Dreno de corrente determinado parâmetro do dispositivo Calculadora

✖A transcondutância é a relação entre a mudança na corrente no terminal de saída e a mudança na tensão no terminal de entrada de um dispositivo ativo.ⓘ Transcondutância [G_m]			+10% -10%
✖Aspect Ratio é a relação entre a largura do canal e o comprimento do canal.ⓘ Proporção da tela [WL]			+10% -10%
✖Tensão efetiva ou tensão de overdrive é o excesso de tensão através do óxido sobre a tensão térmica.ⓘ Tensão efetiva [V_ov]			+10% -10%
✖A tensão limite do transistor é o portão mínimo para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.ⓘ Tensão de limiar [V_th]			+10% -10%
✖parâmetro do dispositivo é o parâmetro usado no cálculo relacionado ao BJT.ⓘ Parâmetro do dispositivo [V_A]			+10% -10%
✖A tensão entre dreno e fonte é aplicada tensão positiva entre dreno e fonte, induzindo um canal.ⓘ Tensão entre Dreno e Fonte [V_DS]			+10% -10%

✖A corrente de dreno abaixo da tensão limite é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão do portão para a fonte.ⓘ Dreno de corrente determinado parâmetro do dispositivo [I_d]

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Fórmula

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Dreno de corrente determinado parâmetro do dispositivo

Fórmula

`"I"_{"d"} = 1/2*"G"_{"m"}*"WL"*("V"_{"ov"}-"V"_{"th"})^2*(1+"V"_{"A"}*"V"_{"DS"})`

Exemplo

`"3366.129mA"=1/2*"1.72mS"*"8.75"*("25V"-"5.50V")^2*(1+"0.024"*"7.35V")`

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Dreno de corrente determinado parâmetro do dispositivo Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Drenar Corrente = 1/2*Transcondutância*Proporção da tela*(Tensão efetiva-Tensão de limiar)^2*(1+Parâmetro do dispositivo*Tensão entre Dreno e Fonte)
I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS)
Esta fórmula usa 7 Variáveis

Variáveis Usadas

Drenar Corrente - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno abaixo da tensão limite é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão do portão para a fonte.
Transcondutância - (Medido em Siemens) - A transcondutância é a relação entre a mudança na corrente no terminal de saída e a mudança na tensão no terminal de entrada de um dispositivo ativo.
Proporção da tela - Aspect Ratio é a relação entre a largura do canal e o comprimento do canal.
Tensão efetiva - (Medido em Volt) - Tensão efetiva ou tensão de overdrive é o excesso de tensão através do óxido sobre a tensão térmica.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é o portão mínimo para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.
Parâmetro do dispositivo - parâmetro do dispositivo é o parâmetro usado no cálculo relacionado ao BJT.
Tensão entre Dreno e Fonte - (Medido em Volt) - A tensão entre dreno e fonte é aplicada tensão positiva entre dreno e fonte, induzindo um canal.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Transcondutância: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Proporção da tela: 8.75 --> Nenhuma conversão necessária
Tensão efetiva: 25 Volt --> 25 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 5.5 Volt --> 5.5 Volt Nenhuma conversão necessária
Parâmetro do dispositivo: 0.024 --> Nenhuma conversão necessária
Tensão entre Dreno e Fonte: 7.35 Volt --> 7.35 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS) --> 1/2*0.00172*8.75*(25-5.5)^2*(1+0.024*7.35)

Avaliando ... ...

I_d = 3.3661289025

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

3.3661289025 Ampere -->3366.1289025 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

3366.1289025 ≈ 3366.129 Miliamperes <-- Drenar Corrente

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 14 Corrente Base Calculadoras

Corrente de base usando corrente de saturação em CC

Vai Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*e^(Tensão do Coletor de Base/Tensão Térmica)+Pressão de vapor de saturação*e^(Tensão do Coletor de Base/Tensão Térmica)

Corrente de saturação usando concentração de dopagem

Vai Corrente de saturação = (Área da Seção Transversal da Junção Base-Emissor*[Charge-e]*Difusividade de elétrons*(Concentração de Portadores Intrínsecos)^2)/(Largura da junção da base*Dopagem Concentração de Base)

Ganho de corrente de curto-circuito do BJT

Vai Ganho de corrente de curto-circuito = (Ganho de corrente do emissor comum em baixa frequência)/(1+Variável de frequência complexa*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)*Resistência de entrada)

Dreno de corrente determinado parâmetro do dispositivo

Vai Drenar Corrente = 1/2*Transcondutância*Proporção da tela*(Tensão efetiva-Tensão de limiar)^2*(1+Parâmetro do dispositivo*Tensão entre Dreno e Fonte)

Corrente Base 2 do BJT

Vai Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*(e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica))

Corrente de base do transistor PNP usando corrente de saturação

Vai Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)

Corrente de Referência do Espelho BJT

Vai Corrente de referência = Coletor atual+(2*Coletor atual)/Ganho de Corrente do Emissor Comum

Corrente de Referência do Espelho de Corrente BJT

Vai Corrente de referência = (Tensão de alimentação-Tensão Base-Emissor)/Resistência

Corrente de Referência do Espelho BJT dada a Corrente do Coletor

Vai Corrente de referência = Coletor atual*(1+2/Ganho de Corrente do Emissor Comum)

Corrente de base do transistor PNP dada a corrente do emissor

Vai Corrente base = corrente do emissor/(Ganho de Corrente do Emissor Comum+1)

Corrente de base do transistor PNP usando ganho de corrente de base comum

Vai Corrente base = (1-Ganho de corrente de base comum)*corrente do emissor

Corrente de Base do Transistor PNP usando Corrente de Coletor

Vai Corrente base = Coletor atual/Ganho de Corrente do Emissor Comum

Corrente Base 1 do BJT

Vai Corrente base = Coletor atual/Ganho de Corrente do Emissor Comum

Corrente base total

Vai Corrente base = Corrente base 1+Corrente base 2

Dreno de corrente determinado parâmetro do dispositivo Fórmula

Drenar Corrente = 1/2*Transcondutância*Proporção da tela*(Tensão efetiva-Tensão de limiar)^2*(1+Parâmetro do dispositivo*Tensão entre Dreno e Fonte)
I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS)

O que é dreno de corrente no MOSFET?

A corrente de drenagem abaixo da tensão limite é definida como a corrente subliminar e varia exponencialmente com Vgs. A recíproca da inclinação do log (Ids) vs. característica Vgs é definida como a inclinação do sublimiar, S, e é uma das métricas de desempenho mais críticas para MOSFETs em aplicativos lógicos.

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