Energia pasma przewodnictwa Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego
Ec = Eg+Ev
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Energia pasma przewodnictwa - (Mierzone w Dżul) - Pasmo przewodnictwa Energia to pasmo energii w materiale, w którym elektrony mogą się swobodnie poruszać i uczestniczyć w przewodnictwie elektrycznym.
Przerwa energetyczna - (Mierzone w Dżul) - Luka energetyczna w fizyce ciała stałego, przerwa energetyczna to zakres energii w ciele stałym, w którym nie istnieją stany elektronowe.
Energia pasma walencyjnego - (Mierzone w Dżul) - Energia pasma walencyjnego jest definiowana jako najwyższy poziom energii w paśmie walencyjnym.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Przerwa energetyczna: 0.198 Elektron-wolt --> 3.17231111340001E-20 Dżul (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Energia pasma walencyjnego: 17.302 Elektron-wolt --> 2.77208721636601E-18 Dżul (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Ec = Eg+Ev --> 3.17231111340001E-20+2.77208721636601E-18
Ocenianie ... ...
Ec = 2.80381032750001E-18
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
2.80381032750001E-18 Dżul -->17.5 Elektron-wolt (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
17.5 Elektron-wolt <-- Energia pasma przewodnictwa
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

20 Zespół energetyczny Kalkulatory

Wewnętrzne stężenie nośnika
​ Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa)*exp(-Przerwa energetyczna/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Iść Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))
Energia elektronu przy danej stałej Coulomba
​ Iść Energia elektronu = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potencjalna długość studni^2)
Koncentracja elektronów w stanie ustalonym
​ Iść Stężenie nośników w stanie stacjonarnym = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa+Nadmierne stężenie nośnika
Koncentracja w paśmie przewodnictwa
​ Iść Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa = Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa*Funkcja Fermiego
Efektywna gęstość stanu
​ Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Funkcja Fermiego
Funkcja Fermiego
​ Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa
Efektywny stan gęstości w paśmie walencyjnym
​ Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym = Koncentracja dziur w paśmie Valance'a/(1-Funkcja Fermiego)
Koncentracja dziur w paśmie walencyjnym
​ Iść Koncentracja dziur w paśmie Valance'a = Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*(1-Funkcja Fermiego)
Żywotność rekombinacji
​ Iść Żywotność rekombinacji = (Proporcjonalność dla rekombinacji*Koncentracja dziur w paśmie Valance'a)^-1
Współczynnik dystrybucji
​ Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy
Stężenie w płynie
​ Iść Stężenie zanieczyszczeń w cieczy = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Współczynnik dystrybucji
Szybkość zmian netto w paśmie przewodnictwa
​ Iść Proporcjonalność dla rekombinacji = Wytwarzanie ciepła/(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)
Szybkość wytwarzania ciepła
​ Iść Wytwarzanie ciepła = Proporcjonalność dla rekombinacji*(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)
Szybkość generacji optycznej
​ Iść Szybkość generacji optycznej = Nadmierne stężenie nośnika/Żywotność rekombinacji
Nadmierne stężenie nośnika
​ Iść Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji
Energia pasma przewodnictwa
​ Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego
Energia pasma walencyjnego
​ Iść Energia pasma walencyjnego = Energia pasma przewodnictwa-Przerwa energetyczna
Przerwa energetyczna
​ Iść Przerwa energetyczna = Energia pasma przewodnictwa-Energia pasma walencyjnego
Energia fotoelektronów
​ Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

15 Nośniki półprzewodnikowe Kalkulatory

Wewnętrzne stężenie nośnika
​ Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa)*exp(-Przerwa energetyczna/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Iść Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))
Gęstość strumienia elektronów
​ Iść Gęstość strumienia elektronów = (Średni elektron na swobodnej ścieżce/(2*Czas))*Różnica w koncentracji elektronów
Stan kwantowy
​ Iść Energia w stanie kwantowym = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa cząstek*Potencjalna długość studni^2)
Promień N-tej orbity elektronu
​ Iść Promień n-tej orbity elektronu = ([Coulomb]*Liczba kwantowa^2*[hP]^2)/(Masa cząstek*[Charge-e]^2)
Funkcja Fermiego
​ Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa
Efektywny stan gęstości w paśmie walencyjnym
​ Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym = Koncentracja dziur w paśmie Valance'a/(1-Funkcja Fermiego)
Średni czas spędzony przez dziurę
​ Iść Średni czas spędzony przez dziurę = Szybkość generacji optycznej*Upadek przewoźnika większościowego
Współczynnik dystrybucji
​ Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy
Mnożenie elektronów
​ Iść Mnożenie elektronów = Liczba elektronów poza regionem/Liczba elektronów w regionie
Gęstość prądu elektronowego
​ Iść Gęstość prądu elektronowego = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu otworu
Gęstość prądu w otworze
​ Iść Gęstość prądu otworu = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu elektronowego
Nadmierne stężenie nośnika
​ Iść Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji
Energia pasma przewodnictwa
​ Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego
Energia fotoelektronów
​ Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

Energia pasma przewodnictwa Formułę

Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego
Ec = Eg+Ev

Co to jest krawędź pasma w półprzewodniku?

W fizyce półprzewodników w stanie stałym diagram pasmowy jest diagramem przedstawiającym różne kluczowe poziomy energii elektronów (poziom Fermiego i pobliskie krawędzie pasma energii) jako funkcję pewnego wymiaru przestrzennego, który często jest oznaczany jako x

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!