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Fermipotential für P-Typ Taschenrechner
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MOSFET-Eigenschaften
N-Kanal-Verbesserung
P-Kanal-Verbesserung
Steilheit
Stromspannung
Verstärkungsfaktor/Verstärkung
Voreingenommenheit
Widerstand
✖
Die absolute Temperatur ist ein Maß für die Wärmeenergie in einem System und wird in Kelvin gemessen.
ⓘ
Absolute Temperatur [T
a
]
Celsius
Delisle
Fahrenheit
Kelvin
Newton
Rankine
Reaumur
Römer
Tripelpunkt des Wassers
+10%
-10%
✖
Die intrinsische Ladungsträgerkonzentration ist eine grundlegende Eigenschaft eines Halbleitermaterials und stellt die Konzentration thermisch erzeugter Ladungsträger ohne äußere Einflüsse dar.
ⓘ
Intrinsische Trägerkonzentration [n
i
]
Elektronen pro Kubikangström
Elektronen pro Kubikatometer
Elektronen pro Kubikzentimeter
Elektronen pro Kubikfemtometer
Elektronen pro Kubikmeter
Elektronen pro Kubikmikrometer
Elektronen pro Kubikmillimeter
Elektronen pro Kubiknanometer
Elektronen pro Kubikpikometer
+10%
-10%
✖
Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.
ⓘ
Dopingkonzentration des Akzeptors [N
A
]
Elektronen pro Kubikangström
Elektronen pro Kubikatometer
Elektronen pro Kubikzentimeter
Elektronen pro Kubikfemtometer
Elektronen pro Kubikmeter
Elektronen pro Kubikmikrometer
Elektronen pro Kubikmillimeter
Elektronen pro Kubiknanometer
Elektronen pro Kubikpikometer
+10%
-10%
✖
Das Fermipotential für den P-Typ ist das Energieniveau, das die Elektronen mit der höchsten Energie im Valenzband im thermischen Gleichgewicht darstellt.
ⓘ
Fermipotential für P-Typ [Φ
Fp
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
Fermipotential für P-Typ
Formel
`"Φ"_{"Fp"} = ("[BoltZ]"*"T"_{"a"})/"[Charge-e]"*ln("n"_{"i"}/"N"_{"A"})`
Beispiel
`"0.001733V"=("[BoltZ]"*"24.5K")/"[Charge-e]"*ln("3000000electrons/m³"/"1.32electrons/cm³")`
Taschenrechner
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Herunterladen MOSFET Formel Pdf
Fermipotential für P-Typ Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Fermipotential für P-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsische Trägerkonzentration
/
Dopingkonzentration des Akzeptors
)
Φ
Fp
= (
[BoltZ]
*
T
a
)/
[Charge-e]
*
ln
(
n
i
/
N
A
)
Diese formel verwendet
2
Konstanten
,
1
Funktionen
,
4
Variablen
Verwendete Konstanten
[Charge-e]
- Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
[BoltZ]
- Boltzmann-Konstante Wert genommen als 1.38064852E-23
Verwendete Funktionen
ln
- Der natürliche Logarithmus, auch Logarithmus zur Basis e genannt, ist die Umkehrfunktion der natürlichen Exponentialfunktion., ln(Number)
Verwendete Variablen
Fermipotential für P-Typ
-
(Gemessen in Volt)
- Das Fermipotential für den P-Typ ist das Energieniveau, das die Elektronen mit der höchsten Energie im Valenzband im thermischen Gleichgewicht darstellt.
Absolute Temperatur
-
(Gemessen in Kelvin)
- Die absolute Temperatur ist ein Maß für die Wärmeenergie in einem System und wird in Kelvin gemessen.
Intrinsische Trägerkonzentration
-
(Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter)
- Die intrinsische Ladungsträgerkonzentration ist eine grundlegende Eigenschaft eines Halbleitermaterials und stellt die Konzentration thermisch erzeugter Ladungsträger ohne äußere Einflüsse dar.
Dopingkonzentration des Akzeptors
-
(Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter)
- Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Absolute Temperatur:
24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich
Intrinsische Trägerkonzentration:
3000000 Elektronen pro Kubikmeter --> 3000000 Elektronen pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Dopingkonzentration des Akzeptors:
1.32 Elektronen pro Kubikzentimeter --> 1320000 Elektronen pro Kubikmeter
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Φ
Fp
= ([BoltZ]*T
a
)/[Charge-e]*ln(n
i
/N
A
) -->
(
[BoltZ]
*24.5)/
[Charge-e]
*
ln
(3000000/1320000)
Auswerten ... ...
