Funkcja Fermiego Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa
fE = n0/Nc
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Funkcja Fermiego - Funkcja Fermiego jest zdefiniowana jako termin używany do opisania szczytu zbioru poziomów energii elektronów w temperaturze zera absolutnego.
Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie elektronów w paśmie przewodnictwa odnosi się do ilości lub obfitości wolnych elektronów dostępnych do przewodzenia w paśmie przewodnictwa materiału półprzewodnikowego.
Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa definiowana jest jako liczba równoważnych minimów energii w paśmie przewodnictwa.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa: 14000000 1 na metr sześcienny --> 14000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa: 640000000 1 na metr sześcienny --> 640000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
fE = n0/Nc --> 14000000/640000000
Ocenianie ... ...
fE = 0.021875
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.021875 --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.021875 <-- Funkcja Fermiego
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

20 Zespół energetyczny Kalkulatory

Wewnętrzne stężenie nośnika
​ Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa)*exp(-Przerwa energetyczna/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Iść Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))
Energia elektronu przy danej stałej Coulomba
​ Iść Energia elektronu = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potencjalna długość studni^2)
Koncentracja elektronów w stanie ustalonym
​ Iść Stężenie nośników w stanie stacjonarnym = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa+Nadmierne stężenie nośnika
Koncentracja w paśmie przewodnictwa
​ Iść Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa = Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa*Funkcja Fermiego
Efektywna gęstość stanu
​ Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Funkcja Fermiego
Funkcja Fermiego
​ Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa
Efektywny stan gęstości w paśmie walencyjnym
​ Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym = Koncentracja dziur w paśmie Valance'a/(1-Funkcja Fermiego)
Koncentracja dziur w paśmie walencyjnym
​ Iść Koncentracja dziur w paśmie Valance'a = Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*(1-Funkcja Fermiego)
Żywotność rekombinacji
​ Iść Żywotność rekombinacji = (Proporcjonalność dla rekombinacji*Koncentracja dziur w paśmie Valance'a)^-1
Współczynnik dystrybucji
​ Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy
Stężenie w płynie
​ Iść Stężenie zanieczyszczeń w cieczy = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Współczynnik dystrybucji
Szybkość zmian netto w paśmie przewodnictwa
​ Iść Proporcjonalność dla rekombinacji = Wytwarzanie ciepła/(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)
Szybkość wytwarzania ciepła
​ Iść Wytwarzanie ciepła = Proporcjonalność dla rekombinacji*(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)
Szybkość generacji optycznej
​ Iść Szybkość generacji optycznej = Nadmierne stężenie nośnika/Żywotność rekombinacji
Nadmierne stężenie nośnika
​ Iść Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji
Energia pasma przewodnictwa
​ Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego
Energia pasma walencyjnego
​ Iść Energia pasma walencyjnego = Energia pasma przewodnictwa-Przerwa energetyczna
Przerwa energetyczna
​ Iść Przerwa energetyczna = Energia pasma przewodnictwa-Energia pasma walencyjnego
Energia fotoelektronów
​ Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

15 Nośniki półprzewodnikowe Kalkulatory

Wewnętrzne stężenie nośnika
​ Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa)*exp(-Przerwa energetyczna/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Iść Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))
Gęstość strumienia elektronów
​ Iść Gęstość strumienia elektronów = (Średni elektron na swobodnej ścieżce/(2*Czas))*Różnica w koncentracji elektronów
Stan kwantowy
​ Iść Energia w stanie kwantowym = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa cząstek*Potencjalna długość studni^2)
Promień N-tej orbity elektronu
​ Iść Promień n-tej orbity elektronu = ([Coulomb]*Liczba kwantowa^2*[hP]^2)/(Masa cząstek*[Charge-e]^2)
Funkcja Fermiego
​ Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa
Efektywny stan gęstości w paśmie walencyjnym
​ Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym = Koncentracja dziur w paśmie Valance'a/(1-Funkcja Fermiego)
Średni czas spędzony przez dziurę
​ Iść Średni czas spędzony przez dziurę = Szybkość generacji optycznej*Upadek przewoźnika większościowego
Współczynnik dystrybucji
​ Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy
Mnożenie elektronów
​ Iść Mnożenie elektronów = Liczba elektronów poza regionem/Liczba elektronów w regionie
Gęstość prądu elektronowego
​ Iść Gęstość prądu elektronowego = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu otworu
Gęstość prądu w otworze
​ Iść Gęstość prądu otworu = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu elektronowego
Nadmierne stężenie nośnika
​ Iść Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji
Energia pasma przewodnictwa
​ Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego
Energia fotoelektronów
​ Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

Funkcja Fermiego Formułę

Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa
fE = n0/Nc

Co to jest poziom Fermi?

„Poziom Fermiego” to termin używany do opisania szczytu zbioru poziomów energii elektronów w temperaturze zera absolutnego. Koncepcja ta pochodzi ze statystyk Fermi-Dirac.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!