Współczynnik dystrybucji Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

⤿

Nośniki półprzewodnikowe

Złącze SSD

✖Stężenie zanieczyszczenia w substancji stałej to ilość zanieczyszczenia dodanego w celu przeprowadzenia domieszkowania w substancji stałej.ⓘ Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym [C_solid]			+10% -10%
✖Stężenie zanieczyszczeń w płynie odnosi się do stężenia zanieczyszczeń dodanych do płynu w celu domieszkowania.ⓘ Stężenie zanieczyszczeń w cieczy [C_L]			+10% -10%

✖Współczynnik dystrybucji to stężenie substancji rozpuszczonej w dwóch różnych typach rozpuszczalników.ⓘ Współczynnik dystrybucji [k_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Współczynnik dystrybucji

Formuła

`"k"_{"d"} = "C"_{"solid"}/"C"_{"L"}`

Przykład

`"0.404"="1.01e15cm⁻¹"/"2.5e15cm⁻¹"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Zespół energetyczny Formuły PDF PDF Image

Współczynnik dystrybucji Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy
k_d = C_solid/C_L
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Współczynnik dystrybucji - Współczynnik dystrybucji to stężenie substancji rozpuszczonej w dwóch różnych typach rozpuszczalników.
Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym - (Mierzone w 1 na metr) - Stężenie zanieczyszczenia w substancji stałej to ilość zanieczyszczenia dodanego w celu przeprowadzenia domieszkowania w substancji stałej.
Stężenie zanieczyszczeń w cieczy - (Mierzone w 1 na metr) - Stężenie zanieczyszczeń w płynie odnosi się do stężenia zanieczyszczeń dodanych do płynu w celu domieszkowania.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym: 1.01E+15 1 / centymetr --> 1.01E+17 1 na metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Stężenie zanieczyszczeń w cieczy: 2.5E+15 1 / centymetr --> 2.5E+17 1 na metr (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

k_d = C_solid/C_L --> 1.01E+17/2.5E+17

Ocenianie ... ...

k_d = 0.404

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.404 --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.404 <-- Współczynnik dystrybucji

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Urządzenia półprzewodnikowe » Zespół energetyczny » Współczynnik dystrybucji

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 20 Zespół energetyczny Kalkulatory

Wewnętrzne stężenie nośnika

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa)*exp(-Przerwa energetyczna/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Iść Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))

Energia elektronu przy danej stałej Coulomba

Iść Energia elektronu = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potencjalna długość studni^2)

Koncentracja elektronów w stanie ustalonym

Iść Stężenie nośników w stanie stacjonarnym = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa+Nadmierne stężenie nośnika

Koncentracja w paśmie przewodnictwa

Iść Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa = Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa*Funkcja Fermiego

Efektywna gęstość stanu

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Funkcja Fermiego

Funkcja Fermiego

Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa

Efektywny stan gęstości w paśmie walencyjnym

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym = Koncentracja dziur w paśmie Valance'a/(1-Funkcja Fermiego)

Koncentracja dziur w paśmie walencyjnym

Iść Koncentracja dziur w paśmie Valance'a = Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*(1-Funkcja Fermiego)

Żywotność rekombinacji

Iść Żywotność rekombinacji = (Proporcjonalność dla rekombinacji*Koncentracja dziur w paśmie Valance'a)^-1

Współczynnik dystrybucji

Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy

Stężenie w płynie

Iść Stężenie zanieczyszczeń w cieczy = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Współczynnik dystrybucji

Szybkość zmian netto w paśmie przewodnictwa

Iść Proporcjonalność dla rekombinacji = Wytwarzanie ciepła/(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)

Szybkość wytwarzania ciepła

Iść Wytwarzanie ciepła = Proporcjonalność dla rekombinacji*(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)

Szybkość generacji optycznej

Iść Szybkość generacji optycznej = Nadmierne stężenie nośnika/Żywotność rekombinacji

Nadmierne stężenie nośnika

Iść Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji

Energia pasma przewodnictwa

Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego

Energia pasma walencyjnego

Iść Energia pasma walencyjnego = Energia pasma przewodnictwa-Przerwa energetyczna

Przerwa energetyczna

Iść Przerwa energetyczna = Energia pasma przewodnictwa-Energia pasma walencyjnego

Energia fotoelektronów

Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

< 15 Nośniki półprzewodnikowe Kalkulatory

Wewnętrzne stężenie nośnika

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa)*exp(-Przerwa energetyczna/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Iść Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))

Gęstość strumienia elektronów

Iść Gęstość strumienia elektronów = (Średni elektron na swobodnej ścieżce/(2*Czas))*Różnica w koncentracji elektronów

Stan kwantowy

Iść Energia w stanie kwantowym = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa cząstek*Potencjalna długość studni^2)

Promień N-tej orbity elektronu

Iść Promień n-tej orbity elektronu = ([Coulomb]*Liczba kwantowa^2*[hP]^2)/(Masa cząstek*[Charge-e]^2)

Funkcja Fermiego

Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa

Efektywny stan gęstości w paśmie walencyjnym

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym = Koncentracja dziur w paśmie Valance'a/(1-Funkcja Fermiego)

Średni czas spędzony przez dziurę

Iść Średni czas spędzony przez dziurę = Szybkość generacji optycznej*Upadek przewoźnika większościowego

Współczynnik dystrybucji

Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy

Mnożenie elektronów

Iść Mnożenie elektronów = Liczba elektronów poza regionem/Liczba elektronów w regionie

Gęstość prądu elektronowego

Iść Gęstość prądu elektronowego = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu otworu

Gęstość prądu w otworze

Iść Gęstość prądu otworu = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu elektronowego

Nadmierne stężenie nośnika

Iść Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji

Energia pasma przewodnictwa

Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego

Energia fotoelektronów

Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

Współczynnik dystrybucji Formułę

Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy
k_d = C_solid/C_L

Jak znaleźć współczynnik podziału?

Stosunek rozpuszczalności w dwóch rozpuszczalnikach nazywany jest współczynnikiem dystrybucji KD = C1/C2, który jest stałą równowagi o wartości charakterystycznej dla dowolnego związku w danej temperaturze. Całkowita ilość wyekstrahowana przez 100 ml jako 2 x 50 ml porcje eteru wynosi zatem 0,92 g.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!