Φ
Fp
= 0.00173329185218156
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.00173329185218156 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.00173329185218156
≈
0.001733 Volt
<--
Fermipotential für P-Typ
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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Fermipotential für P-Typ
Credits
Erstellt von
Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(HITK)
,
Kalkutta
Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
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21 MOS-Transistor Taschenrechner
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Gehen
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
= -(2*
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
)/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
)*(
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Endspannung
)-
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Anfangsspannung
)))
Ziehen Sie den Strom im linearen Bereich herunter
Gehen
Pulldown-Strom im linearen Bereich
=
sum
(x,0,
Anzahl paralleler Treibertransistoren
,(
Elektronenmobilität
*
Oxidkapazität
/2)*(
Kanalbreite
/
Kanallänge
)*(2*(
Gate-Source-Spannung
-
Grenzspannung
)*
Ausgangsspannung
-
Ausgangsspannung
^2))
Knotenspannung bei gegebener Instanz
Gehen
Knotenspannung bei gegebener Instanz
= (
Transkonduktanzfaktor
/
Knotenkapazität
)*
int
(
exp
(-(1/(
Knotenwiderstand
*
Knotenkapazität
))*(
Zeitraum
-x))*
In den Knoten fließender Strom
*x,x,0,
Zeitraum
)
Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich
Gehen
Sättigungsbereich Pulldown-Strom
=
sum
(x,0,
Anzahl paralleler Treibertransistoren
,(
Elektronenmobilität
*
Oxidkapazität
/2)*(
Kanalbreite
/
Kanallänge
)*(
Gate-Source-Spannung
-
Grenzspannung
)^2)
Sättigungszeit
Gehen
Sättigungszeit
= -2*
Ladekapazität
/(
Transkonduktanz-Prozessparameter
*(
Hohe Ausgangsspannung
-
Grenzspannung
)^2)*
int
(1,x,
Hohe Ausgangsspannung
,
Hohe Ausgangsspannung
-
Grenzspannung
)
Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet
Gehen
Linearer Bereich in der Zeitverzögerung
= -2*
Sperrschichtkapazität
*
int
(1/(
Transkonduktanz-Prozessparameter
*(2*(
Eingangsspannung
-
Grenzspannung
)*x-x^2)),x,
Anfangsspannung
,
Endspannung
)
Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor
Gehen
Stromverbrauch
= (
Kanalbreite
/
Kanallänge
)*
Elektronenmobilität
*
Oxidkapazität
*
int
((
Gate-Source-Spannung
-x-
Grenzspannung
),x,0,
Drain-Quellenspannung
)
Ladungsdichte im Verarmungsbereich
Gehen
Dichte der Sperrschichtladung
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
*
modulus
(
Oberflächenpotential
-
Bulk-Fermi-Potenzial
)))
Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion
Gehen
Region der Erschöpfungstiefe von Drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Eingebautes Verbindungspotential
+
Drain-Quellenspannung
))/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
Drainstrom im Sättigungsbereich im MOS-Transistor
Gehen
Drainstrom im Sättigungsbereich
=
Kanalbreite
*
Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit
*
int
(
Aufladen
*
Kurzkanalparameter
,x,0,
Effektive Kanallänge
)
Maximale Erschöpfungstiefe
Gehen
Maximale Erschöpfungstiefe
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Bulk-Fermi-Potenzial
))/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
Fermipotential für P-Typ
Gehen
Fermipotential für P-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsische Trägerkonzentration
/
Dopingkonzentration des Akzeptors
)
Fermipotential für N-Typ
Gehen
Fermipotential für N-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Donator-Dotierstoffkonzentration
/
Intrinsische Trägerkonzentration
)
Eingebautes Potenzial in der Erschöpfungsregion
Gehen
Eingebaute Spannung
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
*
modulus
(-2*
Bulk-Fermi-Potenzial
)))
Mit der Quelle verbundene Tiefe der Erschöpfungsregion
Gehen
Region der Erschöpfungstiefe der Quelle
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Eingebautes Verbindungspotential
)/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
Äquivalente Großsignalkapazität
Gehen
Äquivalente Großsignalkapazität
= (1/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
))*
int
(
Sperrschichtkapazität
*x,x,
Anfangsspannung
,
Endspannung
)
Substrat-Vorspannungskoeffizient
Gehen
Substrat-Vorspannungskoeffizient
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
)/
Oxidkapazität
Durchschnittliche Verlustleistung über einen bestimmten Zeitraum
Gehen
Durchschnittliche Kraft
= (1/
Gesamtzeitaufwand
)*
int
(
Stromspannung
*
Aktuell
,x,0,
Gesamtzeitaufwand
)
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
Gehen
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
=
Umfang der Seitenwand
*
Seitenwandübergangskapazität
*
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Arbeitsfunktion im MOSFET
Gehen
Arbeitsfuntkion
=
Vakuumniveau
+(
Energieniveau des Leitungsbandes
-
Fermi-Level
)
Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit
Gehen
Seitenwandübergangskapazität
=
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
*
Tiefe der Seitenwand
Fermipotential für P-Typ Formel
Fermipotential für P-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsische Trägerkonzentration
/
Dopingkonzentration des Akzeptors
)
Φ
Fp
= (
[BoltZ]
*
T
a
)/
[Charge-e]
*
ln
(
n
i
/
N
A
)
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