Współczynnik efektu ciała Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Optymalizacja materiałów VLSI

Konstrukcja analogowa VLSI

✖Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła wymagane do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.ⓘ Próg napięcia [V_t]			+10% -10%
✖Napięcie progowe dibl definiuje się jako minimalne napięcie wymagane przez złącze źródłowe potencjału ciała, gdy źródło ma potencjał ciała.ⓘ Napięcie progowe DIBL [V_t0]			+10% -10%
✖Potencjał powierzchniowy jest kluczowym parametrem przy ocenie właściwości prądu stałego tranzystorów cienkowarstwowych.ⓘ Potencjał powierzchni [Φ_s]			+10% -10%
✖Różnica potencjałów ciała źródłowego jest obliczana, gdy przyłożony zewnętrznie potencjał jest równy sumie spadku napięcia na warstwie tlenku i spadku napięcia na półprzewodniku.ⓘ Różnica potencjałów ciała źródłowego [V_sb]			+10% -10%

✖Współczynnik efektu ciała to wpływ napięcia źródła-masy na prąd w wyniku zmiany napięcia progowego.ⓘ Współczynnik efektu ciała [γ]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Współczynnik efektu ciała

Formuła

`"γ" = "modulus"(("V"_{"t"}-"V"_{"t0"})/(sqrt("Φ"_{"s"}+("V"_{"sb"}))-sqrt("Φ"_{"s"})))`

Przykład

`"1.169855"="modulus"(("0.3V"-"0.59V")/(sqrt("6.86V"+("1.36V"))-sqrt("6.86V")))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Współczynnik efektu ciała Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Współczynnik efektu ciała = modulus((Próg napięcia-Napięcie progowe DIBL)/(sqrt(Potencjał powierzchni+(Różnica potencjałów ciała źródłowego))-sqrt(Potencjał powierzchni)))
γ = modulus((V_t-V_t0)/(sqrt(Φ_s+(V_sb))-sqrt(Φ_s)))
Ta formuła używa 2 Funkcje, 5 Zmienne

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)
modulus - Moduł liczby to reszta z dzielenia tej liczby przez inną liczbę., modulus

Używane zmienne

Współczynnik efektu ciała - Współczynnik efektu ciała to wpływ napięcia źródła-masy na prąd w wyniku zmiany napięcia progowego.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła wymagane do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.
Napięcie progowe DIBL - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe dibl definiuje się jako minimalne napięcie wymagane przez złącze źródłowe potencjału ciała, gdy źródło ma potencjał ciała.
Potencjał powierzchni - (Mierzone w Wolt) - Potencjał powierzchniowy jest kluczowym parametrem przy ocenie właściwości prądu stałego tranzystorów cienkowarstwowych.
Różnica potencjałów ciała źródłowego - (Mierzone w Wolt) - Różnica potencjałów ciała źródłowego jest obliczana, gdy przyłożony zewnętrznie potencjał jest równy sumie spadku napięcia na warstwie tlenku i spadku napięcia na półprzewodniku.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Próg napięcia: 0.3 Wolt --> 0.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie progowe DIBL: 0.59 Wolt --> 0.59 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Potencjał powierzchni: 6.86 Wolt --> 6.86 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Różnica potencjałów ciała źródłowego: 1.36 Wolt --> 1.36 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

γ = modulus((V_t-V_t0)/(sqrt(Φ_s+(V_sb))-sqrt(Φ_s))) --> modulus((0.3-0.59)/(sqrt(6.86+(1.36))-sqrt(6.86)))

Ocenianie ... ...

