Równoważna pojemność złącza dużego sygnału Kalkulator

✖Obwód ściany bocznej to długość ściany bocznej.ⓘ Obwód ściany bocznej [P]			+10% -10%
✖Pojemność złącza ścianki bocznej odnosi się do pojemności związanej ze ścianą boczną złącza półprzewodnikowego.ⓘ Pojemność złącza ściany bocznej [C_jsw]			+10% -10%
✖Współczynnik równoważności napięcia ścianki bocznej reprezentuje zależność pomiędzy napięciem przyłożonym do urządzenia półprzewodnikowego i wynikającą z tego zmianą pojemności złącza ścianki bocznej na jednostkę powierzchni.ⓘ Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej [K_eq(sw)]			+10% -10%

✖Równoważna pojemność złącza dużego sygnału to koncepcja stosowana w analizie obwodów, w której wiele kondensatorów łączy się w jedną równoważną pojemność dużego sygnału.ⓘ Równoważna pojemność złącza dużego sygnału [C_eq(sw)]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

Formuła

`"C"_{"eq(sw)"} = "P"*"C"_{"jsw"}*"K"_{"eq(sw)"}`

Przykład

`"1.5E^-21F"="0.0025m"*"2.9E^-15F"*"0.00021"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału = Obwód ściany bocznej*Pojemność złącza ściany bocznej*Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej
C_eq(sw) = P*C_jsw*K_eq(sw)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału - (Mierzone w Farad) - Równoważna pojemność złącza dużego sygnału to koncepcja stosowana w analizie obwodów, w której wiele kondensatorów łączy się w jedną równoważną pojemność dużego sygnału.
Obwód ściany bocznej - (Mierzone w Metr) - Obwód ściany bocznej to długość ściany bocznej.
Pojemność złącza ściany bocznej - (Mierzone w Farad) - Pojemność złącza ścianki bocznej odnosi się do pojemności związanej ze ścianą boczną złącza półprzewodnikowego.
Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej - Współczynnik równoważności napięcia ścianki bocznej reprezentuje zależność pomiędzy napięciem przyłożonym do urządzenia półprzewodnikowego i wynikającą z tego zmianą pojemności złącza ścianki bocznej na jednostkę powierzchni.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Obwód ściany bocznej: 0.0025 Metr --> 0.0025 Metr Nie jest wymagana konwersja
Pojemność złącza ściany bocznej: 2.9E-15 Farad --> 2.9E-15 Farad Nie jest wymagana konwersja
Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej: 0.00021 --> Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

C_eq(sw) = P*C_jsw*K_eq(sw) --> 0.0025*2.9E-15*0.00021

Ocenianie ... ...

C_eq(sw) = 1.5225E-21

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.5225E-21 Farad --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.5225E-21 ≈ 1.5E-21 Farad <-- Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Tranzystor MOS » Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 21 Tranzystor MOS Kalkulatory

Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej = -(2*sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe)*(sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie końcowe)-sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie początkowe)))

Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym

Iść Region liniowy Prądu ściągającego = sum(x,0,Liczba równoległych tranzystorów sterujących,(Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa/2)*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(2*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie wyjściowe-Napięcie wyjściowe^2))

Napięcie węzła w danym przypadku

Iść Napięcie węzła w danym przypadku = (Współczynnik transkonduktancji/Pojemność węzła)*int(exp(-(1/(Opór węzła*Pojemność węzła))*(Okres czasu-x))*Prąd wpływający do węzła*x,x,0,Okres czasu)

Zmniejsz prąd w obszarze nasycenia

Iść Prąd ściągania obszaru nasycenia = sum(x,0,Liczba równoległych tranzystorów sterujących,(Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa/2)*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2)

Czas nasycenia

Iść Czas nasycenia = -2*Pojemność obciążenia/(Parametr procesu transkonduktancji*(Wysokie napięcie wyjściowe-Próg napięcia)^2)*int(1,x,Wysokie napięcie wyjściowe,Wysokie napięcie wyjściowe-Próg napięcia)

Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS

Iść Prąd spustowy = (Szerokość kanału/Długość kanału)*Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa*int((Napięcie źródła bramki-x-Próg napięcia),x,0,Napięcie źródła drenu)

Opóźnienie czasowe, gdy NMOS działa w obszarze liniowym

Iść Region liniowy w opóźnieniu czasowym = -2*Pojemność złącza*int(1/(Parametr procesu transkonduktancji*(2*(Napięcie wejściowe-Próg napięcia)*x-x^2)),x,Napięcie początkowe,Napięcie końcowe)

Gęstość ładunku w regionie wyczerpania

Iść Gęstość ładunku warstwy zubożonej = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingujące stężenie akceptora*modulus(Potencjał powierzchni-Masowy potencjał Fermiego)))

Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem

Iść Region głębokości wyczerpania drenażu = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Wbudowany potencjał połączenia+Napięcie źródła drenu))/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora))

Prąd drenu w obszarze nasycenia tranzystora MOS

Iść Prąd drenu obszaru nasycenia = Szerokość kanału*Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu*int(Opłata*Parametr krótkiego kanału,x,0,Efektywna długość kanału)

Maksymalna głębokość wyczerpania

Iść Maksymalna głębokość wyczerpania = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Masowy potencjał Fermiego))/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora))

Równoważna duża pojemność sygnału

Iść Równoważna duża pojemność sygnału = (1/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe))*int(Pojemność złącza*x,x,Napięcie początkowe,Napięcie końcowe)

Potencjał Fermiego dla typu P

Iść Potencjał Fermiego dla typu P = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Wewnętrzne stężenie nośnika/Dopingujące stężenie akceptora)

Wbudowany potencjał w regionie wyczerpania

Iść Wbudowane napięcie = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingujące stężenie akceptora*modulus(-2*Masowy potencjał Fermiego)))

Potencjał Fermiego dla typu N

Iść Potencjał Fermiego dla typu N = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Stężenie domieszki dawcy/Wewnętrzne stężenie nośnika)

Region głębokości wyczerpania powiązany ze źródłem

Iść Region głębokości wyczerpania źródła = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Wbudowany potencjał połączenia)/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora))

Współczynnik odchylenia podłoża

Iść Współczynnik odchylenia podłoża = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingujące stężenie akceptora)/Pojemność tlenkowa

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału = Obwód ściany bocznej*Pojemność złącza ściany bocznej*Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Średnia moc rozproszona w danym okresie czasu

Iść Średnia moc = (1/Całkowity czas)*int(Napięcie*Aktualny,x,0,Całkowity zajęty czas)

Funkcja pracy w MOSFET-ie

Iść Funkcja pracy = Poziom próżni+(Poziom energii pasma przewodnictwa-Poziom Fermiego)

Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

Iść Pojemność złącza ściany bocznej = Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej*Głębokość ściany bocznej

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału Formułę

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału = Obwód ściany bocznej*Pojemność złącza ściany bocznej*Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej
C_eq(sw) = P*C_jsw*K_eq(sw)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!