Lichaamseffectcoëfficiënt Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie

Analoog VLSI-ontwerp

✖De drempelspanning van de transistor is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.ⓘ Drempelspanning [V_t]			+10% -10%
✖Drempelspanning dibl wordt gedefinieerd als de minimale spanning die vereist is door de bronovergang van het lichaamspotentiaal, wanneer de bron zich op het lichaamspotentiaal bevindt.ⓘ Drempelspanning DIBL [V_t0]			+10% -10%
✖Oppervlaktepotentieel is een sleutelparameter bij het evalueren van de DC-eigenschap van dunnefilmtransistors.ⓘ Oppervlaktepotentieel [Φ_s]			+10% -10%
✖Het potentiaalverschil van het bronlichaam wordt berekend wanneer een extern aangelegde potentiaal gelijk is aan de som van de spanningsval over de oxidelaag en de spanningsval over de halfgeleider.ⓘ Bron Lichaamspotentieelverschil [V_sb]			+10% -10%

✖Body Effect Coëfficiënt is de invloed van de bron-bulkspanning op de stroom als gevolg van de verandering van de drempelspanning.ⓘ Lichaamseffectcoëfficiënt [γ]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Lichaamseffectcoëfficiënt

Formule

`"γ" = "modulus"(("V"_{"t"}-"V"_{"t0"})/(sqrt("Φ"_{"s"}+("V"_{"sb"}))-sqrt("Φ"_{"s"})))`

Voorbeeld

`"1.169855"="modulus"(("0.3V"-"0.59V")/(sqrt("6.86V"+("1.36V"))-sqrt("6.86V")))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf

Lichaamseffectcoëfficiënt Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))
γ = modulus((V_t-V_t0)/(sqrt(Φ_s+(V_sb))-sqrt(Φ_s)))
Deze formule gebruikt 2 Functies, 5 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
modulus - De modulus van een getal is de rest wanneer dat getal wordt gedeeld door een ander getal., modulus

Variabelen gebruikt

Lichaamseffectcoëfficiënt - Body Effect Coëfficiënt is de invloed van de bron-bulkspanning op de stroom als gevolg van de verandering van de drempelspanning.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.
Drempelspanning DIBL - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning dibl wordt gedefinieerd als de minimale spanning die vereist is door de bronovergang van het lichaamspotentiaal, wanneer de bron zich op het lichaamspotentiaal bevindt.
Oppervlaktepotentieel - (Gemeten in Volt) - Oppervlaktepotentieel is een sleutelparameter bij het evalueren van de DC-eigenschap van dunnefilmtransistors.
Bron Lichaamspotentieelverschil - (Gemeten in Volt) - Het potentiaalverschil van het bronlichaam wordt berekend wanneer een extern aangelegde potentiaal gelijk is aan de som van de spanningsval over de oxidelaag en de spanningsval over de halfgeleider.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Drempelspanning: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Geen conversie vereist
Oppervlaktepotentieel: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Geen conversie vereist
Bron Lichaamspotentieelverschil: 1.36 Volt --> 1.36 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

γ = modulus((V_t-V_t0)/(sqrt(Φ_s+(V_sb))-sqrt(Φ_s))) --> modulus((0.3-0.59)/(sqrt(6.86+(1.36))-sqrt(6.86)))

Evalueren ... ...

γ = 1.16985454290539

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.16985454290539 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.16985454290539 ≈ 1.169855 <-- Lichaamseffectcoëfficiënt

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Lichaamseffectcoëfficiënt

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI

Gaan Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied = -(1-((Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron+Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer)/(2*Kanaallengte)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))

Lichaamseffectcoëfficiënt

Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

Verbinding Ingebouwde spanning VLSI

Gaan Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)

PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI

Gaan Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))

Totale bronparasitaire capaciteit

Gaan Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)

Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI

Gaan Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning

Junction Current

Gaan Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)

Oppervlakte Potentieel

Gaan Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)

Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt

Gaan Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning

DIBL-coëfficiënt

Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Subdrempel Helling

Gaan Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)

Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit

Gaan Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)

Gate-oxidecapaciteit

Gaan Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)

Poortcapaciteit

Gaan Poortcapaciteit = Kanaalkosten/(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Drempelspanning

Gaan Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)

Kanaallading

Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI

Gaan Oxidecapaciteit na volledige schaling = Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Schaalfactor

Kritieke spanning

Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI

Gaan Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor

Intrinsieke poortcapaciteit

Gaan MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte

Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI

Gaan Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor

Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaalbreedte na volledige schaling = Kanaalbreedte/Schaalfactor

Mobiliteit in Mosfet

Gaan Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer

Kanaallengte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaallengte na volledige schaling = Kanaallengte/Schaalfactor

K-Prime

Gaan K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer

Lichaamseffectcoëfficiënt Formule

Hoe beïnvloedt het lichaam, de vierde aansluiting van een transistor, de drempelspanning?

Het lichaam is een impliciete vierde aansluiting van een transistor. Wanneer er een spanning wordt aangelegd tussen de bron en het lichaam, verhoogt dit de hoeveelheid lading die nodig is om het kanaal om te keren, en verhoogt het dus de drempelspanning. Het body-effect verslechtert verder de prestaties van pass-transistors die de zwakke waarde proberen te passeren.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!