Mnożenie elektronów Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Elektrony

Nośniki półprzewodnikowe

Zespół energetyczny

Złącze SSD

✖Liczba elektronów poza regionem odnosi się do całkowitej liczby elektronów wychodzących z określonego regionu.ⓘ Liczba elektronów poza regionem [n_out]			+10% -10%
✖Liczba elektronów w regionie odnosi się do całkowitej liczby elektronów obecnych w określonym regionie w określonym czasie.ⓘ Liczba elektronów w regionie [n_in]			+10% -10%

✖Mnożenie elektronów odnosi się do zjawiska, które występuje w niektórych typach urządzeń elektronicznych, takich jak fotopowielacze (PMT) lub fotodiody lawinowe (APD).ⓘ Mnożenie elektronów [M_n]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Mnożenie elektronów

Formuła

`"M"_{"n"} = "n"_{"out"}/"n"_{"in"}`

Przykład

`"4"="60"/"15"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektrony Formuły PDF PDF Image

Mnożenie elektronów Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Mnożenie elektronów = Liczba elektronów poza regionem/Liczba elektronów w regionie
M_n = n_out/n_in
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Mnożenie elektronów - Mnożenie elektronów odnosi się do zjawiska, które występuje w niektórych typach urządzeń elektronicznych, takich jak fotopowielacze (PMT) lub fotodiody lawinowe (APD).
Liczba elektronów poza regionem - Liczba elektronów poza regionem odnosi się do całkowitej liczby elektronów wychodzących z określonego regionu.
Liczba elektronów w regionie - Liczba elektronów w regionie odnosi się do całkowitej liczby elektronów obecnych w określonym regionie w określonym czasie.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Liczba elektronów poza regionem: 60 --> Nie jest wymagana konwersja
Liczba elektronów w regionie: 15 --> Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

M_n = n_out/n_in --> 60/15

Ocenianie ... ...

M_n = 4

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

4 --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

4 <-- Mnożenie elektronów

(Obliczenie zakończone za 00.005 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Urządzenia półprzewodnikowe » Elektrony » Mnożenie elektronów

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 18 Elektrony Kalkulatory

Zależna od Phi funkcja fali

Iść Φ Zależna funkcja falowa = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Falowa liczba kwantowa*Kąt funkcji falowej))

Porządek dyfrakcji

Iść Kolejność dyfrakcji = (2*Przestrzeń szczepienia*sin(Kąt padania))/Długość fali promienia

Gęstość strumienia elektronów

Iść Gęstość strumienia elektronów = (Średni elektron na swobodnej ścieżce/(2*Czas))*Różnica w koncentracji elektronów

Średnia wolna ścieżka

Iść Średni elektron na swobodnej ścieżce = (Gęstość strumienia elektronów/(Różnica w koncentracji elektronów))*2*Czas

Stan kwantowy

Iść Energia w stanie kwantowym = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa cząstek*Potencjalna długość studni^2)

Przewodność AC

Iść Przewodność AC = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatura))*Prąd elektryczny

Promień N-tej orbity elektronu

Iść Promień n-tej orbity elektronu = ([Coulomb]*Liczba kwantowa^2*[hP]^2)/(Masa cząstek*[Charge-e]^2)

Komponent otworu

Iść Komponent otworu = Składnik elektronowy*Wydajność wtrysku emitera/(1-Wydajność wtrysku emitera)

Składnik elektronowy

Iść Składnik elektronowy = ((Komponent otworu)/Wydajność wtrysku emitera)-Komponent otworu

Średni czas spędzony przez dziurę

Iść Średni czas spędzony przez dziurę = Szybkość generacji optycznej*Upadek przewoźnika większościowego

Różnica w koncentracji elektronów

Iść Różnica w koncentracji elektronów = Koncentracja elektronów 1-Koncentracja elektronów 2

Elektron poza regionem

Iść Liczba elektronów poza regionem = Mnożenie elektronów*Liczba elektronów w regionie

Elektron w regionie

Iść Liczba elektronów w regionie = Liczba elektronów poza regionem/Mnożenie elektronów

Mnożenie elektronów

Iść Mnożenie elektronów = Liczba elektronów poza regionem/Liczba elektronów w regionie

Całkowita gęstość prądu nośnego

Iść Całkowita gęstość prądu nośnej = Gęstość prądu elektronowego+Gęstość prądu otworu

Gęstość prądu elektronowego

Iść Gęstość prądu elektronowego = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu otworu

Gęstość prądu w otworze

Iść Gęstość prądu otworu = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu elektronowego

Amplituda funkcji falowej

Iść Amplituda funkcji falowej = sqrt(2/Potencjalna długość studni)

< 15 Nośniki półprzewodnikowe Kalkulatory

Wewnętrzne stężenie nośnika

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa)*exp(-Przerwa energetyczna/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Iść Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))

Gęstość strumienia elektronów

Iść Gęstość strumienia elektronów = (Średni elektron na swobodnej ścieżce/(2*Czas))*Różnica w koncentracji elektronów

Stan kwantowy

Iść Energia w stanie kwantowym = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa cząstek*Potencjalna długość studni^2)

Promień N-tej orbity elektronu

Iść Promień n-tej orbity elektronu = ([Coulomb]*Liczba kwantowa^2*[hP]^2)/(Masa cząstek*[Charge-e]^2)

Funkcja Fermiego

Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa

Efektywny stan gęstości w paśmie walencyjnym

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym = Koncentracja dziur w paśmie Valance'a/(1-Funkcja Fermiego)

Średni czas spędzony przez dziurę

Iść Średni czas spędzony przez dziurę = Szybkość generacji optycznej*Upadek przewoźnika większościowego

Współczynnik dystrybucji

Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy

Mnożenie elektronów

Iść Mnożenie elektronów = Liczba elektronów poza regionem/Liczba elektronów w regionie

Gęstość prądu elektronowego

Iść Gęstość prądu elektronowego = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu otworu

Gęstość prądu w otworze

Iść Gęstość prądu otworu = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu elektronowego

Nadmierne stężenie nośnika

Iść Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji

Energia pasma przewodnictwa

Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego

Energia fotoelektronów

Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

Mnożenie elektronów Formułę

Mnożenie elektronów = Liczba elektronów poza regionem/Liczba elektronów w regionie
M_n = n_out/n_in

Co robi mnożnik elektronów?

Co robi mnożnik elektronów? Mnożnik elektronów służy do wykrywania obecności sygnałów jonowych wychodzących z analizatora mas spektrometru mas. Jest to zasadniczo „oczy” instrumentu. Zadaniem powielacza elektronów jest wykrycie każdego jonu o wybranej masie przechodzącego przez filtr masowy.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!