✖Wewnętrzne stężenie nośników jest podstawową właściwością materiału półprzewodnikowego i reprezentuje stężenie generowanych termicznie nośników ładunku przy braku jakichkolwiek wpływów zewnętrznych.ⓘ Wewnętrzne stężenie nośnika [ni] | | | +10% -10% |
✖Domieszkowanie Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów akceptora celowo dodanych do materiału półprzewodnikowego.ⓘ Dopingujące stężenie akceptora [NA] | | | +10% -10% |