Rezystancja wyjściowa przy modulacji długości kanału Kalkulator

↳

Elektronika i oprzyrządowanie

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

⤿

⤿

Analiza małych sygnałów

Charakterystyka MOSFET-u

Transkonduktancja

Ulepszenie kanału N

Ulepszenie kanału P

Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości

Współczynnik odrzucenia sygnału wspólnego (CMRR)

Współczynnik wzmocnienia/wzmocnienie

✖Modulacja długości kanału jest miarą tego, jak bardzo zmienia się efektywna długość kanału tranzystora FET wraz z napięciem dren-źródło.ⓘ Modulacja długości kanału [λ_c]			+10% -10%
✖Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.ⓘ Prąd spustowy [i_d]			+10% -10%

✖Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.ⓘ Rezystancja wyjściowa przy modulacji długości kanału [R_out]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Rezystancja wyjściowa przy modulacji długości kanału

Formuła

`"R"_{"out"} = 1/("λ"_{"c"}*"i"_{"d"})`

Przykład

`"1.584284kΩ"=1/("7.89"*"0.08mA")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

PDF Image

Rezystancja wyjściowa przy modulacji długości kanału Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Rezystancja wyjściowa = 1/(Modulacja długości kanału*Prąd spustowy)
R_out = 1/(λ_c*i_d)
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.
Modulacja długości kanału - Modulacja długości kanału jest miarą tego, jak bardzo zmienia się efektywna długość kanału tranzystora FET wraz z napięciem dren-źródło.
Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Modulacja długości kanału: 7.89 --> Nie jest wymagana konwersja
Prąd spustowy: 0.08 Miliamper --> 8E-05 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

R_out = 1/(λ_c*i_d) --> 1/(7.89*8E-05)

Ocenianie ... ...

R_out = 1584.28390367554

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1584.28390367554 Om -->1.58428390367554 Kilohm (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.58428390367554 ≈ 1.584284 Kilohm <-- Rezystancja wyjściowa

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Opór » Rezystancja wyjściowa przy modulacji długości kanału

Kredyty

Creator Image

Stworzone przez Suma Madhuri

Uniwersytet VIT (WIT), Chennai

Suma Madhuri utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Verifier Image

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< 14 Opór Kalkulatory

MOSFET jako rezystancja liniowa przy danym współczynniku kształtu

Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Efektywne napięcie)

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza różnicowego

Iść Rezystancja wyjściowa = ((Sygnał wejściowy trybu wspólnego*Transkonduktancja)-Całkowity prąd)/(2*Transkonduktancja*Całkowity prąd)

Rezystancja wejściowa Mosfet

Iść Rezystancja wejściowa = Napięcie wejściowe/(Prąd kolektora*Wzmocnienie prądu małego sygnału)

Skończony opór między drenem a źródłem

Iść Skończony opór = modulus(Dodatnie napięcie prądu stałego)/Prąd spustowy

Rezystancja wejściowa przy danej transkonduktancji

Iść Rezystancja wejściowa = Wzmocnienie prądu małego sygnału/Transkonduktancja

Średnia droga swobodna elektronu

Iść Średnia droga swobodna elektronu = 1/(Rezystancja wyjściowa*Prąd spustowy)

Rezystancja wyjściowa drenu

Iść Rezystancja wyjściowa = 1/(Średnia droga swobodna elektronu*Prąd spustowy)

Rezystancja wyjściowa przy danej transkonduktancji

Iść Rezystancja wyjściowa = 1/(Mobilność przewoźników*Transkonduktancja)

Rezystancja wyjściowa przy modulacji długości kanału

Iść Rezystancja wyjściowa = 1/(Modulacja długości kanału*Prąd spustowy)

Rezystancja wyjściowa Mosfet

Iść Rezystancja wyjściowa = Wczesne napięcie/Prąd kolektora

Rezystancja wejściowa małego sygnału

Iść Rezystancja wejściowa = Napięcie wejściowe/Prąd bazowy

Rezystancja zależna od napięcia w MOSFET-ie

Iść Skończony opór = Efektywne napięcie/Prąd spustowy

Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u

Iść Przewodnictwo kanału = 1/Opór liniowy

MOSFET jako rezystancja liniowa

Iść Opór liniowy = 1/Przewodnictwo kanału

Rezystancja wyjściowa przy modulacji długości kanału Formułę

Rezystancja wyjściowa = 1/(Modulacja długości kanału*Prąd spustowy)
R_out = 1/(λ_c*i_d)

BEZPŁATNY pliki PDF

Dzielić

Let Others Know

✖

LinkedIn

Email

WhatsApp

Copied!