γ = 1.16985454290539

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.16985454290539 --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.16985454290539 ≈ 1.169855 <-- Współczynnik efektu ciała

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Optymalizacja materiałów VLSI » Współczynnik efektu ciała

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 25 Optymalizacja materiałów VLSI Kalkulatory

Gęstość ładunku w regionie wyczerpania zbiorczego VLSI

Iść Gęstość ładunku w obszarze wyczerpania zbiorczego = -(1-((Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem+Boczny zasięg obszaru wyczerpania z drenażem)/(2*Długość kanału)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Stężenie akceptora*abs(2*Potencjał powierzchni))

Współczynnik efektu ciała

Iść Współczynnik efektu ciała = modulus((Próg napięcia-Napięcie progowe DIBL)/(sqrt(Potencjał powierzchni+(Różnica potencjałów ciała źródłowego))-sqrt(Potencjał powierzchni)))

Głębokość wyczerpania złącza PN ze źródłem VLSI

Iść Głębokość wyczerpania złącza Pn ze źródłem = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Złącze wbudowane w napięcie)/([Charge-e]*Stężenie akceptora))

Złącze wbudowane napięcie VLSI

Iść Złącze wbudowane w napięcie = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Stężenie akceptora*Stężenie dawcy/(Wewnętrzna koncentracja)^2)

Całkowita pojemność pasożytnicza źródła

Iść Źródło pojemności pasożytniczej = (Pojemność pomiędzy złączem ciała i źródła*Obszar dyfuzji źródła)+(Pojemność pomiędzy połączeniem korpusu i ścianą boczną*Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji)

Prąd nasycenia krótkiego kanału VLSI

Iść Prąd nasycenia krótkiego kanału = Szerokość kanału*Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu*Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni*Napięcie źródła drenażu nasycenia

Prąd złącza

Iść Prąd złącza = (Moc statyczna/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd podprogowy+Aktualna rywalizacja+Prąd bramki)

Potencjał powierzchniowy

Iść Potencjał powierzchni = 2*Różnica potencjałów ciała źródłowego*ln(Stężenie akceptora/Wewnętrzna koncentracja)

Współczynnik DIBL

Iść Współczynnik DIBL = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Drenaż do potencjału źródłowego

Napięcie progowe, gdy źródło ma potencjał ciała

Iść Napięcie progowe DIBL = Współczynnik DIBL*Drenaż do potencjału źródłowego+Próg napięcia

Nachylenie podprogowe

Iść Nachylenie podprogu = Różnica potencjałów ciała źródłowego*Współczynnik DIBL*ln(10)

Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki

Iść Długość bramy = Pojemność bramki/(Pojemność warstwy tlenku bramki*Szerokość bramy)

Pojemność tlenkowa bramki

Iść Pojemność warstwy tlenku bramki = Pojemność bramki/(Szerokość bramy*Długość bramy)

Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu = Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni*Współczynnik skalowania

Pojemność bramki

Iść Pojemność bramki = Opłata za kanał/(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Opłata za kanał

Iść Opłata za kanał = Pojemność bramki*(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Próg napięcia

Iść Próg napięcia = Napięcie bramki do kanału-(Opłata za kanał/Pojemność bramki)

Grubość tlenku bramki po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Grubość tlenku bramki po pełnym skalowaniu = Grubość tlenku bramki/Współczynnik skalowania

Głębokość połączenia po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Głębokość połączenia po pełnym skalowaniu = Głębokość połączenia/Współczynnik skalowania

Krytyczne napięcie

Iść Napięcie krytyczne = Krytyczne pole elektryczne*Pole elektryczne na długości kanału

Szerokość kanału po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Szerokość kanału po pełnym skalowaniu = Szerokość kanału/Współczynnik skalowania

Wewnętrzna pojemność bramki

Iść Pojemność nakładania się bramki MOS = Pojemność bramki MOS*Szerokość przejścia

Długość kanału po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Długość kanału po pełnym skalowaniu = Długość kanału/Współczynnik skalowania

Mobilność w Mosfecie

Iść Mobilność w MOSFET-ie = K. Premier/Pojemność warstwy tlenku bramki

K-Prime

Iść K. Premier = Mobilność w MOSFET-ie*Pojemność warstwy tlenku bramki

Współczynnik efektu ciała Formułę

Jak korpus, czwarty zacisk tranzystora, wpływa na napięcie progowe?

Korpus jest ukrytym czwartym zaciskiem tranzystora. Gdy napięcie zostanie przyłożone między źródłem a korpusem, zwiększa to ilość ładunku wymaganego do odwrócenia kanału, a tym samym zwiększa napięcie progowe. Efekt ciała dodatkowo pogarsza wydajność tranzystorów przejściowych próbujących przekazać słabą wartość.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!