Iść Dryf gęstości prądu z powodu dziur = [Charge-e]*Zagęszczenie dziur*Mobilność dziury*Natężenie pola elektrycznego

Rezystancja kanału

Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Głębia ostrości

Iść Głębia ostrości = Czynnik proporcjonalności*Długość fali w fotolitografii/(Przysłona numeryczna^2)

Wymiar krytyczny

Iść Wymiar krytyczny = Stała zależna od procesu*Długość fali w fotolitografii/Przysłona numeryczna

Umrzyj na opłatek

Iść Umrzyj na opłatek = (pi*Średnica wafla^2)/(4*Rozmiar każdej kostki)

Równoważna grubość tlenku

Iść Równoważna grubość tlenku = Grubość materiału*(3.9/Stała dielektryczna materiału)

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET Formułę

Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!